Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40579) > Сторінка 174 з 677

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 201 268 335 402 469 536 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EGL34D-E3/98 EGL34D-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.95 грн
14+22.81 грн
100+14.82 грн
500+12.52 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/98 EGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.67 грн
19+17.70 грн
100+15.87 грн
500+12.28 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41B-E3/96 EGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
12+28.63 грн
100+17.18 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41D-E3/96 EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
14+24.32 грн
100+16.19 грн
500+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41G-E3/96 EGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.92 грн
14+23.36 грн
100+19.24 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A-E3/61T ES1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.70 грн
26+12.28 грн
100+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B-E3/61T ES1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf description Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 97836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.05 грн
32+10.29 грн
100+9.50 грн
500+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-E3/52T ES2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.29 грн
13+26.39 грн
100+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A-E3/67A GF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
15+21.69 грн
100+20.20 грн
500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/67A GF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
13+25.76 грн
100+21.27 грн
500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G-E3/67A GF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 18387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.67 грн
18+18.66 грн
100+17.37 грн
500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J-E3/67A GF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
13+25.68 грн
100+22.10 грн
500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.17 грн
10+32.69 грн
100+25.80 грн
500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GL34G-E3/98 GL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.75 грн
13+25.36 грн
100+18.95 грн
500+13.70 грн
1000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL34J-E3/98 GL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
19+16.90 грн
100+13.41 грн
500+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/96 GL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 15333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.57 грн
20+16.43 грн
100+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41J-E3/96 GL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.67 грн
15+21.45 грн
100+14.90 грн
500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/96 GL41M-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.06 грн
13+26.23 грн
100+22.18 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GL41Y-E3/96 GL41Y-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 1600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 22884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
18+18.42 грн
100+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GP02-30-E3/73 GP02-30-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp0220.pdf Description: DIODE STD 3000V 250MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3000 V
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.78 грн
14+23.68 грн
100+22.61 грн
500+17.39 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MURS140-E3/52T MURS140-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
14+24.24 грн
100+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160-E3/5BT MURS160-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
22+14.91 грн
100+8.99 грн
500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P600G-E3/54 P600G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 11048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.73 грн
10+54.14 грн
100+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/54 P600J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE P600 600V 6A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.37 грн
10+36.92 грн
100+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/73 P600J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.31 грн
10+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P600M-E3/54 P600M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.17 грн
10+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1D-E3/67A RGF1D-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 25665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.54 грн
11+31.50 грн
100+21.11 грн
500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1G-E3/67A RGF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.47 грн
17+18.90 грн
100+18.80 грн
500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1J-E3/67A RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
15+22.41 грн
100+20.67 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGL34J-E3/98 RGL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgl34a.pdf Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
13+26.07 грн
100+19.28 грн
500+13.75 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41D-E3/96 RGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.78 грн
15+22.41 грн
100+13.96 грн
500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41J-E3/96 RGL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
17+19.54 грн
100+17.00 грн
500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41M-E3/96 RGL41M-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.95 грн
15+21.69 грн
100+14.66 грн
500+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-16E-E3/73 RGP02-16E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp02.pdf Description: DIODE STD 1600V 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
12+28.31 грн
100+26.63 грн
500+19.22 грн
1000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RGP30M-E3/54 RGP30M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp30a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+70.41 грн
100+55.78 грн
500+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1A-E3/61T RS1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 17643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.56 грн
34+9.65 грн
100+8.93 грн
500+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RS1B-E3/61T RS1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 21131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
35+9.33 грн
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61T RS1G-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
23+14.19 грн
100+8.51 грн
500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RS3K-E3/57T RS3K-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.86 грн
10+40.35 грн
100+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S1A-E3/61T S1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 108131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.73 грн
33+9.89 грн
100+5.44 грн
500+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
S1B-E3/61T S1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 19613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.73 грн
32+9.97 грн
100+5.52 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
S1G-E3/5AT S1G-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
на замовлення 78180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
14+23.28 грн
100+12.34 грн
500+7.62 грн
1000+5.18 грн
2000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-E3/5AT S1M-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.08 грн
41+7.81 грн
100+6.09 грн
500+4.71 грн
1000+4.19 грн
2000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
S2A-E3/52T S2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2x.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1.5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.05 грн
27+12.12 грн
100+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
S3A-E3/57T S3A-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.43 грн
14+23.20 грн
100+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S3K-E3/57T S3K-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SA2D-E3/61T SA2D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa2b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
15+22.17 грн
100+12.53 грн
500+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SA2M-E3/61T SA2M-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa2b.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.39 грн
32+10.05 грн
100+7.15 грн
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SB140-E3/54 SB140-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb110.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 25092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
17+18.98 грн
100+12.38 грн
500+8.67 грн
1000+6.86 грн
2000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SB150-E3/54 SB150-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb110.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 23409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.50 грн
24+13.56 грн
100+11.59 грн
500+9.08 грн
1000+7.37 грн
2000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SB160-E3/54 SB160-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb110.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 11287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.56 грн
29+11.16 грн
100+9.34 грн
500+7.14 грн
1000+6.45 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-E3/54 SB360-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb320.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 8105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
14+23.60 грн
100+21.94 грн
500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SGL41-30-E3/96 SGL41-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.37 грн
10+33.33 грн
100+30.13 грн
500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SGL41-40-E3/96 SGL41-40-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.06 грн
12+27.99 грн
100+27.08 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T SL12-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
13+25.44 грн
100+12.83 грн
500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS13-E3/61T SS13-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.76 грн
52+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SS15-E3/61T SS15-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
на замовлення 85731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.22 грн
31+10.45 грн
100+10.34 грн
500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SS23-E3/52T SS23-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
13+25.20 грн
100+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS25-E3/52T SS25-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 50 V
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
12+28.39 грн
100+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS33-E3/57T SS33-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss32.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
20+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/98 egl34.pdf
EGL34D-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.95 грн
14+22.81 грн
100+14.82 грн
500+12.52 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/98 egl34.pdf
EGL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.67 грн
19+17.70 грн
100+15.87 грн
500+12.28 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41B-E3/96 egl41.pdf
EGL41B-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
12+28.63 грн
100+17.18 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41D-E3/96 egl41.pdf
EGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
14+24.32 грн
100+16.19 грн
500+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41G-E3/96 egl41.pdf
EGL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.92 грн
14+23.36 грн
100+19.24 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A-E3/61T es1.pdf
ES1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
26+12.28 грн
100+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B-E3/61T description es1.pdf
ES1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 97836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
32+10.29 грн
100+9.50 грн
500+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-E3/52T es2.pdf
ES2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.29 грн
13+26.39 грн
100+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A-E3/67A gf1x.pdf
GF1A-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
15+21.69 грн
100+20.20 грн
500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/67A gf1x.pdf
GF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.71 грн
13+25.76 грн
100+21.27 грн
500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G-E3/67A gf1x.pdf
GF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 18387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.67 грн
18+18.66 грн
100+17.37 грн
500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J-E3/67A gf1x.pdf
GF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
13+25.68 грн
100+22.10 грн
500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.17 грн
10+32.69 грн
100+25.80 грн
500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GL34G-E3/98 gl34a.pdf
GL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.75 грн
13+25.36 грн
100+18.95 грн
500+13.70 грн
1000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL34J-E3/98 gl34a.pdf
GL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
19+16.90 грн
100+13.41 грн
500+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 15333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.57 грн
20+16.43 грн
100+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41J-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.67 грн
15+21.45 грн
100+14.90 грн
500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.06 грн
13+26.23 грн
100+22.18 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GL41Y-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41Y-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 22884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
18+18.42 грн
100+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GP02-30-E3/73 gp0220.pdf
GP02-30-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 3000V 250MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3000 V
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.78 грн
14+23.68 грн
100+22.61 грн
500+17.39 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MURS140-E3/52T murs140.pdf
MURS140-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
14+24.24 грн
100+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160-E3/5BT murs140.pdf
MURS160-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
22+14.91 грн
100+8.99 грн
500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P600G-E3/54 p600a.pdf
P600G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 11048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.73 грн
10+54.14 грн
100+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/54 p600a.pdf
P600J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE P600 600V 6A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.37 грн
10+36.92 грн
100+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/73 p600a.pdf
P600J-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.31 грн
10+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P600M-E3/54 p600a.pdf
P600M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.17 грн
10+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1D-E3/67A rgf1.pdf
RGF1D-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 25665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.54 грн
11+31.50 грн
100+21.11 грн
500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1G-E3/67A rgf1.pdf
RGF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.47 грн
17+18.90 грн
100+18.80 грн
500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1J-E3/67A rgf1.pdf
RGF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
15+22.41 грн
100+20.67 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGL34J-E3/98 rgl34a.pdf
RGL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
13+26.07 грн
100+19.28 грн
500+13.75 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41D-E3/96 bym1150.pdf
RGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.78 грн
15+22.41 грн
100+13.96 грн
500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41J-E3/96 bym1150.pdf
RGL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
17+19.54 грн
100+17.00 грн
500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41M-E3/96 bym1150.pdf
RGL41M-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.95 грн
15+21.69 грн
100+14.66 грн
500+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-16E-E3/73 rgp02.pdf
RGP02-16E-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1600V 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.71 грн
12+28.31 грн
100+26.63 грн
500+19.22 грн
1000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RGP30M-E3/54 rgp30a.pdf
RGP30M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.10 грн
10+70.41 грн
100+55.78 грн
500+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS1A-E3/61T rs1a.pdf
RS1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 17643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.56 грн
34+9.65 грн
100+8.93 грн
500+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RS1B-E3/61T rs1a.pdf
RS1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 21131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
35+9.33 грн
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61T rs1a.pdf
RS1G-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
23+14.19 грн
100+8.51 грн
500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RS3K-E3/57T rs3a.pdf
RS3K-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.86 грн
10+40.35 грн
100+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S1A-E3/61T s1.pdf
S1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 108131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.73 грн
33+9.89 грн
100+5.44 грн
500+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
S1B-E3/61T s1.pdf
S1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 19613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.73 грн
32+9.97 грн
100+5.52 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
S1G-E3/5AT s1.pdf
S1G-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
на замовлення 78180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
14+23.28 грн
100+12.34 грн
500+7.62 грн
1000+5.18 грн
2000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-E3/5AT s1.pdf
S1M-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.08 грн
41+7.81 грн
100+6.09 грн
500+4.71 грн
1000+4.19 грн
2000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
S2A-E3/52T S2x.pdf
S2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1.5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
27+12.12 грн
100+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
S3A-E3/57T s3a.pdf
S3A-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.43 грн
14+23.20 грн
100+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S3K-E3/57T s3a.pdf
S3K-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SA2D-E3/61T sa2b.pdf
SA2D-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.64 грн
15+22.17 грн
100+12.53 грн
500+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SA2M-E3/61T sa2b.pdf
SA2M-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.39 грн
32+10.05 грн
100+7.15 грн
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SB140-E3/54 sb110.pdf
SB140-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 25092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
17+18.98 грн
100+12.38 грн
500+8.67 грн
1000+6.86 грн
2000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SB150-E3/54 sb110.pdf
SB150-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 23409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.50 грн
24+13.56 грн
100+11.59 грн
500+9.08 грн
1000+7.37 грн
2000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SB160-E3/54 sb110.pdf
SB160-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 11287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.56 грн
29+11.16 грн
100+9.34 грн
500+7.14 грн
1000+6.45 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-E3/54 sb320.pdf
SB360-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 8105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
14+23.60 грн
100+21.94 грн
500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SGL41-30-E3/96 irl620.pdf
SGL41-30-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.37 грн
10+33.33 грн
100+30.13 грн
500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SGL41-40-E3/96 bym13.pdf
SGL41-40-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.06 грн
12+27.99 грн
100+27.08 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
SL12-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
13+25.44 грн
100+12.83 грн
500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS13-E3/61T ss12.pdf
SS13-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.76 грн
52+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SS15-E3/61T ss12.pdf
SS15-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
на замовлення 85731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.22 грн
31+10.45 грн
100+10.34 грн
500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SS23-E3/52T ss22.pdf
SS23-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
13+25.20 грн
100+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS25-E3/52T ss22.pdf
SS25-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 50 V
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
12+28.39 грн
100+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS33-E3/57T ss32.pdf
SS33-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
20+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 201 268 335 402 469 536 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]