| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD24AN06LA0 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDD4141 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
FDD5680 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD5680 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD5810 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD5810 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD6670A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD6670A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD6676AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD6676AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD86113LZ | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD86113LZ | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDD8896 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
FDN352AP | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDN352AP | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 8310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP045N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8440 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8860 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8D5N10C | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS4435BZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS4435BZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6679AZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6690A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6690A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FDV303N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FDV304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
FQD13N06LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQD13N06LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD4141 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.50 грн |
| FDD5680 |
![]() |
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.61 грн |
| 10+ | 36.27 грн |
| 100+ | 23.49 грн |
| 500+ | 16.84 грн |
| 1000+ | 15.17 грн |
| FDD5810 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDD5810 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDD6670A |
![]() |
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.46 грн |
| 10+ | 44.52 грн |
| 100+ | 29.06 грн |
| 500+ | 21.02 грн |
| 1000+ | 19.00 грн |
| FDD6676AS |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.61 грн |
| FDD6680AS |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.85 грн |
| FDD6685 |
![]() |
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.82 грн |
| 11+ | 31.85 грн |
| 100+ | 20.44 грн |
| 500+ | 14.59 грн |
| FDD7030BL |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.63 грн |
| FDD8586 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.44 грн |
| FDD86113LZ |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.09 грн |
| FDD8796 |
![]() |
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.54 грн |
| 10+ | 40.44 грн |
| 100+ | 26.23 грн |
| 500+ | 18.90 грн |
| 1000+ | 17.05 грн |
| FDD8870 |
![]() |
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.46 грн |
| 10+ | 44.86 грн |
| 100+ | 29.26 грн |
| 500+ | 21.16 грн |
| 1000+ | 19.13 грн |
| FDD8870 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.74 грн |
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDD8874 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.61 грн |
| 10+ | 36.27 грн |
| 100+ | 23.49 грн |
| 500+ | 16.84 грн |
| 1000+ | 15.17 грн |
| FDD8880 |
![]() |
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.46 грн |
| 10+ | 44.86 грн |
| 100+ | 29.26 грн |
| 500+ | 21.16 грн |
| 1000+ | 19.13 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.04 грн |
| 10+ | 62.78 грн |
| 100+ | 41.63 грн |
| 500+ | 30.55 грн |
| 1000+ | 27.81 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.79 грн |
| FDN352AP |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.81 грн |
| FDN352AP |
![]() |
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.84 грн |
| 21+ | 16.09 грн |
| 100+ | 10.11 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.32 грн |
| 6000+ | 5.50 грн |
| FDN361BN |
![]() |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.44 грн |
| 20+ | 17.51 грн |
| FDP045N10A |
![]() |
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.22 грн |
| 10+ | 118.90 грн |
| 100+ | 81.36 грн |
| 500+ | 61.29 грн |
| FDP8440 |
![]() |
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.47 грн |
| 10+ | 81.29 грн |
| 100+ | 54.55 грн |
| 500+ | 40.46 грн |
| FDP8860 |
![]() |
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.89 грн |
| 10+ | 116.65 грн |
| 100+ | 79.88 грн |
| 500+ | 60.20 грн |
| FDP8D5N10C |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.90 грн |
| 10+ | 108.06 грн |
| 100+ | 73.68 грн |
| 500+ | 55.33 грн |
| 1000+ | 50.89 грн |
| FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.41 грн |
| 10+ | 33.43 грн |
| 100+ | 21.58 грн |
| 500+ | 15.44 грн |
| 1000+ | 13.89 грн |
| FDS6612A |
![]() |
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.02 грн |
| 13+ | 26.76 грн |
| 100+ | 17.15 грн |
| 500+ | 12.16 грн |
| 1000+ | 10.89 грн |
| FDS6675 |
![]() |
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.93 грн |
| 10+ | 46.86 грн |
| 100+ | 30.66 грн |
| 500+ | 22.21 грн |
| 1000+ | 20.10 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.66 грн |
| 10+ | 48.03 грн |
| 100+ | 31.45 грн |
| 500+ | 22.83 грн |
| 1000+ | 20.67 грн |
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8958A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.74 грн |
| 10+ | 35.60 грн |
| 100+ | 23.06 грн |
| 500+ | 16.54 грн |
| 1000+ | 14.89 грн |
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 56.28 грн |
| 10+ | 34.02 грн |
| 100+ | 21.84 грн |
| 500+ | 15.58 грн |
| 1000+ | 14.00 грн |
| FDS8978 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDV301N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.12 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.74 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.48 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.60 грн |
| 10+ | 44.02 грн |
| 100+ | 28.73 грн |
| 500+ | 20.78 грн |
| 1000+ | 18.79 грн |





