| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ60CAHM3_B/I | Vishay |
Diode TVS Single Bi-Dir 60V 600W 2-Pin SMB T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
|
PR03000202001FAC00 | Vishay |
Res Metal Film 2K Ohm 1% 3W ±250ppm/C Conformal Coated AXL Ammo |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
AC01000006809JA100 | Vishay |
Res Wirewound 68 Ohm 5% 1W 100ppm/C to 180ppm/C Cement AXL Ammo |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
M8340106M1503GGD03 | Vishay |
Res Thick Film NET 150K Ohm 2% 1W ±300ppm/C ISOL Molded 10-Pin SIP Pin Thru-Hole Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
RLR32C1503FRRE6 | Vishay |
Res Metal Film 150K Ohm 1% 1W ±100ppm/C 0.01% Epoxy AXL T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
CCF60150KFKE36 | Vishay |
Res Metal Film 150K Ohm 1% 1W ±100ppm/C Conformal Epoxy AXL T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ1210Y104KXBAR | Vishay |
Cap Ceramic 0.1uF 100V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
WYO102MCMCF0KR | Vishay |
CapCeramic Suppression X1/Y2 0.001uF 440VAC/250VAC Y5U 20%( 6.5 X 4.5mm) Radial Disc 5mm 125°C Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| S331K33Y5PS63K7R | Vishay |
CapCeramic Suppression X1/Y2 330pF 400VAC/250VAC Y5P 10%( 8.5 X 6mm) Radial Disc 7.5mm 125°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| S472M59Z5US63K7R | Vishay |
CapCeramic Single Suppression X1/Y2 0.0047uF 400VAC/250VAC Z5U 20% (15 X 6mm) Radial Disc 7.5mm 125°C Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
|
WYO472MCMCRAKR | Vishay |
CapCeramic Suppression X1/Y2 0.0047uF 440VAC/250VAC Y5U 20%( 12.5 X 4.5mm) Radial Disc 7.5mm 125°C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ1210Y104KFAAR | Vishay |
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ1210Y104KXAAT | Vishay |
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ1210Y104JXAAT | Vishay |
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 5% Pad SMD 1210 150C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
CDR33BX104AKUSAJ | Vishay |
Cap Ceramic 0.1uF 50V BX 10% Pad SMD 1210 (0.001%FR) 125C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZWS020935001KLX000 | Vishay | ZWS020935001KLX000 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
|
LCA0207009109J2200 | Vishay |
Res Carbon Film 91 Ohm 5% 0.35W Conformal Coated AXL Ammo |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
LCA0207009101J2200 | Vishay |
Res Carbon Film 9.1K Ohm 5% 0.35W Conformal Coated AXL Ammo |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ0805A331FXJCW1BC | Vishay |
Cap Ceramic 330pF 16V C0G 1% Pad SMD 0805 125C T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
VJ0805Y331KXACW1BC | Vishay |
Cap Ceramic 330pF 50V X7R 10% Pad SMD 0805 125C T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CRCW120691K0KKEATR | Vishay |
Res Thick Film 1206 91K Ohm 10% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CRCW120691K0FKEAE6 | Vishay | Old Part CRCW120691K01FKEAE6^VISHAY |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
|
M55342M12B1K30RWB | Vishay |
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±300ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
CHPHR0603K1301JBT | Vishay |
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±100ppm/C Pad SMD T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
RCA06031K30JNEB | Vishay |
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±200ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD Automotive T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
5962-9562901QCA | Vishay |
Analog Switch Dual SPST 14-Pin CDIP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
CRCW08051K13FKEC | Vishay |
Res Thick Film 0805 1.13K Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
CRCW08051K13FKEB | Vishay |
Res Thick Film 0805 1.13K Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ1206Y102KXEMC | Vishay |
Cap Ceramic 0.001uF 500V X7R 10% Pad SMD 1206 150C T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
RNC55H8350BSR36 | Vishay |
Res Metal Film 835 Ohm 0.1% 0.125W(1/8W) ±50ppm/C 0.001% Epoxy AXL T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
P1206E8350BNT | Vishay |
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.33W(1/3W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
TNPW1206835RBEEN | Vishay |
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.25W(1/4W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 Medical |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
MCS04020D8350BE100 | Vishay |
Res Thin Film 0402 835 Ohm 0.1% 0.063W(1/16W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD Automotive Medical T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
P1206E8350BBT | Vishay |
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.33W(1/3W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
TNPW0805835RBETA | Vishay |
Res Thin Film 0805 835 Ohm 0.1% 0.125W(1/8W) ±25ppm/C Pad SMD Medical T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
VJ0603Y153KXAAC | Vishay |
Cap Ceramic 0.015uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 150C T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CRCW1206169RFKEAHP | Vishay |
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.75W(3/4W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
D55342K07B169DRS6 | Vishay |
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
TNPW1206169RBEEN | Vishay |
Res Thin Film 1206 169 Ohm 0.1% 0.25W(1/4W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 Medical |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
D55342K07B169DRWB | Vishay |
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
TNPW1206169RBEEA | Vishay |
Res Thin Film 1206 169 Ohm 0.1% 0.27W ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Medical Automotive AEC-Q200 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
SMAJ43AHE3_A/I | Vishay |
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
SMAJ43A-E3/5A | Vishay |
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BY228-15TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us Type of diode: rectifying Case: SOD64 Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 20µs Leakage current: 140µA Max. forward voltage: 1.5V Load current: 3A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; 13 inch reel; Ifsm: 50A; 20us Type of diode: rectifying Case: DO201AD Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 20µs Leakage current: 0.2mA Max. forward voltage: 1.6V Load current: 2.5A Max. load current: 10A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 1.5kV Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 1400pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
BY228TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us Type of diode: rectifying Case: SOD64 Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 20µs Load current: 3A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 1.5kV Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect |
на замовлення 4165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIHF18N50D-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRFZ48RPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 291A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
ES2D-E3/52T | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 30ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 900mV Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Case: DO214AA; SMB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 50A Quantity in set/package: 750pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: 7 inch reel |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
ES2DHE3_A/H | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 18pF Case: DO214AA; SMB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.35mA Quantity in set/package: 750pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: 7 inch reel |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFP460APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFP460LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRFP460PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF520PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
TCST1230 | VISHAY |
Category: PCB Photoelectric SensorsDescription: Sensor: optocoupler; through-beam (with slot); Slot width: 2.8mm Type of sensor: optocoupler Operation mode: through-beam (with slot) Slot width: 2.8mm Aperture width: 0.5mm Mounting: SMD; THT Body dimensions: 9.2x4.8x5.4mm Collector-emitter voltage: 70V Operating temperature: -25...85°C Kind of output: transistor Kind of optocoupler: slotted with flag Wavelength: 950nm Output current: 2mA |
на замовлення 6406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
6N137-X007T | VISHAY |
Category: Optocouplers - digital outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: logic Insulation voltage: 5kV Transfer rate: 10Mbps Collector-emitter voltage: 7V Case: Gull wing 8 Turn-on time: 27ns Turn-off time: 7ns Output voltage: 7V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SMBJ60CAHM3_B/I |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Bi-Dir 60V 600W 2-Pin SMB T/R Automotive AEC-Q101
Diode TVS Single Bi-Dir 60V 600W 2-Pin SMB T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PR03000202001FAC00 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Metal Film 2K Ohm 1% 3W ±250ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
Res Metal Film 2K Ohm 1% 3W ±250ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AC01000006809JA100 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Wirewound 68 Ohm 5% 1W 100ppm/C to 180ppm/C Cement AXL Ammo
Res Wirewound 68 Ohm 5% 1W 100ppm/C to 180ppm/C Cement AXL Ammo
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M8340106M1503GGD03 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film NET 150K Ohm 2% 1W ±300ppm/C ISOL Molded 10-Pin SIP Pin Thru-Hole Tube
Res Thick Film NET 150K Ohm 2% 1W ±300ppm/C ISOL Molded 10-Pin SIP Pin Thru-Hole Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RLR32C1503FRRE6 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Metal Film 150K Ohm 1% 1W ±100ppm/C 0.01% Epoxy AXL T/R
Res Metal Film 150K Ohm 1% 1W ±100ppm/C 0.01% Epoxy AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CCF60150KFKE36 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Metal Film 150K Ohm 1% 1W ±100ppm/C Conformal Epoxy AXL T/R
Res Metal Film 150K Ohm 1% 1W ±100ppm/C Conformal Epoxy AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ1210Y104KXBAR |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.1uF 100V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R
Cap Ceramic 0.1uF 100V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WYO102MCMCF0KR |
![]() |
Виробник: Vishay
CapCeramic Suppression X1/Y2 0.001uF 440VAC/250VAC Y5U 20%( 6.5 X 4.5mm) Radial Disc 5mm 125°C Bulk
CapCeramic Suppression X1/Y2 0.001uF 440VAC/250VAC Y5U 20%( 6.5 X 4.5mm) Radial Disc 5mm 125°C Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S331K33Y5PS63K7R |
![]() |
Виробник: Vishay
CapCeramic Suppression X1/Y2 330pF 400VAC/250VAC Y5P 10%( 8.5 X 6mm) Radial Disc 7.5mm 125°C
CapCeramic Suppression X1/Y2 330pF 400VAC/250VAC Y5P 10%( 8.5 X 6mm) Radial Disc 7.5mm 125°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S472M59Z5US63K7R |
![]() |
Виробник: Vishay
CapCeramic Single Suppression X1/Y2 0.0047uF 400VAC/250VAC Z5U 20% (15 X 6mm) Radial Disc 7.5mm 125°C Bulk
CapCeramic Single Suppression X1/Y2 0.0047uF 400VAC/250VAC Z5U 20% (15 X 6mm) Radial Disc 7.5mm 125°C Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WYO472MCMCRAKR |
![]() |
Виробник: Vishay
CapCeramic Suppression X1/Y2 0.0047uF 440VAC/250VAC Y5U 20%( 12.5 X 4.5mm) Radial Disc 7.5mm 125°C T/R
CapCeramic Suppression X1/Y2 0.0047uF 440VAC/250VAC Y5U 20%( 12.5 X 4.5mm) Radial Disc 7.5mm 125°C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ1210Y104KFAAR |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ1210Y104KXAAT |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 150C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ1210Y104JXAAT |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 5% Pad SMD 1210 150C T/R
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 5% Pad SMD 1210 150C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CDR33BX104AKUSAJ |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.1uF 50V BX 10% Pad SMD 1210 (0.001%FR) 125C T/R
Cap Ceramic 0.1uF 50V BX 10% Pad SMD 1210 (0.001%FR) 125C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZWS020935001KLX000 |
Виробник: Vishay
ZWS020935001KLX000
ZWS020935001KLX000
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LCA0207009109J2200 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Carbon Film 91 Ohm 5% 0.35W Conformal Coated AXL Ammo
Res Carbon Film 91 Ohm 5% 0.35W Conformal Coated AXL Ammo
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LCA0207009101J2200 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Carbon Film 9.1K Ohm 5% 0.35W Conformal Coated AXL Ammo
Res Carbon Film 9.1K Ohm 5% 0.35W Conformal Coated AXL Ammo
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ0805A331FXJCW1BC |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 330pF 16V C0G 1% Pad SMD 0805 125C T/R
Cap Ceramic 330pF 16V C0G 1% Pad SMD 0805 125C T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 2.65 грн |
| VJ0805Y331KXACW1BC |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 330pF 50V X7R 10% Pad SMD 0805 125C T/R
Cap Ceramic 330pF 50V X7R 10% Pad SMD 0805 125C T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 0.76 грн |
| CRCW120691K0KKEATR |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 1206 91K Ohm 10% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD T/R
Res Thick Film 1206 91K Ohm 10% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CRCW120691K0FKEAE6 |
Виробник: Vishay
Old Part CRCW120691K01FKEAE6^VISHAY
Old Part CRCW120691K01FKEAE6^VISHAY
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M55342M12B1K30RWB |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±300ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD Tray
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±300ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CHPHR0603K1301JBT |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±100ppm/C Pad SMD T/R
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±100ppm/C Pad SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RCA06031K30JNEB |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±200ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD Automotive T/R
Res Thick Film 0603 1.3K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±200ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 5962-9562901QCA |
![]() |
Виробник: Vishay
Analog Switch Dual SPST 14-Pin CDIP
Analog Switch Dual SPST 14-Pin CDIP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CRCW08051K13FKEC |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 0805 1.13K Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R
Res Thick Film 0805 1.13K Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CRCW08051K13FKEB |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 0805 1.13K Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200
Res Thick Film 0805 1.13K Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ1206Y102KXEMC |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.001uF 500V X7R 10% Pad SMD 1206 150C T/R
Cap Ceramic 0.001uF 500V X7R 10% Pad SMD 1206 150C T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RNC55H8350BSR36 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Metal Film 835 Ohm 0.1% 0.125W(1/8W) ±50ppm/C 0.001% Epoxy AXL T/R
Res Metal Film 835 Ohm 0.1% 0.125W(1/8W) ±50ppm/C 0.001% Epoxy AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P1206E8350BNT |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.33W(1/3W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.33W(1/3W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TNPW1206835RBEEN |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.25W(1/4W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 Medical
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.25W(1/4W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 Medical
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCS04020D8350BE100 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 0402 835 Ohm 0.1% 0.063W(1/16W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD Automotive Medical T/R
Res Thin Film 0402 835 Ohm 0.1% 0.063W(1/16W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD Automotive Medical T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P1206E8350BBT |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.33W(1/3W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R
Res Thin Film 1206 835 Ohm 0.1% 0.33W(1/3W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TNPW0805835RBETA |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 0805 835 Ohm 0.1% 0.125W(1/8W) ±25ppm/C Pad SMD Medical T/R
Res Thin Film 0805 835 Ohm 0.1% 0.125W(1/8W) ±25ppm/C Pad SMD Medical T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VJ0603Y153KXAAC |
![]() |
Виробник: Vishay
Cap Ceramic 0.015uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 150C T/R
Cap Ceramic 0.015uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 150C T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 2.36 грн |
| CRCW1206169RFKEAHP |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.75W(3/4W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.75W(3/4W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| D55342K07B169DRS6 |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD T/R
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TNPW1206169RBEEN |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 1206 169 Ohm 0.1% 0.25W(1/4W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 Medical
Res Thin Film 1206 169 Ohm 0.1% 0.25W(1/4W) ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Automotive AEC-Q200 Medical
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| D55342K07B169DRWB |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD Tray
Res Thick Film 1206 169 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C 0.01% Sulfur Resistant Pad SMD Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TNPW1206169RBEEA |
![]() |
Виробник: Vishay
Res Thin Film 1206 169 Ohm 0.1% 0.27W ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Medical Automotive AEC-Q200
Res Thin Film 1206 169 Ohm 0.1% 0.27W ±25ppm/C Sulfur Resistant Pad SMD T/R Medical Automotive AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMAJ43AHE3_A/I |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMAJ43A-E3/5A |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BY228-15TAP |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Case: SOD64
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Reverse recovery time: 20µs
Leakage current: 140µA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Case: SOD64
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Reverse recovery time: 20µs
Leakage current: 140µA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BY228GP-E3/54 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; 13 inch reel; Ifsm: 50A; 20us
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Capacitance: 40pF
Reverse recovery time: 20µs
Leakage current: 0.2mA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 2.5A
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.5kV
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; 13 inch reel; Ifsm: 50A; 20us
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Capacitance: 40pF
Reverse recovery time: 20µs
Leakage current: 0.2mA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 2.5A
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.5kV
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BY228TAP | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Case: SOD64
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Reverse recovery time: 20µs
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.5kV
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Case: SOD64
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Reverse recovery time: 20µs
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.5kV
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.35 грн |
| 8+ | 52.16 грн |
| 10+ | 48.88 грн |
| 25+ | 44.69 грн |
| 100+ | 38.62 грн |
| 500+ | 34.20 грн |
| IRFB18N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF18N50D-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFZ48RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 210.19 грн |
| 50+ | 113.17 грн |
| 100+ | 104.97 грн |
| 250+ | 95.13 грн |
| ES2D-E3/52T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 30ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 900mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Quantity in set/package: 750pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: 7 inch reel
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 30ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 900mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Quantity in set/package: 750pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 22.96 грн |
| 50+ | 18.04 грн |
| 100+ | 15.58 грн |
| 250+ | 10.74 грн |
| 500+ | 7.22 грн |
| 750+ | 6.15 грн |
| ES2DHE3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Quantity in set/package: 750pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: 7 inch reel
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Quantity in set/package: 750pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.09 грн |
| 14+ | 30.18 грн |
| 15+ | 27.39 грн |
| 25+ | 23.54 грн |
| 100+ | 20.01 грн |
| IRFP460APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.01 грн |
| IRFP460LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP460PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.77 грн |
| 10+ | 237.00 грн |
| 25+ | 222.24 грн |
| 50+ | 209.11 грн |
| 100+ | 193.53 грн |
| 200+ | 177.13 грн |
| 250+ | 171.39 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 58.29 грн |
| 12+ | 35.51 грн |
| 50+ | 33.21 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.00 грн |
| 10+ | 48.30 грн |
| 50+ | 39.28 грн |
| 100+ | 35.92 грн |
| 250+ | 32.06 грн |
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 47.69 грн |
| 11+ | 37.72 грн |
| 13+ | 33.38 грн |
| 50+ | 24.68 грн |
| 100+ | 23.04 грн |
| 500+ | 21.65 грн |
| TCST1230 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: optocoupler; through-beam (with slot); Slot width: 2.8mm
Type of sensor: optocoupler
Operation mode: through-beam (with slot)
Slot width: 2.8mm
Aperture width: 0.5mm
Mounting: SMD; THT
Body dimensions: 9.2x4.8x5.4mm
Collector-emitter voltage: 70V
Operating temperature: -25...85°C
Kind of output: transistor
Kind of optocoupler: slotted with flag
Wavelength: 950nm
Output current: 2mA
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: optocoupler; through-beam (with slot); Slot width: 2.8mm
Type of sensor: optocoupler
Operation mode: through-beam (with slot)
Slot width: 2.8mm
Aperture width: 0.5mm
Mounting: SMD; THT
Body dimensions: 9.2x4.8x5.4mm
Collector-emitter voltage: 70V
Operating temperature: -25...85°C
Kind of output: transistor
Kind of optocoupler: slotted with flag
Wavelength: 950nm
Output current: 2mA
на замовлення 6406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.17 грн |
| 9+ | 48.22 грн |
| 10+ | 45.35 грн |
| 25+ | 41.99 грн |
| 50+ | 39.61 грн |
| 60+ | 39.03 грн |
| 100+ | 37.64 грн |
| 500+ | 33.95 грн |
| 1000+ | 32.80 грн |
| 6N137-X007T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Collector-emitter voltage: 7V
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 7ns
Output voltage: 7V
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Collector-emitter voltage: 7V
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 7ns
Output voltage: 7V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.










