Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41959) > Сторінка 566 з 700

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SB230-E3/54 SB230-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 SB230-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
12+25.18 грн
100+17.80 грн
500+12.65 грн
1000+10.45 грн
2000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4egh06-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4egh06-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.28 грн
19+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I SE40NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I SE40NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
11+27.78 грн
100+16.65 грн
500+14.46 грн
1000+9.84 грн
2000+9.06 грн
5000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.48 грн
11+29.34 грн
100+21.92 грн
500+16.16 грн
1000+12.49 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.98 грн
10+65.66 грн
100+43.71 грн
500+32.19 грн
1000+29.34 грн
2000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100AHM3/I SMAJ100AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N1186RA VS-1N1186RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n1183series.pdf Description: DIODE STD REV 200V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 200 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.23 грн
10+957.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR10 VS-40HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.83 грн
10+338.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HFR80 VS-85HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-85hfrseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 800 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.96 грн
10+586.40 грн
100+521.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3768 VS-1N3768 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n1183series.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1192.46 грн
10+917.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HF10 VS-85HF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-85hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.86 грн
10+719.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR80M VS-40HFR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40hfrseries.pdf Description: DIODE GP REV 800V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.91 грн
10+887.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I VS-12CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cdu06hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I VS-12CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cdu06hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+70.26 грн
100+59.65 грн
500+44.62 грн
1000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S10AHE3_A/I SM6S10AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6s.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S10AHE3_A/I SM5S10AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/H SMBJ160CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/I SMBJ160CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3_A/I SMBJ160CA58HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/H SMBJ160CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/I SMBJ160CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3/5B SMBJ160CA58HE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/I NSB8MTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/P NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.38 грн
10+97.52 грн
100+76.06 грн
500+58.96 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A SMA6F6.0A-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A SMA6F6.0A-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.05 грн
11+27.70 грн
50+20.17 грн
100+16.64 грн
500+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 DZ23C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dz23-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.95 грн
6000+3.42 грн
9000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 DZ23C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dz23-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.91 грн
19+15.82 грн
100+6.75 грн
500+5.15 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I VS-16EDH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16edh02-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I VS-16EDH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16edh02-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.67 грн
10+69.30 грн
100+52.15 грн
500+38.77 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80 VS-25FR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.68 грн
10+276.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR20 VS-25FR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STD REV 200V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 200 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.47 грн
10+221.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80M VS-25FR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.84 грн
10+510.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25F80M VS-25F80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.84 грн
10+510.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.61 грн
10+315.89 грн
100+258.83 грн
500+206.78 грн
1000+181.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
50+127.84 грн
100+105.18 грн
500+83.52 грн
1000+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 VS-3C08ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.35 грн
50+140.81 грн
100+120.69 грн
500+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 VS-3C16ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.41 грн
10+477.14 грн
100+395.05 грн
500+322.83 грн
1000+303.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+301.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.42 грн
10+404.06 грн
100+331.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.77 грн
50+152.19 грн
100+130.44 грн
500+108.82 грн
1000+93.17 грн
2000+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.47 грн
10+200.54 грн
50+156.01 грн
100+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.05 грн
10+384.75 грн
100+315.22 грн
500+251.83 грн
1000+220.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 VS-3C20ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.75 грн
10+637.65 грн
100+527.92 грн
500+433.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.98 грн
10+637.06 грн
100+527.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.51 грн
10+211.39 грн
100+173.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.16 грн
2400+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.02 грн
10+147.81 грн
50+113.67 грн
100+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+382.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.46 грн
10+494.30 грн
100+409.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 VS-3C08ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 VS-3C08ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.30 грн
10+228.40 грн
100+184.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 sb220.pdf
SB230-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 sb220.pdf
SB230-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.65 грн
12+25.18 грн
100+17.80 грн
500+12.65 грн
1000+10.45 грн
2000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT vs-4egh06-m3.pdf
VS-4EGH06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT vs-4egh06-m3.pdf
VS-4EGH06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.28 грн
19+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
11+27.78 грн
100+16.65 грн
500+14.46 грн
1000+9.84 грн
2000+9.06 грн
5000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.48 грн
11+29.34 грн
100+21.92 грн
500+16.16 грн
1000+12.49 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10JE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5500+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10JE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.98 грн
10+65.66 грн
100+43.71 грн
500+32.19 грн
1000+29.34 грн
2000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100AHM3/I smaj50a.pdf
SMAJ100AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N1186RA vs-1n1183series.pdf
VS-1N1186RA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 200V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 200 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1392.23 грн
10+957.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR10 vs-40hfrseries.pdf
VS-40HFR10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+418.83 грн
10+338.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HFR80 vs-85hfrseries.pdf
VS-85HFR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 800 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+866.96 грн
10+586.40 грн
100+521.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3768 vs-1n1183series.pdf
VS-1N3768
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1192.46 грн
10+917.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HF10 vs-85hfrseries.pdf
VS-85HF10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+826.86 грн
10+719.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR80M vs-40hfrseries.pdf
VS-40HFR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP REV 800V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1244.91 грн
10+887.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I vs-12cdu06hm3.pdf
VS-12CDU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I vs-12cdu06hm3.pdf
VS-12CDU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+70.26 грн
100+59.65 грн
500+44.62 грн
1000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S10AHE3_A/I sm6s.pdf
SM6S10AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S10AHE3_A/I sm5s.pdf
SM5S10AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ160CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/I smbj.pdf
SMBJ160CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3_A/I smbj.pdf
SMBJ160CA58HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/H smbj.pdf
SMBJ160CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/I smbj.pdf
SMBJ160CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3/5B smbj.pdf
SMBJ160CA58HE3/5B
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/I ns8xt.pdf
NSB8MTHE3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/P ns8xt.pdf
NSB8MTHE3_B/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.38 грн
10+97.52 грн
100+76.06 грн
500+58.96 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A sma6f5.pdf
SMA6F6.0A-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A sma6f5.pdf
SMA6F6.0A-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.05 грн
11+27.70 грн
50+20.17 грн
100+16.64 грн
500+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 dz23-g_series.pdf
DZ23C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.95 грн
6000+3.42 грн
9000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 dz23-g_series.pdf
DZ23C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.91 грн
19+15.82 грн
100+6.75 грн
500+5.15 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I vs-16edh02-m3.pdf
VS-16EDH02-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I vs-16edh02-m3.pdf
VS-16EDH02-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.67 грн
10+69.30 грн
100+52.15 грн
500+38.77 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80 vs-25frseries.pdf
VS-25FR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+422.68 грн
10+276.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR20 vs-25frseries.pdf
VS-25FR20
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 200V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 200 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.47 грн
10+221.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80M vs-25frseries.pdf
VS-25FR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+762.84 грн
10+510.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25F80M vs-25frseries.pdf
VS-25F80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+762.84 грн
10+510.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 vs-3c10et07t-m3.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.61 грн
10+315.89 грн
100+258.83 грн
500+206.78 грн
1000+181.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 vs-3c04et07t-m3.pdf
VS-3C04ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.06 грн
50+127.84 грн
100+105.18 грн
500+83.52 грн
1000+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 vs-3c08et07t-m3.pdf
VS-3C08ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.35 грн
50+140.81 грн
100+120.69 грн
500+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 vs-3c16et07t-m3.pdf
VS-3C16ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.41 грн
10+477.14 грн
100+395.05 грн
500+322.83 грн
1000+303.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+301.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+467.42 грн
10+404.06 грн
100+331.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 vs-3c06et07t-m3.pdf
VS-3C06ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.77 грн
50+152.19 грн
100+130.44 грн
500+108.82 грн
1000+93.17 грн
2000+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.47 грн
10+200.54 грн
50+156.01 грн
100+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 vs-3c12et07t-m3.pdf
VS-3C12ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.05 грн
10+384.75 грн
100+315.22 грн
500+251.83 грн
1000+220.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 vs-3c20et07t-m3.pdf
VS-3C20ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+732.75 грн
10+637.65 грн
100+527.92 грн
500+433.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+731.98 грн
10+637.06 грн
100+527.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+157.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.51 грн
10+211.39 грн
100+173.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+82.16 грн
2400+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.02 грн
10+147.81 грн
50+113.67 грн
100+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+382.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+568.46 грн
10+494.30 грн
100+409.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 vs-3c08et07s2l-m3.pdf
VS-3C08ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 vs-3c08et07s2l-m3.pdf
VS-3C08ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.30 грн
10+228.40 грн
100+184.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.