Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N0615-VB 2N0615 | VBSEMI | N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N06L64 | VBSEMI | MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
2SJ360 | VBsemi |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360(TE12L,F) T2SJ360кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
AO3415A | VBsemi |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AO3415A TAO3415A VBSкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
AO4862-VB | VBsemi |
Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; AO4862 TAO4862кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| AON6400 | VBSEMI |
MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| AON6403-VB | VBSEMI | P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| BSZ031NE2LS5ATMA1 | VBSEMI |
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| BSZ033NE2LS5 | VBSEMI | MOSFET LV POWER MOS Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| CEP83A3-VB | VBSEMI | 30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| FCB20N60FTM | VBSEMI |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| FCP260N65S3-VB | VBSEMI | MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
FDB3652 Код товару: 155755
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBSemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 61 A Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41 Монтаж: SMD |
у наявності: 18 шт
8 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||
|
|
FDD8896-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 666 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FDD8896-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FDN306P | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBSкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FDV303N | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n cкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| FQPF16N60 | VBSEMI | N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
FQT5P10TF-VB | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FQT5P10TF-VB | VBsemi |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tfкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| HFP75N75-VB | VBSEMI | MOSFET N-CH TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
HGTP12N60C3D Код товару: 216813
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > IGBTКорпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 24 A Ic 100: 12 А Pd 25: 104 W td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270 |
у наявності: 26 шт
9 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||
| IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF | VBSEMI | MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB020N10N5-VB IPB020N10N5 | VBSEMI | MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G | VBSEMI | N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPT012N08N5 | VBSEMI | Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
IRF1010ES-VB | VBsemi |
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBSкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF3805S | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF3805S | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF3805S | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF7201TR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
IRF7301TR-VB | VBsemi |
SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF7401TR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7425TR-VB | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
IRF7433TRPBF Код товару: 190632
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBSEMI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 12 V Id,A: 8,9 A Rds(on),Om: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20 Монтаж: SMD |
у наявності: 81 шт
33 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||
|
|
IRF7811AVTR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF7811AVTR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF9310TR&-9-VB | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF9310TR&-9-VB | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 83 шт
70 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||
| IRF9910TR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; IRF9910TR TIRF9910 VBS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRFHM8363TRPBF | VBSEMI |
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRFP264PBF | VBSEMI |
(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IRFP360PBF Код товару: 219023
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBSemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210 Монтаж: THT |
у наявності: 66 шт
66 шт - склад
|
|
||||
| IRFR4104TR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRFU120-VB | VBsemi |
N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120 кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
IRL1404ZPBF Код товару: 219024
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBSemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 160 A Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 100 шт
100 шт - склад
|
|
||||
| IRL2505PBF | VBSEMI |
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRL2505S | VBSEMI |
(TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IRL3713PBF Код товару: 198923
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||
| IRL540-VB | VBsemi |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRL540-VB | VBsemi |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRL6342TR-VB | VBsemi | Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342 SPQ96; IRL6342-GURT; IRL6342 International Rectifier TIRL6342 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRLB8721PBF | VBSEMI |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRLB8743-VB | VBsemi |
30V 140A 3.75W 2m?@10V,38.8A 1V TO-220AB MOSFETs IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR-VB | VBsemi |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TR | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF | VBSEMI | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TR-VB | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6402TR | VBsemi |
P-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402, IRLML6402TR IRLML6402 VBS TIRLML6402 VBSкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| 2N0615-VB 2N0615 |
Виробник: VBSEMI
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N06L64 |
Виробник: VBSEMI
MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SJ360 |
![]() |
Виробник: VBsemi
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360(TE12L,F) T2SJ360
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360(TE12L,F) T2SJ360
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 22.55 грн |
| AO3415A |
![]() |
Виробник: VBsemi
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AO3415A TAO3415A VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AO3415A TAO3415A VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 4.64 грн |
| AO4862-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; AO4862 TAO4862
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; AO4862 TAO4862
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 17.56 грн |
| AON6400 |
![]() |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AON6403-VB |
Виробник: VBSEMI
P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ031NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ033NE2LS5 |
Виробник: VBSEMI
MOSFET LV POWER MOS Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET LV POWER MOS Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CEP83A3-VB |
Виробник: VBSEMI
30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Група товару: Транзистори Од. вим: шт
30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP260N65S3-VB |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDB3652 Код товару: 155755
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
8 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| FDD8896-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.93 грн |
| FDD8896-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.93 грн |
| FDN306P |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 5.44 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 8.30 грн |
| FQPF16N60 |
Виробник: VBSEMI
N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQT5P10TF-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.51 грн |
| FQT5P10TF-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 20.50 грн |
| HFP75N75-VB |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-CH TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HGTP12N60C3D Код товару: 216813
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 26 шт
9 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 118.00 грн |
| 10+ | 111.00 грн |
| IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB020N10N5-VB IPB020N10N5 |
Виробник: VBSEMI
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G |
Виробник: VBSEMI
N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPT012N08N5 |
Виробник: VBSEMI
Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010ES-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 42.92 грн |
| IRF3805S |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 106.00 грн |
| IRF3805S |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 106.00 грн |
| IRF3805S |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 106.00 грн |
| IRF7201TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.14 грн |
| IRF7301TR-VB |
Виробник: VBsemi
SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
кількість в упаковці: 50 шт
SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 17.52 грн |
| IRF7401TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.79 грн |
| IRF7425TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.98 грн |
| IRF7433TRPBF Код товару: 190632
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBSEMI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 8,9 A
Rds(on),Om: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 8,9 A
Rds(on),Om: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
Монтаж: SMD
у наявності: 81 шт
33 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.00 грн |
| IRF7811AVTR-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 24.71 грн |
| IRF7811AVTR-VB |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 24.71 грн |
| IRF9310TR&-9-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 37.29 грн |
| IRF9310TR&-9-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 37.29 грн |
| IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 83 шт
70 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| IRF9910TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; IRF9910TR TIRF9910 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; IRF9910TR TIRF9910 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.01 грн |
| IRFHM8363TRPBF |
![]() |
Виробник: VBSEMI
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VBSEMI
(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP360PBF Код товару: 219023
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
у наявності: 66 шт
66 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 160.00 грн |
| 10+ | 145.00 грн |
| IRFR4104TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.09 грн |
| IRFU120-VB |
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 34.89 грн |
| IRL1404ZPBF Код товару: 219024
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
100 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| IRL2505PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VBSEMI
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL2505S |
![]() |
Виробник: VBSEMI
(TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
(TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL3713PBF Код товару: 198923
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 70.00 грн |
| 10+ | 65.00 грн |
| IRL540-VB |
Виробник: VBsemi
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 50.72 грн |
| IRL540-VB |
Виробник: VBsemi
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.35 грн |
| IRL6342TR-VB |
Виробник: VBsemi
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342 SPQ96; IRL6342-GURT; IRL6342 International Rectifier TIRL6342
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342 SPQ96; IRL6342-GURT; IRL6342 International Rectifier TIRL6342
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLB8721PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLB8743-VB |
Виробник: VBsemi
30V 140A 3.75W 2m?@10V,38.8A 1V TO-220AB MOSFETs IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
30V 140A 3.75W 2m?@10V,38.8A 1V TO-220AB MOSFETs IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 25.14 грн |
| IRLML2502TR-VB |
Виробник: VBsemi
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.88 грн |
| IRLML6401TR |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.67 грн |
| IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF |
Виробник: VBSEMI
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.24 грн |
| IRLML6401TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.67 грн |
| IRLML6402TR | ![]() |
![]() |
Виробник: VBsemi
P-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402, IRLML6402TR IRLML6402 VBS TIRLML6402 VBS
кількість в упаковці: 500 шт
P-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402, IRLML6402TR IRLML6402 VBS TIRLML6402 VBS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.32 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]






