Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (35966) > Сторінка 178 з 600

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 60 120 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 240 300 360 420 480 540 600  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UH4PDC-M3/86A UH4PDC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC%2CPCC%2CPDC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
VB10170C-E3/8W VB10170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb10170c.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
товар відсутній
VB40170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb40170c.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 170 V
товар відсутній
VS-ETH1506-1-M3 VS-ETH1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006-M3 VS-ETH3006-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.6 грн
50+ 85.3 грн
100+ 70.18 грн
500+ 55.73 грн
1000+ 47.28 грн
2000+ 44.92 грн
5000+ 42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETL1506-1-M3 VS-ETL1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506FP-M3 VS-ETX1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+ 74.14 грн
100+ 57.66 грн
500+ 45.87 грн
1000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETU1506-1-M3 VS-ETU1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506sm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506FP-M3 VS-ETL1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+ 74.14 грн
100+ 57.66 грн
500+ 45.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.08 грн
10+ 47.96 грн
100+ 33.21 грн
500+ 26.04 грн
1000+ 22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH3006FP-M3 VS-ETH3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.6 грн
50+ 85.3 грн
100+ 70.18 грн
1000+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU3006-M3 VS-ETU3006-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8S2TH06I-M VS-8S2TH06I-M Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506-M3 VS-ETL1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 15187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.9 грн
10+ 70.56 грн
100+ 54.84 грн
500+ 43.63 грн
1000+ 35.54 грн
2000+ 33.46 грн
5000+ 31.34 грн
10000+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506-M3 VS-ETH1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX0806FP-M3 VS-ETX0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx0806fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.92 грн
50+ 58.13 грн
100+ 46.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETL0806FP-M3 VS-ETL0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl0806fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH0806FP-M3 VS-ETH0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth0806fp-m3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.92 грн
10+ 59.02 грн
100+ 45.9 грн
500+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETX0806-M3 VS-ETX0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx0806-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.21 грн
50+ 53.65 грн
100+ 42.52 грн
500+ 33.82 грн
1000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETL0806-M3 VS-ETL0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl0806-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.92 грн
50+ 54.16 грн
100+ 42.92 грн
500+ 34.14 грн
1000+ 27.81 грн
2000+ 26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH0806-M3 VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth0806m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.21 грн
10+ 54.49 грн
100+ 42.37 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 27.46 грн
2000+ 25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETU3006-1-M3 VS-ETU3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-EPH3006-N3 VS-EPH3006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-aph3006n3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.73 грн
25+ 291.08 грн
100+ 249.52 грн
VS-5EWH06FNTR-M3 VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.99 грн
6000+ 19.14 грн
10000+ 17.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETH3006-1-M3 VS-ETH3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU3006FP-M3 VS-ETU3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.31 грн
50+ 86.09 грн
100+ 70.84 грн
500+ 56.25 грн
1000+ 47.73 грн
2000+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU1506FP-M3 VS-ETU1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+ 74.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506FP-M3 VS-ETH1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.61 грн
50+ 73.7 грн
100+ 58.4 грн
500+ 46.46 грн
1000+ 37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506-M3 VS-ETX1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506-1-M3 VS-ETX1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.73 грн
50+ 91.49 грн
100+ 75.27 грн
500+ 59.78 грн
1000+ 50.72 грн
2000+ 48.18 грн
5000+ 45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-15EWX06FNTR-M3 VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.68 грн
6000+ 30.89 грн
10000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETU3006S-M3 VS-ETU3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.87 грн
50+ 92.58 грн
100+ 76.17 грн
500+ 60.49 грн
1000+ 51.32 грн
2000+ 48.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506S-M3 VS-ETL1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.18 грн
10+ 78.12 грн
100+ 60.73 грн
500+ 48.31 грн
1000+ 39.35 грн
2000+ 37.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH1506S-M3 VS-ETH1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.03 грн
10+ 80.46 грн
100+ 62.57 грн
500+ 49.78 грн
1000+ 40.55 грн
2000+ 38.17 грн
5000+ 35.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-5EWH06FNTR-M3 VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 50206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+ 46.04 грн
100+ 31.91 грн
500+ 25.02 грн
1000+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-15EWH06FNTR-M3 VS-15EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWH06FNTR-M3 VS-15EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.05 грн
10+ 64.86 грн
100+ 50.41 грн
500+ 40.1 грн
1000+ 32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWL06FNTR-M3 VS-15EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
10+ 64.17 грн
100+ 49.9 грн
500+ 39.69 грн
1000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWX06FNTR-M3 VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 29991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
10+ 64.17 грн
100+ 49.9 грн
500+ 39.69 грн
1000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-8EWL06FNTR-M3 VS-8EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.5 грн
10+ 53.52 грн
100+ 41.64 грн
500+ 33.13 грн
1000+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-8EWX06FNTR-M3 VS-8EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.35 грн
10+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8EWX06FNTR-M3 VS-8EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
товар відсутній
VS-8EWL06FNTR-M3 VS-8EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWL06FNTR-M3 VS-15EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.68 грн
6000+ 30.89 грн
10000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-8ETX06SPBF VS-8ETX06SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06SPbF_VS-8ETX06-1PbF.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
V40170C-M3/4W V40170C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40170c-m3.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb60170g.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.38 грн
1600+ 77.12 грн
2400+ 73.26 грн
5600+ 66.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb60170g.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.39 грн
10+ 134.94 грн
100+ 107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
V40170PW-M3/4W V40170PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40170PW-M3.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO3PW
товар відсутній
VS-15EWX06FN-M3 VS-15EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
75+ 62.97 грн
150+ 49.9 грн
525+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWX06FN-M3 VS-6EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
товар відсутній
VS-5EWX06FN-M3 VS-5EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
1.5KE51CA-E3/73 1.5KE51CA-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
SBYV28-100-E3/73 SBYV28-100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sbyv28.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF5406-E3/73 UF5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division uf5400.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.08 грн
10+ 47.89 грн
100+ 33.17 грн
500+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N5398-E3/54 1N5398-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 21620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.55 грн
18+ 15.73 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N6376-E3/54 1N6376-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ICTE5.0%20-%2018C,%201N6373%20-%2086.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 16.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 70A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
UH4PDC-M3/86A UH4PBC%2CPCC%2CPDC.pdf
UH4PDC-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
VB10170C-E3/8W vb10170c.pdf
VB10170C-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
товар відсутній
VB40170C-E3/8W vb40170c.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 170 V
товар відсутній
VS-ETH1506-1-M3 vs-eth1506s-m3.pdf
VS-ETH1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006-M3 vs-eth3006-m3.pdf
VS-ETH3006-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
50+ 85.3 грн
100+ 70.18 грн
500+ 55.73 грн
1000+ 47.28 грн
2000+ 44.92 грн
5000+ 42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETL1506-1-M3 vs-etl1506s-m3.pdf
VS-ETL1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506FP-M3 vs-etx1506fpm3.pdf
VS-ETX1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.18 грн
10+ 74.14 грн
100+ 57.66 грн
500+ 45.87 грн
1000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETU1506-1-M3 vs-etu1506sm3.pdf
VS-ETU1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506FP-M3 vs-etl1506fpm3.pdf
VS-ETL1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.18 грн
10+ 74.14 грн
100+ 57.66 грн
500+ 45.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 vs-6ewh06fn-m3.pdf
VS-6EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.08 грн
10+ 47.96 грн
100+ 33.21 грн
500+ 26.04 грн
1000+ 22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH3006FP-M3 vs-eth3006fpm3.pdf
VS-ETH3006FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
50+ 85.3 грн
100+ 70.18 грн
1000+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU3006-M3 vs-etu3006-m3.pdf
VS-ETU3006-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8S2TH06I-M
VS-8S2TH06I-M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506-M3 vs-etl1506-m3.pdf
VS-ETL1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 15187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.9 грн
10+ 70.56 грн
100+ 54.84 грн
500+ 43.63 грн
1000+ 35.54 грн
2000+ 33.46 грн
5000+ 31.34 грн
10000+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506-M3 vs-eth1506-m3.pdf
VS-ETH1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX0806FP-M3 vs-etx0806fpm3.pdf
VS-ETX0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.92 грн
50+ 58.13 грн
100+ 46.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETL0806FP-M3 vs-etl0806fpm3.pdf
VS-ETL0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH0806FP-M3 vs-eth0806fp-m3.pdf
VS-ETH0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.92 грн
10+ 59.02 грн
100+ 45.9 грн
500+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETX0806-M3 vs-etx0806-m3.pdf
VS-ETX0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.21 грн
50+ 53.65 грн
100+ 42.52 грн
500+ 33.82 грн
1000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETL0806-M3 vs-etl0806-m3.pdf
VS-ETL0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.92 грн
50+ 54.16 грн
100+ 42.92 грн
500+ 34.14 грн
1000+ 27.81 грн
2000+ 26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH0806-M3 vs-eth0806m3.pdf
VS-ETH0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.21 грн
10+ 54.49 грн
100+ 42.37 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 27.46 грн
2000+ 25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETU3006-1-M3 vs-etu3006s-m3.pdf
VS-ETU3006-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-EPH3006-N3 vs-aph3006n3.pdf
VS-EPH3006-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.73 грн
25+ 291.08 грн
100+ 249.52 грн
VS-5EWH06FNTR-M3 vs-5ewh06fn-m3.pdf
VS-5EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+20.99 грн
6000+ 19.14 грн
10000+ 17.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETH3006-1-M3 vs-eth3006s-m3.pdf
VS-ETH3006-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU3006FP-M3 vs-etu3006fpm3.pdf
VS-ETU3006FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.31 грн
50+ 86.09 грн
100+ 70.84 грн
500+ 56.25 грн
1000+ 47.73 грн
2000+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU1506FP-M3 vs-etu1506fpm3.pdf
VS-ETU1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.18 грн
10+ 74.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506FP-M3 vs-eth1506fpm3.pdf
VS-ETH1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.61 грн
50+ 73.7 грн
100+ 58.4 грн
500+ 46.46 грн
1000+ 37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506-M3 vs-etx1506-m3.pdf
VS-ETX1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506-1-M3 vs-etx1506s-m3.pdf
VS-ETX1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006S-M3 vs-eth3006s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.73 грн
50+ 91.49 грн
100+ 75.27 грн
500+ 59.78 грн
1000+ 50.72 грн
2000+ 48.18 грн
5000+ 45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-15EWX06FNTR-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.68 грн
6000+ 30.89 грн
10000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETU3006S-M3 vs-etu3006s-m3.pdf
VS-ETU3006S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.87 грн
50+ 92.58 грн
100+ 76.17 грн
500+ 60.49 грн
1000+ 51.32 грн
2000+ 48.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506S-M3 vs-etx1506s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506S-M3 vs-etl1506s-m3.pdf
VS-ETL1506S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.18 грн
10+ 78.12 грн
100+ 60.73 грн
500+ 48.31 грн
1000+ 39.35 грн
2000+ 37.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH1506S-M3 vs-eth1506s-m3.pdf
VS-ETH1506S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.03 грн
10+ 80.46 грн
100+ 62.57 грн
500+ 49.78 грн
1000+ 40.55 грн
2000+ 38.17 грн
5000+ 35.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-5EWH06FNTR-M3 vs-5ewh06fn-m3.pdf
VS-5EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 50206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.65 грн
10+ 46.04 грн
100+ 31.91 грн
500+ 25.02 грн
1000+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-15EWH06FNTR-M3 vs-15ewh06fn-m3.pdf
VS-15EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWH06FNTR-M3 vs-15ewh06fn-m3.pdf
VS-15EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.05 грн
10+ 64.86 грн
100+ 50.41 грн
500+ 40.1 грн
1000+ 32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWL06FNTR-M3 vs-15ewl06fn-m3.pdf
VS-15EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.34 грн
10+ 64.17 грн
100+ 49.9 грн
500+ 39.69 грн
1000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWX06FNTR-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 29991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.34 грн
10+ 64.17 грн
100+ 49.9 грн
500+ 39.69 грн
1000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-8EWL06FNTR-M3 vs-8ewl06fn-m3.pdf
VS-8EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.5 грн
10+ 53.52 грн
100+ 41.64 грн
500+ 33.13 грн
1000+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-8EWX06FNTR-M3 vs-8ewx06fn-m3.pdf
VS-8EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.35 грн
10+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 vs-6ewh06fn-m3.pdf
VS-6EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8EWX06FNTR-M3 vs-8ewx06fn-m3.pdf
VS-8EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
товар відсутній
VS-8EWL06FNTR-M3 vs-8ewl06fn-m3.pdf
VS-8EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWL06FNTR-M3 vs-15ewl06fn-m3.pdf
VS-15EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.68 грн
6000+ 30.89 грн
10000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-8ETX06SPBF VS-8ETX06SPbF_VS-8ETX06-1PbF.pdf
VS-8ETX06SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
V40170C-M3/4W v40170c-m3.pdf
V40170C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VB60170G-E3/8W vb60170g.pdf
VB60170G-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+94.38 грн
1600+ 77.12 грн
2400+ 73.26 грн
5600+ 66.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
VB60170G-E3/8W vb60170g.pdf
VB60170G-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.39 грн
10+ 134.94 грн
100+ 107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
V40170PW-M3/4W V40170PW-M3.pdf
V40170PW-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO3PW
товар відсутній
VS-15EWX06FN-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FN-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.34 грн
75+ 62.97 грн
150+ 49.9 грн
525+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWX06FN-M3 vs-6ewx06fn-m3.pdf
VS-6EWX06FN-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
товар відсутній
VS-5EWX06FN-M3 vs-5ewx06fn-m3.pdf
VS-5EWX06FN-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
1.5KE51CA-E3/73 15ke.pdf
1.5KE51CA-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
SBYV28-100-E3/73 sbyv28.pdf
SBYV28-100-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF5406-E3/73 uf5400.pdf
UF5406-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.08 грн
10+ 47.89 грн
100+ 33.17 грн
500+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N5398-E3/54 1n5391.pdf
1N5398-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 21620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.55 грн
18+ 15.73 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N6376-E3/54 ICTE5.0%20-%2018C,%201N6373%20-%2086.pdf
1N6376-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12VWM 16.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 70A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 60 120 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 240 300 360 420 480 540 600  Наступна Сторінка >> ]