Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (36284) > Сторінка 179 з 605

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 60 120 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 240 300 360 420 480 540 600 605  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
VS-ETH1506-M3 VS-ETH1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX0806FP-M3 VS-ETX0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx0806fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.64 грн
50+ 57.92 грн
100+ 45.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETL0806FP-M3 VS-ETL0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl0806fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH0806FP-M3 VS-ETH0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth0806fp-m3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.64 грн
10+ 58.8 грн
100+ 45.74 грн
500+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETX0806-M3 VS-ETX0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx0806-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.96 грн
50+ 53.45 грн
100+ 42.36 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETL0806-M3 VS-ETL0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl0806-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.67 грн
50+ 53.96 грн
100+ 42.76 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 27.71 грн
2000+ 26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH0806-M3 VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth0806m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.96 грн
10+ 54.29 грн
100+ 42.22 грн
500+ 33.58 грн
1000+ 27.35 грн
2000+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETU3006-1-M3 VS-ETU3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-EPH3006-N3 VS-EPH3006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-aph3006n3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.33 грн
25+ 290.01 грн
100+ 248.6 грн
VS-5EWH06FNTR-M3 VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.91 грн
6000+ 19.07 грн
10000+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETH3006-1-M3 VS-ETH3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU3006FP-M3 VS-ETU3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.9 грн
50+ 85.78 грн
100+ 70.58 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 47.55 грн
2000+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU1506FP-M3 VS-ETU1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.84 грн
10+ 73.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506FP-M3 VS-ETH1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.26 грн
50+ 73.43 грн
100+ 58.19 грн
500+ 46.29 грн
1000+ 37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506-M3 VS-ETX1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506-1-M3 VS-ETX1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006S-M3 VS-ETH3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.72 грн
50+ 92.09 грн
100+ 75.77 грн
500+ 60.17 грн
1000+ 51.05 грн
2000+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-15EWX06FNTR-M3 VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.56 грн
6000+ 30.78 грн
10000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETU3006S-M3 VS-ETU3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.43 грн
50+ 92.24 грн
100+ 75.89 грн
500+ 60.27 грн
1000+ 51.13 грн
2000+ 48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506S-M3 VS-ETL1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.82 грн
10+ 77.84 грн
100+ 60.51 грн
500+ 48.13 грн
1000+ 39.21 грн
2000+ 36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH1506S-M3 VS-ETH1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.66 грн
10+ 80.16 грн
100+ 62.34 грн
500+ 49.59 грн
1000+ 40.4 грн
2000+ 38.03 грн
5000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-5EWH06FNTR-M3 VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 46206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 45.87 грн
100+ 31.79 грн
500+ 24.93 грн
1000+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-15EWH06FNTR-M3 VS-15EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWH06FNTR-M3 VS-15EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.75 грн
10+ 64.62 грн
100+ 50.22 грн
500+ 39.95 грн
1000+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWL06FNTR-M3 VS-15EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.04 грн
10+ 63.94 грн
100+ 49.71 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWX06FNTR-M3 VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 29991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.04 грн
10+ 63.94 грн
100+ 49.71 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-8EWL06FNTR-M3 VS-8EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.25 грн
10+ 53.33 грн
100+ 41.49 грн
500+ 33 грн
1000+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-8EWX06FNTR-M3 VS-8EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.09 грн
10+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-8EWX06FNTR-M3 VS-8EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
товар відсутній
VS-8EWL06FNTR-M3 VS-8EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWL06FNTR-M3 VS-15EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.56 грн
6000+ 30.78 грн
10000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-8ETX06SPBF VS-8ETX06SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06SPbF_VS-8ETX06-1PbF.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
V40170C-M3/4W V40170C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40170c-m3.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb60170g.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.04 грн
1600+ 76.83 грн
2400+ 72.99 грн
5600+ 65.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb60170g.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.77 грн
10+ 134.45 грн
100+ 107.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
V40170PW-M3/4W V40170PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40170PW-M3.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO3PW
товар відсутній
VS-15EWX06FN-M3 VS-15EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.04 грн
75+ 62.73 грн
150+ 49.71 грн
525+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWX06FN-M3 VS-6EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
товар відсутній
VS-5EWX06FN-M3 VS-5EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
75+ 43.8 грн
150+ 31.79 грн
525+ 24.93 грн
1050+ 21.22 грн
2025+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
1.5KE51CA-E3/73 1.5KE51CA-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
SBYV28-100-E3/73 SBYV28-100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sbyv28.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF5406-E3/73 UF5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division uf5400.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.87 грн
10+ 47.71 грн
100+ 33.04 грн
500+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N5398-E3/54 1N5398-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 21620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.46 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
2000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N6376-E3/54 1N6376-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ICTE5.0%20-%2018C,%201N6373%20-%2086.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 16.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 70A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
1.5KE68CAHE3_A/C 1.5KE68CAHE3_A/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.09 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.44 грн
500+ 34.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
1.5KE75CAHE3_A/C 1.5KE75CAHE3_A/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 104VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 104V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
1.5SMC15A-E3/9AT 1.5SMC15A-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 70.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 35.12 грн
100+ 26.24 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
1.5SMC36CA-E3/9AT 1.5SMC36CA-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.97 грн
10+ 30.87 грн
100+ 21.35 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYVB32-50-E3/81 BYVB32-50-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.5 грн
10+ 83.93 грн
100+ 66.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
ES1B-E3/5AT ES1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 25966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
16+ 17.73 грн
100+ 8.96 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.8 грн
2000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
GF1M-E3/5CA GF1M-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.91 грн
500+ 16.05 грн
1000+ 13.05 грн
2000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
GL34J-E3/83 GL34J-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
13+ 21.77 грн
100+ 15.14 грн
500+ 11.09 грн
1000+ 9.02 грн
2000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL41A-E3/97 GL41A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 20348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
13+ 21.43 грн
100+ 12.85 грн
500+ 11.17 грн
1000+ 7.59 грн
2000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
MB3045S-E3/8W MB3045S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M30x5S,MB30x5S,MI30x5S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товар відсутній
MBRB2545CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr25xxct.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товар відсутній
MBRB30H60CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr30h100ct.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 60 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.42 грн
10+ 130.96 грн
100+ 105.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
MBRB745-E3/81 MBRB745-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr7xx.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.36 грн
10+ 59.49 грн
100+ 46.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
NSB8JT-E3/81 NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.96 грн
10+ 54.15 грн
100+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH1506-M3 vs-eth1506-m3.pdf
VS-ETH1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX0806FP-M3 vs-etx0806fpm3.pdf
VS-ETX0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.64 грн
50+ 57.92 грн
100+ 45.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETL0806FP-M3 vs-etl0806fpm3.pdf
VS-ETL0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH0806FP-M3 vs-eth0806fp-m3.pdf
VS-ETH0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.64 грн
10+ 58.8 грн
100+ 45.74 грн
500+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETX0806-M3 vs-etx0806-m3.pdf
VS-ETX0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.96 грн
50+ 53.45 грн
100+ 42.36 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETL0806-M3 vs-etl0806-m3.pdf
VS-ETL0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.67 грн
50+ 53.96 грн
100+ 42.76 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 27.71 грн
2000+ 26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH0806-M3 vs-eth0806m3.pdf
VS-ETH0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.96 грн
10+ 54.29 грн
100+ 42.22 грн
500+ 33.58 грн
1000+ 27.35 грн
2000+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETU3006-1-M3 vs-etu3006s-m3.pdf
VS-ETU3006-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-EPH3006-N3 vs-aph3006n3.pdf
VS-EPH3006-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.33 грн
25+ 290.01 грн
100+ 248.6 грн
VS-5EWH06FNTR-M3 vs-5ewh06fn-m3.pdf
VS-5EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+20.91 грн
6000+ 19.07 грн
10000+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETH3006-1-M3 vs-eth3006s-m3.pdf
VS-ETH3006-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU3006FP-M3 vs-etu3006fpm3.pdf
VS-ETU3006FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.9 грн
50+ 85.78 грн
100+ 70.58 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 47.55 грн
2000+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU1506FP-M3 vs-etu1506fpm3.pdf
VS-ETU1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.84 грн
10+ 73.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506FP-M3 vs-eth1506fpm3.pdf
VS-ETH1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.26 грн
50+ 73.43 грн
100+ 58.19 грн
500+ 46.29 грн
1000+ 37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506-M3 vs-etx1506-m3.pdf
VS-ETX1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506-1-M3 vs-etx1506s-m3.pdf
VS-ETX1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006S-M3 vs-eth3006s-m3.pdf
VS-ETH3006S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.72 грн
50+ 92.09 грн
100+ 75.77 грн
500+ 60.17 грн
1000+ 51.05 грн
2000+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-15EWX06FNTR-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.56 грн
6000+ 30.78 грн
10000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETU3006S-M3 vs-etu3006s-m3.pdf
VS-ETU3006S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.43 грн
50+ 92.24 грн
100+ 75.89 грн
500+ 60.27 грн
1000+ 51.13 грн
2000+ 48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506S-M3 vs-etx1506s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506S-M3 vs-etl1506s-m3.pdf
VS-ETL1506S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.82 грн
10+ 77.84 грн
100+ 60.51 грн
500+ 48.13 грн
1000+ 39.21 грн
2000+ 36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH1506S-M3 vs-eth1506s-m3.pdf
VS-ETH1506S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.66 грн
10+ 80.16 грн
100+ 62.34 грн
500+ 49.59 грн
1000+ 40.4 грн
2000+ 38.03 грн
5000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-5EWH06FNTR-M3 vs-5ewh06fn-m3.pdf
VS-5EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 46206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 45.87 грн
100+ 31.79 грн
500+ 24.93 грн
1000+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-15EWH06FNTR-M3 vs-15ewh06fn-m3.pdf
VS-15EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWH06FNTR-M3 vs-15ewh06fn-m3.pdf
VS-15EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.75 грн
10+ 64.62 грн
100+ 50.22 грн
500+ 39.95 грн
1000+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWL06FNTR-M3 vs-15ewl06fn-m3.pdf
VS-15EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.04 грн
10+ 63.94 грн
100+ 49.71 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWX06FNTR-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 29991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.04 грн
10+ 63.94 грн
100+ 49.71 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-8EWL06FNTR-M3 vs-8ewl06fn-m3.pdf
VS-8EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.25 грн
10+ 53.33 грн
100+ 41.49 грн
500+ 33 грн
1000+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-8EWX06FNTR-M3 vs-8ewx06fn-m3.pdf
VS-8EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.09 грн
10+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 vs-6ewh06fn-m3.pdf
VS-6EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-8EWX06FNTR-M3 vs-8ewx06fn-m3.pdf
VS-8EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
товар відсутній
VS-8EWL06FNTR-M3 vs-8ewl06fn-m3.pdf
VS-8EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWL06FNTR-M3 vs-15ewl06fn-m3.pdf
VS-15EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.56 грн
6000+ 30.78 грн
10000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-8ETX06SPBF VS-8ETX06SPbF_VS-8ETX06-1PbF.pdf
VS-8ETX06SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
V40170C-M3/4W v40170c-m3.pdf
V40170C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VB60170G-E3/8W vb60170g.pdf
VB60170G-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+94.04 грн
1600+ 76.83 грн
2400+ 72.99 грн
5600+ 65.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
VB60170G-E3/8W vb60170g.pdf
VB60170G-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.77 грн
10+ 134.45 грн
100+ 107.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
V40170PW-M3/4W V40170PW-M3.pdf
V40170PW-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO3PW
товар відсутній
VS-15EWX06FN-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FN-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.04 грн
75+ 62.73 грн
150+ 49.71 грн
525+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWX06FN-M3 vs-6ewx06fn-m3.pdf
VS-6EWX06FN-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
товар відсутній
VS-5EWX06FN-M3 vs-5ewx06fn-m3.pdf
VS-5EWX06FN-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
75+ 43.8 грн
150+ 31.79 грн
525+ 24.93 грн
1050+ 21.22 грн
2025+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
1.5KE51CA-E3/73 15ke.pdf
1.5KE51CA-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
SBYV28-100-E3/73 sbyv28.pdf
SBYV28-100-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF5406-E3/73 uf5400.pdf
UF5406-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+56.87 грн
10+ 47.71 грн
100+ 33.04 грн
500+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N5398-E3/54 1n5391.pdf
1N5398-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 21620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.46 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
2000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N6376-E3/54 ICTE5.0%20-%2018C,%201N6373%20-%2086.pdf
1N6376-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12VWM 16.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 70A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
1.5KE68CAHE3_A/C 15ke.pdf
1.5KE68CAHE3_A/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.09 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.44 грн
500+ 34.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
1.5KE75CAHE3_A/C 15ke.pdf
1.5KE75CAHE3_A/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 64.1VWM 104VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 104V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
1.5SMC15A-E3/9AT 15smc.pdf
1.5SMC15A-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 70.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.65 грн
10+ 35.12 грн
100+ 26.24 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
1.5SMC36CA-E3/9AT 15smc.pdf
1.5SMC36CA-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.97 грн
10+ 30.87 грн
100+ 21.35 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYVB32-50-E3/81 byv32.pdf
BYVB32-50-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.5 грн
10+ 83.93 грн
100+ 66.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
ES1B-E3/5AT es1.pdf
ES1B-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 25966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
16+ 17.73 грн
100+ 8.96 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.8 грн
2000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
GF1M-E3/5CA gf1x.pdf
GF1M-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.39 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.91 грн
500+ 16.05 грн
1000+ 13.05 грн
2000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
GL34J-E3/83 gl34a.pdf
GL34J-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
13+ 21.77 грн
100+ 15.14 грн
500+ 11.09 грн
1000+ 9.02 грн
2000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL41A-E3/97 bym10-xxx.pdf
GL41A-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 20348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.44 грн
13+ 21.43 грн
100+ 12.85 грн
500+ 11.17 грн
1000+ 7.59 грн
2000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
MB3045S-E3/8W M30x5S,MB30x5S,MI30x5S.pdf
MB3045S-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товар відсутній
MBRB2545CT-E3/81 mbr25xxct.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товар відсутній
MBRB30H60CT-E3/81 mbr30h100ct.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 60 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.42 грн
10+ 130.96 грн
100+ 105.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
MBRB745-E3/81 mbr7xx.pdf
MBRB745-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.36 грн
10+ 59.49 грн
100+ 46.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
NSB8JT-E3/81 ns8xt.pdf
NSB8JT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.96 грн
10+ 54.15 грн
100+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 60 120 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 240 300 360 420 480 540 600 605  [ Наступна Сторінка >> ]