Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41399) > Сторінка 175 з 690

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 207 276 345 414 483 552 621 690  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-27.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B140-E3/61T B140-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b120.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 87022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.22 грн
17+18.42 грн
100+11.64 грн
500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B240A-E3/61T B240A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b230la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.61 грн
27+11.49 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T B340A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b330la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 53005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.83 грн
12+26.59 грн
50+19.33 грн
100+15.92 грн
500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340LB-E3/52T B340LB-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b340lb.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.43 грн
10+35.07 грн
50+25.64 грн
100+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY255P-E3/54 BY255P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 18803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.46 грн
10+62.21 грн
100+41.21 грн
500+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.41 грн
23+13.95 грн
100+10.89 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.81 грн
21+14.95 грн
100+10.58 грн
500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 53024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.41 грн
29+10.79 грн
100+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10Y-E3/TR BYG10Y-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
на замовлення 18120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.82 грн
16+20.35 грн
100+18.50 грн
500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR BYG20D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 30603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.83 грн
10+31.84 грн
100+20.47 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR BYG20G-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.43 грн
10+32.84 грн
100+21.11 грн
500+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21K-E3/TR BYG21K-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.42 грн
16+19.73 грн
100+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-E3/TR BYG21M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf description Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 59146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.23 грн
12+25.82 грн
50+18.76 грн
100+15.45 грн
500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22B-E3/TR BYG22B-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 36956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
10+46.71 грн
100+30.54 грн
500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22D-E3/TR BYG22D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 72069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.25 грн
10+47.79 грн
100+31.25 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23m.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 211640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.23 грн
12+27.90 грн
100+17.84 грн
500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/96 BYM10-1000-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 95687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.83 грн
10+31.14 грн
50+22.69 грн
100+18.71 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/96 BYM11-1000-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.42 грн
17+18.96 грн
100+14.57 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/96 BYM13-40-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 8753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.86 грн
50+32.34 грн
100+26.83 грн
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45-E3/TR BYS10-45-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf description Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 20393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.42 грн
16+20.20 грн
100+12.80 грн
500+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26EGP-E3/54 BYV26EGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 18431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.87 грн
10+76.00 грн
50+56.95 грн
100+47.68 грн
500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF005S-E3/77 DF005S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.05 грн
10+52.88 грн
100+34.73 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04SA-E3/77 DF04SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.25 грн
10+47.79 грн
50+35.29 грн
100+29.32 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04S-E3/77 DF04S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.05 грн
10+53.11 грн
50+39.34 грн
100+32.76 грн
500+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF06SA-E3/77 DF06SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.25 грн
10+47.79 грн
50+35.29 грн
100+29.32 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S-E3/77 DF06S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 24633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.45 грн
10+54.42 грн
50+40.34 грн
100+33.59 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF08S-E3/77 DF08S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.65 грн
10+51.72 грн
100+33.95 грн
500+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10SA-E3/77 DF10SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 6616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.25 грн
10+47.79 грн
50+35.29 грн
100+29.32 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S-E3/77 DF10S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1T-E3/67A EGF1T-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.82 грн
13+25.44 грн
100+23.35 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/98 EGL34D-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.82 грн
14+22.05 грн
100+14.32 грн
500+12.10 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/98 EGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.81 грн
19+17.11 грн
100+15.34 грн
500+11.87 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41B-E3/96 EGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.82 грн
12+27.67 грн
100+16.61 грн
500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41D-E3/96 EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 110081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.64 грн
10+36.92 грн
50+27.04 грн
100+22.36 грн
500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41G-E3/96 EGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.59 грн
100+18.60 грн
500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A-E3/61T ES1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.42 грн
16+20.20 грн
100+12.78 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B-E3/61T ES1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf description Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.42 грн
16+20.20 грн
100+12.78 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-E3/52T ES2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.22 грн
13+25.51 грн
100+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A-E3/67A GF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.82 грн
15+20.97 грн
100+19.52 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/67A GF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.23 грн
13+24.90 грн
100+20.57 грн
500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G-E3/67A GF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 14692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J-E3/67A GF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.02 грн
13+24.82 грн
100+21.36 грн
500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.43 грн
10+31.60 грн
100+24.94 грн
500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL34G-E3/98 GL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.42 грн
13+24.51 грн
100+18.31 грн
500+13.25 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL34J-E3/98 GL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/96 GL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 66341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.86 грн
10+61.20 грн
50+45.56 грн
100+38.00 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41J-E3/96 GL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.81 грн
15+20.74 грн
100+14.41 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/96 GL41M-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 16956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.86 грн
10+61.20 грн
50+45.56 грн
100+38.00 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41Y-E3/96 GL41Y-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 1600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 37884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.02 грн
18+17.50 грн
100+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP02-30-E3/73 GP02-30-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp0220.pdf Description: DIODE STD 3000V 250MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3000 V
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.62 грн
14+22.89 грн
100+21.86 грн
500+16.81 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURS140-E3/52T MURS140-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.04 грн
10+35.92 грн
100+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160-E3/5BT MURS160-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.23 грн
11+30.29 грн
50+22.09 грн
100+18.24 грн
500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600G-E3/54 P600G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.51 грн
10+120.56 грн
100+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/54 P600J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE P600 600V 6A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.83 грн
10+35.69 грн
100+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/73 P600J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.43 грн
10+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600M-E3/54 P600M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 121049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.92 грн
10+127.42 грн
50+97.06 грн
100+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1D-E3/67A RGF1D-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 25665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.03 грн
11+30.45 грн
100+20.40 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1G-E3/67A RGF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1J-E3/67A RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.02 грн
15+21.66 грн
100+19.98 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5627GP-E3/54 1N5624-27.pdf
1N5627GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B140-E3/61T b120.pdf
B140-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 87022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+31.22 грн
17+18.42 грн
100+11.64 грн
500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B240A-E3/61T b230la.pdf
B240A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.61 грн
27+11.49 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T b330la.pdf
B340A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 53005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.83 грн
12+26.59 грн
50+19.33 грн
100+15.92 грн
500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340LB-E3/52T b340lb.pdf
B340LB-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.43 грн
10+35.07 грн
50+25.64 грн
100+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY255P-E3/54 by251p.pdf
BY255P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 18803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.46 грн
10+62.21 грн
100+41.21 грн
500+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR byg10.pdf
BYG10G-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.41 грн
23+13.95 грн
100+10.89 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10J-E3/TR byg10.pdf
BYG10J-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.81 грн
21+14.95 грн
100+10.58 грн
500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR byg10.pdf
BYG10M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 53024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.41 грн
29+10.79 грн
100+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10Y-E3/TR byg10.pdf
BYG10Y-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
на замовлення 18120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.82 грн
16+20.35 грн
100+18.50 грн
500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 30603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.83 грн
10+31.84 грн
100+20.47 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.43 грн
10+32.84 грн
100+21.11 грн
500+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21K-E3/TR byg21k.pdf
BYG21K-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.42 грн
16+19.73 грн
100+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-E3/TR description byg21k.pdf
BYG21M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 59146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.23 грн
12+25.82 грн
50+18.76 грн
100+15.45 грн
500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22B-E3/TR byg22a.pdf
BYG22B-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 36956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.65 грн
10+46.71 грн
100+30.54 грн
500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22D-E3/TR byg22a.pdf
BYG22D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 72069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+79.25 грн
10+47.79 грн
100+31.25 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23M-E3/TR byg23m.pdf
BYG23M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 211640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.23 грн
12+27.90 грн
100+17.84 грн
500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 95687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.83 грн
10+31.14 грн
50+22.69 грн
100+18.71 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/96 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.42 грн
17+18.96 грн
100+14.57 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/96 bym13.pdf
BYM13-40-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 8753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+43.86 грн
50+32.34 грн
100+26.83 грн
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45-E3/TR description bys10.pdf
BYS10-45-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 20393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.42 грн
16+20.20 грн
100+12.80 грн
500+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26EGP-E3/54 byv26dgp.pdf
BYV26EGP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 18431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.87 грн
10+76.00 грн
50+56.95 грн
100+47.68 грн
500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF005S-E3/77 dfs.pdf
DF005S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.05 грн
10+52.88 грн
100+34.73 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04SA-E3/77 dfsa.pdf
DF04SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+79.25 грн
10+47.79 грн
50+35.29 грн
100+29.32 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04S-E3/77 dfs.pdf
DF04S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.05 грн
10+53.11 грн
50+39.34 грн
100+32.76 грн
500+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF06SA-E3/77 dfsa.pdf
DF06SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+79.25 грн
10+47.79 грн
50+35.29 грн
100+29.32 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S-E3/77 dfs.pdf
DF06S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 24633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.45 грн
10+54.42 грн
50+40.34 грн
100+33.59 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF08S-E3/77 dfs.pdf
DF08S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.65 грн
10+51.72 грн
100+33.95 грн
500+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10SA-E3/77 dfsa.pdf
DF10SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 6616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+79.25 грн
10+47.79 грн
50+35.29 грн
100+29.32 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S-E3/77 dfs.pdf
DF10S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1T-E3/67A egf1t.pdf
EGF1T-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.82 грн
13+25.44 грн
100+23.35 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/98 egl34.pdf
EGL34D-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.82 грн
14+22.05 грн
100+14.32 грн
500+12.10 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/98 egl34.pdf
EGL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.81 грн
19+17.11 грн
100+15.34 грн
500+11.87 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41B-E3/96 egl41.pdf
EGL41B-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.82 грн
12+27.67 грн
100+16.61 грн
500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41D-E3/96 egl41.pdf
EGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 110081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.64 грн
10+36.92 грн
50+27.04 грн
100+22.36 грн
500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41G-E3/96 egl41.pdf
EGL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.62 грн
14+22.59 грн
100+18.60 грн
500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A-E3/61T es1.pdf
ES1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.42 грн
16+20.20 грн
100+12.78 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B-E3/61T description es1.pdf
ES1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.42 грн
16+20.20 грн
100+12.78 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-E3/52T es2.pdf
ES2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+31.22 грн
13+25.51 грн
100+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A-E3/67A gf1x.pdf
GF1A-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.82 грн
15+20.97 грн
100+19.52 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/67A gf1x.pdf
GF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.23 грн
13+24.90 грн
100+20.57 грн
500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G-E3/67A gf1x.pdf
GF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 14692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J-E3/67A gf1x.pdf
GF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.02 грн
13+24.82 грн
100+21.36 грн
500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.43 грн
10+31.60 грн
100+24.94 грн
500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL34G-E3/98 gl34a.pdf
GL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.42 грн
13+24.51 грн
100+18.31 грн
500+13.25 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL34J-E3/98 gl34a.pdf
GL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 66341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.86 грн
10+61.20 грн
50+45.56 грн
100+38.00 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41J-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.81 грн
15+20.74 грн
100+14.41 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 16956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.86 грн
10+61.20 грн
50+45.56 грн
100+38.00 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41Y-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41Y-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 37884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.02 грн
18+17.50 грн
100+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP02-30-E3/73 gp0220.pdf
GP02-30-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 3000V 250MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3000 V
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.62 грн
14+22.89 грн
100+21.86 грн
500+16.81 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURS140-E3/52T murs140.pdf
MURS140-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.04 грн
10+35.92 грн
100+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160-E3/5BT murs140.pdf
MURS160-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.23 грн
11+30.29 грн
50+22.09 грн
100+18.24 грн
500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600G-E3/54 p600a.pdf
P600G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.51 грн
10+120.56 грн
100+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/54 p600a.pdf
P600J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE P600 600V 6A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.83 грн
10+35.69 грн
100+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600J-E3/73 p600a.pdf
P600J-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.43 грн
10+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P600M-E3/54 p600a.pdf
P600M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 121049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.92 грн
10+127.42 грн
50+97.06 грн
100+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1D-E3/67A rgf1.pdf
RGF1D-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 25665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.03 грн
11+30.45 грн
100+20.40 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1G-E3/67A rgf1.pdf
RGF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1J-E3/67A rgf1.pdf
RGF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.02 грн
15+21.66 грн
100+19.98 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 207 276 345 414 483 552 621 690  [ Наступна Сторінка >> ]