Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41622) > Сторінка 566 з 694

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 414 483 552 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 621 690 694  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMF5V0A-E3-18 SMF5V0A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AB
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.73 грн
20000+5.96 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF5V0A-E3-18 SMF5V0A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AB
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
на замовлення 47685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
15+21.33 грн
100+13.49 грн
500+9.48 грн
1000+8.46 грн
2000+7.60 грн
5000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 SB230-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 SB230-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
12+25.83 грн
100+18.26 грн
500+12.97 грн
1000+10.72 грн
2000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4egh06-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4egh06-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
19+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I SE40NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I SE40NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
11+28.49 грн
100+17.07 грн
500+14.84 грн
1000+10.09 грн
2000+9.29 грн
5000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
11+30.09 грн
100+22.48 грн
500+16.58 грн
1000+12.81 грн
2000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.35 грн
100+44.84 грн
500+33.01 грн
1000+30.10 грн
2000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100AHM3/I SMAJ100AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N1186RA VS-1N1186RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n1183series.pdf Description: DIODE STD REV 200V 40A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.05 грн
10+981.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR10 VS-40HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.60 грн
10+347.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HFR80 VS-85HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-85hfrseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 85A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 85A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.27 грн
10+601.49 грн
100+534.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3768 VS-1N3768 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n1183series.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 35A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 35A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1223.14 грн
10+941.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HF10 VS-85HF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-85hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 85A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.13 грн
10+738.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR80M VS-40HFR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40hfrseries.pdf Description: DIODE GP REV 800V 40A DO203AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1276.94 грн
10+910.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I VS-12CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cdu06hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I VS-12CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cdu06hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.72 грн
10+72.07 грн
100+61.19 грн
500+45.77 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S10AHE3_A/I SM6S10AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6s.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-218AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S10AHE3_A/I SM5S10AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-218AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/H SMBJ160CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/I SMBJ160CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3_A/I SMBJ160CA58HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Bidirectional Channels: 1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Applications: Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/H SMBJ160CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/I SMBJ160CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3/5B SMBJ160CA58HE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/I NSB8MTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/P NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+100.03 грн
100+78.01 грн
500+60.48 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A SMA6F6.0A-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A SMA6F6.0A-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
11+27.96 грн
50+20.39 грн
100+16.82 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 DZ23C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dz23-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
6000+3.51 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 DZ23C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dz23-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
19+16.23 грн
100+6.93 грн
500+5.28 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I VS-16EDH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16edh02-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I VS-16EDH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16edh02-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.39 грн
10+71.08 грн
100+53.49 грн
500+39.77 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80 VS-25FR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.56 грн
10+283.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR20 VS-25FR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STD REV 200V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 200 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.28 грн
10+227.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80M VS-25FR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.46 грн
10+523.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25F80M VS-25F80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.46 грн
10+523.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
10+324.02 грн
100+265.49 грн
500+212.10 грн
1000+186.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
50+131.13 грн
100+107.89 грн
500+85.67 грн
1000+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 VS-3C08ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.09 грн
50+144.43 грн
100+123.79 грн
500+113.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 VS-3C16ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.52 грн
10+489.42 грн
100+405.21 грн
500+331.14 грн
1000+311.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+308.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.44 грн
10+414.45 грн
100+339.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.91 грн
50+156.11 грн
100+133.80 грн
500+111.62 грн
1000+95.57 грн
2000+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.59 грн
10+205.70 грн
50+160.02 грн
100+136.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.50 грн
10+394.64 грн
100+323.33 грн
500+258.31 грн
1000+226.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 VS-3C20ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.60 грн
10+654.06 грн
100+541.50 грн
500+444.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.81 грн
10+653.45 грн
100+540.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.80 грн
10+216.83 грн
100+177.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.07 грн
2400+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.84 грн
10+154.81 грн
50+119.08 грн
100+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+392.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.09 грн
10+507.02 грн
100+419.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMF5V0A-E3-18 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF5V0A-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AB
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.73 грн
20000+5.96 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF5V0A-E3-18 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF5V0A-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AB
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
на замовлення 47685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.39 грн
15+21.33 грн
100+13.49 грн
500+9.48 грн
1000+8.46 грн
2000+7.60 грн
5000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 sb220.pdf
SB230-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 sb220.pdf
SB230-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.72 грн
12+25.83 грн
100+18.26 грн
500+12.97 грн
1000+10.72 грн
2000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT vs-4egh06-m3.pdf
VS-4EGH06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT vs-4egh06-m3.pdf
VS-4EGH06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.78 грн
19+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.98 грн
11+28.49 грн
100+17.07 грн
500+14.84 грн
1000+10.09 грн
2000+9.29 грн
5000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DFN3820A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-VDFN
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.39 грн
11+30.09 грн
100+22.48 грн
500+16.58 грн
1000+12.81 грн
2000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10JE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10JE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+67.35 грн
100+44.84 грн
500+33.01 грн
1000+30.10 грн
2000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100AHM3/I smaj50a.pdf
SMAJ100AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N1186RA vs-1n1183series.pdf
VS-1N1186RA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 200V 40A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1428.05 грн
10+981.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR10 vs-40hfrseries.pdf
VS-40HFR10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+429.60 грн
10+347.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HFR80 vs-85hfrseries.pdf
VS-85HFR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 85A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 85A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+889.27 грн
10+601.49 грн
100+534.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3768 vs-1n1183series.pdf
VS-1N3768
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 35A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 35A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1223.14 грн
10+941.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HF10 vs-85hfrseries.pdf
VS-85HF10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 85A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+848.13 грн
10+738.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR80M vs-40hfrseries.pdf
VS-40HFR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP REV 800V 40A DO203AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1276.94 грн
10+910.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I vs-12cdu06hm3.pdf
VS-12CDU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I vs-12cdu06hm3.pdf
VS-12CDU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.72 грн
10+72.07 грн
100+61.19 грн
500+45.77 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S10AHE3_A/I sm6s.pdf
SM6S10AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-218AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S10AHE3_A/I sm5s.pdf
SM5S10AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-218AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ160CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/I smbj.pdf
SMBJ160CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3_A/I smbj.pdf
SMBJ160CA58HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Bidirectional Channels: 1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Applications: Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/H smbj.pdf
SMBJ160CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/I smbj.pdf
SMBJ160CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3/5B smbj.pdf
SMBJ160CA58HE3/5B
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/I ns8xt.pdf
NSB8MTHE3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/P ns8xt.pdf
NSB8MTHE3_B/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.30 грн
10+100.03 грн
100+78.01 грн
500+60.48 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A sma6f5.pdf
SMA6F6.0A-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A sma6f5.pdf
SMA6F6.0A-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.68 грн
11+27.96 грн
50+20.39 грн
100+16.82 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 dz23-g_series.pdf
DZ23C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.06 грн
6000+3.51 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 dz23-g_series.pdf
DZ23C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.53 грн
19+16.23 грн
100+6.93 грн
500+5.28 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I vs-16edh02-m3.pdf
VS-16EDH02-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I vs-16edh02-m3.pdf
VS-16EDH02-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.39 грн
10+71.08 грн
100+53.49 грн
500+39.77 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80 vs-25frseries.pdf
VS-25FR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+433.56 грн
10+283.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR20 vs-25frseries.pdf
VS-25FR20
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 200V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 200 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.28 грн
10+227.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80M vs-25frseries.pdf
VS-25FR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.46 грн
10+523.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25F80M vs-25frseries.pdf
VS-25F80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.46 грн
10+523.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 vs-3c10et07t-m3.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.01 грн
10+324.02 грн
100+265.49 грн
500+212.10 грн
1000+186.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 vs-3c04et07t-m3.pdf
VS-3C04ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.31 грн
50+131.13 грн
100+107.89 грн
500+85.67 грн
1000+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 vs-3c08et07t-m3.pdf
VS-3C08ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.09 грн
50+144.43 грн
100+123.79 грн
500+113.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 vs-3c16et07t-m3.pdf
VS-3C16ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+562.52 грн
10+489.42 грн
100+405.21 грн
500+331.14 грн
1000+311.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+308.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.44 грн
10+414.45 грн
100+339.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 vs-3c06et07t-m3.pdf
VS-3C06ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.91 грн
50+156.11 грн
100+133.80 грн
500+111.62 грн
1000+95.57 грн
2000+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+118.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.59 грн
10+205.70 грн
50+160.02 грн
100+136.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 vs-3c12et07t-m3.pdf
VS-3C12ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+456.50 грн
10+394.64 грн
100+323.33 грн
500+258.31 грн
1000+226.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 vs-3c20et07t-m3.pdf
VS-3C20ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+751.60 грн
10+654.06 грн
100+541.50 грн
500+444.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+750.81 грн
10+653.45 грн
100+540.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+161.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.80 грн
10+216.83 грн
100+177.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+86.07 грн
2400+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.84 грн
10+154.81 грн
50+119.08 грн
100+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+392.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+583.09 грн
10+507.02 грн
100+419.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 414 483 552 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 621 690 694  [ Наступна Сторінка >> ]