| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3403A | UMW |
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V |
на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO3403A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3403 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3403A TAO3403a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3404A | UMW |
Description: 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO3404A | UMW |
Description: 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2 |
на замовлення 2311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO3404A | UMW |
MOSFET N-CH 30V SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AO3407A | UMW |
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-23-3 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AO3407A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A TAO3407a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO3407A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A TAO3407a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3409A | UMW |
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO3409A | UMW |
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO3409A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A TAO3409a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO3409A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A TAO3409a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3413A | UMW |
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO3413A | UMW |
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 10 V |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO3413A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3413 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3413A TAO3413a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3414A | UMW |
Description: 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3414A | UMW |
Description: 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 10 V |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO3414A UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 57mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3414 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3414A TAO3414a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3415A | UMW |
Description: 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO3415A | UMW |
Description: 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250 |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO3415A | UMW |
MOSFET P-CH 20V 4 A SOT23 Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AO3415A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3415A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3415A TAO3415a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3416A | UMW |
Description: 20V 6.5A 22MR@4.5V,6.5A 1.4W 1.1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3416A | UMW |
Description: 20V 6.5A 22MR@4.5V,6.5A 1.4W 1.1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AO3416A | UMW |
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AO3416A UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 51mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3416A TAO3416a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 940 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO3422A UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 125mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3422 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3422A TAO3422a UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO3423A | UMW |
Description: SOT-23 POWER MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 4.5 V |
на замовлення 2693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3423A | UMW |
Description: SOT-23 POWER MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AO3423A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3423 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3423A TAO3423a UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO3442A UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3442A TAO3442a UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO3442A UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3442A TAO3442a UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 550 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4405 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4405 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO4407A | UMW |
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AO4407A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 18,5mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4407A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4407A TAO4407a UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4410 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4410 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4421 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2890 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4421 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AO4421 UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6,2A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4421 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4421 TAO4421 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4435 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4435 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO4441 UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4441 TAO4441 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4447A | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4447A | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO4447A UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4447A TAO4447a UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4459 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4459 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4466 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AO4466 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO4468 UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23mOhm; 10,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4468 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4468 TAO4468 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO4485 UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4485 TAO4485 UMW кількість в упаковці: 60 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AO4485 UMW | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4485 TAO4485 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4486 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4486 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AO4614 UMW | UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm/50mOhm; 6A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4614B Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4614 TAO4614 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AO4882 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4882 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AO4884 UMW | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 16mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4884 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4884 TAO4884 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| AO3403A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.31 грн |
| 18+ | 17.23 грн |
| 50+ | 12.42 грн |
| 100+ | 10.18 грн |
| 500+ | 7.59 грн |
| AO3403A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3403 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3403A TAO3403a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3403 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3403A TAO3403a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.76 грн |
| AO3404A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2
Description: 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO3404A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2
Description: 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.02 грн |
| 14+ | 22.21 грн |
| 50+ | 16.12 грн |
| 100+ | 13.26 грн |
| 500+ | 9.96 грн |
| AO3404A |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 30V SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO3407A |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-23-3 Транзистори
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO3407A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A TAO3407a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A TAO3407a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3407A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A TAO3407a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A TAO3407a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3409A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO3409A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.62 грн |
| 16+ | 18.94 грн |
| 50+ | 13.65 грн |
| 100+ | 11.21 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| AO3409A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3409A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3413A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 10 V
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO3413A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 10 V
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 10 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.88 грн |
| 33+ | 9.21 грн |
| 37+ | 8.14 грн |
| 100+ | 6.52 грн |
| 250+ | 5.99 грн |
| 500+ | 5.66 грн |
| 1000+ | 5.31 грн |
| AO3413A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3413 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3413A TAO3413a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3413 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3413A TAO3413a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.33 грн |
| AO3414A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 10 V
Description: 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.26 грн |
| AO3414A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 10 V
Description: 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 10 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.31 грн |
| 18+ | 17.16 грн |
| 50+ | 12.37 грн |
| 100+ | 10.16 грн |
| 500+ | 7.56 грн |
| AO3414A UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 57mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3414 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3414A TAO3414a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 57mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3414 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3414A TAO3414a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3415A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
Description: 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO3415A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
Description: 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.40 грн |
| 16+ | 19.09 грн |
| 50+ | 13.83 грн |
| 100+ | 11.35 грн |
| 500+ | 8.48 грн |
| AO3415A |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET P-CH 20V 4 A SOT23 Транзистори
MOSFET P-CH 20V 4 A SOT23 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| AO3415A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3415A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3415A TAO3415a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3415A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3415A TAO3415a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3416A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 6.5A 22MR@4.5V,6.5A 1.4W 1.1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Description: 20V 6.5A 22MR@4.5V,6.5A 1.4W 1.1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.31 грн |
| 18+ | 17.23 грн |
| 50+ | 12.42 грн |
| 100+ | 10.18 грн |
| 500+ | 7.59 грн |
| AO3416A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 6.5A 22MR@4.5V,6.5A 1.4W 1.1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Description: 20V 6.5A 22MR@4.5V,6.5A 1.4W 1.1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO3416A |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L Транзистори
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO3416A UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 51mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3416A TAO3416a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 51mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3416A TAO3416a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 940 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.67 грн |
| AO3422A UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 125mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3422 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3422A TAO3422a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 125mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3422 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3422A TAO3422a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.61 грн |
| AO3423A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 4.5 V
Description: SOT-23 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 4.5 V
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.85 грн |
| 17+ | 18.12 грн |
| 50+ | 13.10 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 8.02 грн |
| AO3423A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 4.5 V
Description: SOT-23 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 4.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO3423A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3423 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3423A TAO3423a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3423 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3423A TAO3423a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.83 грн |
| AO3442A UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3442A TAO3442a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3442A TAO3442a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.32 грн |
| AO3442A UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3442A TAO3442a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3442A TAO3442a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.32 грн |
| AO4405 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4405 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.85 грн |
| 10+ | 34.91 грн |
| 50+ | 25.57 грн |
| 100+ | 21.16 грн |
| 500+ | 16.17 грн |
| AO4407A |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Транзистори
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO4407A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 18,5mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4407A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4407A TAO4407a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 18,5mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4407A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4407A TAO4407a UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.32 грн |
| AO4410 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.59 грн |
| 10+ | 45.68 грн |
| 50+ | 33.77 грн |
| 100+ | 28.06 грн |
| 500+ | 21.66 грн |
| AO4410 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4421 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AO4421 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO4421 UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6,2A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4421 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4421 TAO4421 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6,2A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4421 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4421 TAO4421 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 21.18 грн |
| AO4435 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4435 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.42 грн |
| 10+ | 41.52 грн |
| 50+ | 30.62 грн |
| 100+ | 25.40 грн |
| 500+ | 19.54 грн |
| AO4441 UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4441 TAO4441 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4441 TAO4441 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.68 грн |
| AO4447A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4447A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.39 грн |
| 10+ | 52.36 грн |
| 50+ | 38.83 грн |
| 100+ | 32.34 грн |
| 500+ | 25.13 грн |
| AO4447A UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4447A TAO4447a UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4447A TAO4447a UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 18.18 грн |
| AO4459 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4459 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.33 грн |
| 10+ | 39.81 грн |
| 50+ | 29.31 грн |
| 100+ | 24.31 грн |
| 500+ | 18.69 грн |
| AO4466 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4466 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.16 грн |
| 10+ | 35.87 грн |
| 50+ | 26.32 грн |
| 100+ | 21.79 грн |
| 500+ | 16.66 грн |
| AO4468 UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23mOhm; 10,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4468 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4468 TAO4468 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23mOhm; 10,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4468 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4468 TAO4468 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 4.90 грн |
| AO4485 UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4485 TAO4485 UMW
кількість в упаковці: 60 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4485 TAO4485 UMW
кількість в упаковці: 60 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 13.90 грн |
| AO4485 UMW |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4485 TAO4485 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4485 TAO4485 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 13.90 грн |
| AO4486 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.30 грн |
| 10+ | 50.06 грн |
| 50+ | 37.09 грн |
| 100+ | 30.88 грн |
| 500+ | 23.96 грн |
| AO4486 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4614 UMW |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm/50mOhm; 6A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4614B Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4614 TAO4614 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm/50mOhm; 6A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4614B Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4614 TAO4614 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.54 грн |
| AO4882 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.79 грн |
| AO4882 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO4884 UMW |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 16mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4884 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4884 TAO4884 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 16mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4884 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4884 TAO4884 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 13.26 грн |

















