| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLB8721PBF | VBSEMI |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,8Ohm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; IRLB8743-VB TIRLB8743 VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRLML2502TR | VBsemi |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR-VB TIRLML2502 VBSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRLML6401 | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401TR-VB TIRLML6401 VBSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRLML6401TRPBF-VB | VBSEMI | IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 59 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
IRLR2908TR | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TRL-VG; IRLR2908TR; IRLR2908TR-VB; IRLR2908TR TIRLR2908TR VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRLR3717 | VBsemi |
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TR-VB; IRLR3717; IRLR3717TR; IRLR3717TRR; VBE1202; IRLR3717TR-VB TIRLR3717 VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRLS3034PBF-VB | VBSEMI | IRLS3034PBF-VB MOSFET N-CH 40V 280A TO-263(D2PAK) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRLU120NPBF | VBSEMI |
I-Pak Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
IRLU2905PBF Код товару: 184659
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: I-Pak Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 35 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,032 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1100/46 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 76 шт
|
|
||||||
|
IRLZ24NPBF Код товару: 222247
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vbsemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 36 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,028 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/66 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
| LR7843-VB | VBSEMI | N-Channel 30V 120A 250W Surface Mount TO-252 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NCE01P30K-VB | VBSEMI | 100V 33mO@10V 1.92V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NCEP40P80K-VB | VBSEMI | MOSFET P-CH 40V 80A TO-252-2L Транзистори |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NTD25P03LG | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 38A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; NTD25P03LG-VB; NTD25P03LG-VB TNTD25P03LG VBSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: VBM1615; RFP50N06 TRFP50N06 VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
RTR040N03TL | VBsemi |
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3; RTR040N03TL TRTR040N03TL VBSкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
| SI2304BDS | VBsemi |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS-T1-GE3 TSI2304bds VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SI4564DY SOIC8 VBSEMI | VBsemi |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY-VB TSI4564dy VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SI4909DY | VBsemi |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm; 9,5A; 5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-VB TSI4909DY VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SI4909DY | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-VB TSI4909dy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SiHFR9214-E3 | VBSEMI | SiHFR9214-E3 IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори |
на замовлення 5 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||
| STD12NF06T4 | VBsemi |
TO-252 MOSFETs STD12NF06T4-VB TSTD12NF06T4 VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
STD5NK60ZT4 Код товару: 191547
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D-Pak (TO-252) Напруга сток-витік Uds, В: 650 В Струм стоку Idd, А: 4,5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1417/48 Монтаж: SMD |
у наявності: 33 шт
|
|
||||||
|
|
STN3NF06L | VBsemi |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
| STP16NF06L | VBsemi |
Transistor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: This item has been discontinued. VBSEMI STP16NF06L-VB; STP16NF06L TSTP16NF06L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| STP75N75F4-VB | VBSEMI | MOSFET N-CH 80V 100A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| STP80PF55-VB | VBSEMI | 60V 90A 7.4m?@10V 1 piece P-channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| STS4DPF30L | VBsemi |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7,3A; 5W; -55°C ~ 150°C; STS4DPF30L-VB; STS4DPF30L-VB TSTS4DPF30L VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| STS8C5H30L | VBsemi |
Transistor N/P-MOSFET; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; STS8C5H30L-VB; STS8C5H30L TSTS8C5H30L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
STW15NK90Z Код товару: 198553
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальніНапруга сток-витік Uds, В: 900 В Струм стоку Idd, А: 15 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6100/190 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||
| SUD50P04-09L-E3 | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3-VB TSUD50P04-09L-E3 VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| TK31N60W | VBSEMI | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Replacement for: TSM2308CX RFG; TSM2308CX RFG-VB TTSM2308cx VBS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
VB1695 | VBsemi |
TRANSISTOR MOSFET; SOT23-3; 60V; 3,1A; N-Channel; Equivalent: AP2310GN; VBSEMI: VB1695; VB1695 TAP2310GN VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
| VB7638 | VBsemi |
60V 7A 30m@10V,5A 5W 2.5V@250A N Channel TSOP-6 MOSFETs Replacement: PMN230ENEAX; VB7638 TVB7638 VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRLB8721PBF |
![]() |
Виробник: VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,8Ohm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; IRLB8743-VB TIRLB8743 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,8Ohm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; IRLB8743-VB TIRLB8743 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 24.87 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: VBsemi
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR-VB TIRLML2502 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR-VB TIRLML2502 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.84 грн |
| IRLML6401 |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401TR-VB TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401TR-VB TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.62 грн |
| IRLML6401TRPBF-VB |
Виробник: VBSEMI
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 59 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 13.21 грн |
| IRLR2908TR |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TRL-VG; IRLR2908TR; IRLR2908TR-VB; IRLR2908TR TIRLR2908TR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TRL-VG; IRLR2908TR; IRLR2908TR-VB; IRLR2908TR TIRLR2908TR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.44 грн |
| IRLR3717 |
Виробник: VBsemi
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TR-VB; IRLR3717; IRLR3717TR; IRLR3717TRR; VBE1202; IRLR3717TR-VB TIRLR3717 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TR-VB; IRLR3717; IRLR3717TR; IRLR3717TRR; VBE1202; IRLR3717TR-VB TIRLR3717 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 28.94 грн |
| IRLS3034PBF-VB |
Виробник: VBSEMI
IRLS3034PBF-VB MOSFET N-CH 40V 280A TO-263(D2PAK) Транзистори
IRLS3034PBF-VB MOSFET N-CH 40V 280A TO-263(D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLU2905PBF Код товару: 184659
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,032 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1100/46
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,032 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1100/46
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
- 39 шт - склад
- 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38.50 грн |
| 10+ | 35.80 грн |
| IRLZ24NPBF Код товару: 222247
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vbsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/66
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/66
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 25.00 грн |
| 10+ | 22.80 грн |
| 100+ | 21.50 грн |
| LR7843-VB |
Виробник: VBSEMI
N-Channel 30V 120A 250W Surface Mount TO-252 Транзистори
N-Channel 30V 120A 250W Surface Mount TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCE01P30K-VB |
Виробник: VBSEMI
100V 33mO@10V 1.92V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs Транзистори
100V 33mO@10V 1.92V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCEP40P80K-VB |
Виробник: VBSEMI
MOSFET P-CH 40V 80A TO-252-2L Транзистори
MOSFET P-CH 40V 80A TO-252-2L Транзистори
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| NTD25P03LG |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 38A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; NTD25P03LG-VB; NTD25P03LG-VB TNTD25P03LG VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 38A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; NTD25P03LG-VB; NTD25P03LG-VB TNTD25P03LG VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 15.97 грн |
| RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: VBM1615; RFP50N06 TRFP50N06 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: VBM1615; RFP50N06 TRFP50N06 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.66 грн |
| RTR040N03TL |
![]() |
Виробник: VBsemi
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3; RTR040N03TL TRTR040N03TL VBS
кількість в упаковці: 50 шт
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3; RTR040N03TL TRTR040N03TL VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.97 грн |
| SI2304BDS |
Виробник: VBsemi
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS-T1-GE3 TSI2304bds VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS-T1-GE3 TSI2304bds VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 12.39 грн |
| SI4564DY SOIC8 VBSEMI |
Виробник: VBsemi
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY-VB TSI4564dy VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY-VB TSI4564dy VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 27.66 грн |
| SI4909DY |
Виробник: VBsemi
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm; 9,5A; 5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-VB TSI4909DY VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm; 9,5A; 5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-VB TSI4909DY VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 27.66 грн |
| SI4909DY |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-VB TSI4909dy
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-VB TSI4909dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 35.80 грн |
| SiHFR9214-E3 |
Виробник: VBSEMI
SiHFR9214-E3 IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
SiHFR9214-E3 IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.00 грн |
| STD12NF06T4 |
![]() |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 17.32 грн |
| STD5NK60ZT4 Код товару: 191547
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 4,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1417/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 4,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1417/48
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
- 26 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 46.80 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 33.44 грн |
| STP16NF06L |
Виробник: VBsemi
Transistor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: This item has been discontinued. VBSEMI STP16NF06L-VB; STP16NF06L TSTP16NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: This item has been discontinued. VBSEMI STP16NF06L-VB; STP16NF06L TSTP16NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 36.45 грн |
| STP75N75F4-VB |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-CH 80V 100A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 80V 100A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP80PF55-VB |
Виробник: VBSEMI
60V 90A 7.4m?@10V 1 piece P-channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори
60V 90A 7.4m?@10V 1 piece P-channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STS4DPF30L |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7,3A; 5W; -55°C ~ 150°C; STS4DPF30L-VB; STS4DPF30L-VB TSTS4DPF30L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7,3A; 5W; -55°C ~ 150°C; STS4DPF30L-VB; STS4DPF30L-VB TSTS4DPF30L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 17.79 грн |
| STS8C5H30L |
Виробник: VBsemi
Transistor N/P-MOSFET; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; STS8C5H30L-VB; STS8C5H30L TSTS8C5H30L
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N/P-MOSFET; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; STS8C5H30L-VB; STS8C5H30L TSTS8C5H30L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 31.73 грн |
| STW15NK90Z Код товару: 198553
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 290.00 грн |
| SUD50P04-09L-E3 |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3-VB TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3-VB TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 49.52 грн |
| TK31N60W |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Діоди та діодні збірки
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Replacement for: TSM2308CX RFG; TSM2308CX RFG-VB TTSM2308cx VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Replacement for: TSM2308CX RFG; TSM2308CX RFG-VB TTSM2308cx VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.35 грн |
| VB1695 |
Виробник: VBsemi
TRANSISTOR MOSFET; SOT23-3; 60V; 3,1A; N-Channel; Equivalent: AP2310GN; VBSEMI: VB1695; VB1695 TAP2310GN VBS
кількість в упаковці: 50 шт
TRANSISTOR MOSFET; SOT23-3; 60V; 3,1A; N-Channel; Equivalent: AP2310GN; VBSEMI: VB1695; VB1695 TAP2310GN VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.50 грн |







