Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41090) > Сторінка 568 з 685

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 476 544 563 564 565 566 567 568 569 570 571 572 573 612 680 685  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C06ET07T-M3 VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.71 грн
50+153.67 грн
100+131.71 грн
500+109.87 грн
1000+94.08 грн
2000+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+244.88 грн
1600+206.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.96 грн
10+338.08 грн
100+277.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.37 грн
10+388.48 грн
100+318.28 грн
500+254.27 грн
1000+223.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 VS-3C20ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+739.86 грн
10+643.84 грн
100+533.04 грн
500+437.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+739.08 грн
10+643.24 грн
100+532.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.88 грн
10+213.44 грн
100+174.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.06 грн
10+182.39 грн
100+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+386.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.98 грн
10+499.10 грн
100+413.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 VS-3C08ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 VS-3C08ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.04 грн
10+230.61 грн
100+186.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XLD8A24CAHM3/I XLD8A24CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division xld8a24ca.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 26VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 11000W (11kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
XLD8A24CAHM3/I XLD8A24CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division xld8a24ca.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 26VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 11000W (11kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.57 грн
10+173.24 грн
100+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18CAHM3/H SMCJ18CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5242C-HE3-08 MMSZ5242C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5242C-HE3-08 MMSZ5242C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PK-M3/84A AR1PK-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PK-M3/84A AR1PK-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
13+23.62 грн
100+15.10 грн
500+10.70 грн
1000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AR1FK-M3/H AR1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar1fd_ar1fg_ar1fj_ar1fk_ar1f.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
6000+5.19 грн
9000+4.91 грн
15000+4.32 грн
21000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AU1FK-M3/H AU1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1fd-au1fm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+4.15 грн
9000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V9B-HG3_A/H PLZ3V9B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.03V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.35%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.03 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.69 грн
9000+3.93 грн
13500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V9B-HG3_A/H PLZ3V9B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.03V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.35%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.03 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 20702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.26 грн
15+21.15 грн
100+11.19 грн
500+6.91 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0B-HG3_A/H PLZ3V0B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 3.12V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.37%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0B-HG3_A/H PLZ3V0B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 3.12V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.37%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.26 грн
15+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ27B-HG3_A/H PLZ27B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 25.62V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25.62 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ27B-HG3_A/H PLZ27B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 25.62V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25.62 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 21 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.26 грн
15+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ12B-HG3_A/H PLZ12B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 9 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ12B-HG3_A/H PLZ12B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 9 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.46 грн
36+8.40 грн
100+3.54 грн
500+3.02 грн
1000+2.60 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5229C-E3-08 MMSZ5229C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
6000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5229C-E3-08 MMSZ5229C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 7966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.37 грн
17+18.00 грн
100+11.36 грн
500+7.95 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3B-HG3_A/H PLZ4V3B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.02%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3B-HG3_A/H PLZ4V3B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.02%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.92 грн
19+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ4V3B-GS08 TLZ4V3B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tlz.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ4V3B-GS08 TLZ4V3B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tlz.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.91 грн
26+11.70 грн
100+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SS24S-61HE3J_B/I SS24S-61HE3J_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24SHE3J_B/H SS24SHE3J_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA33A-E3/54 SA33A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa5a.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA33A-E3/54 SA33A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa5a.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD56/04 VS-VSKD56/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-vsk56.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 30A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2486.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD91/08 VS-VSKD91/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-vsk91.pdf Description: DIODE MODULE GP 800V 50A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2767.08 грн
10+1989.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD91/04 VS-VSKD91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-vsk91.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 400 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2722.69 грн
10+1955.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD91/16 VS-VSKD91/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-vsk91.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 50A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8ETX06FP-N3 VS-8ETX06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8etx06fp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO2202 FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.30 грн
50+45.70 грн
100+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS08STRL-M3 VS-25TTS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ttss08s-m3.pdf Description: SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Current - Off State (Max): 10 mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.34 грн
10+217.34 грн
100+154.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS08STRL-M3 VS-25TTS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ttss08s-m3.pdf Description: SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Current - Off State (Max): 10 mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.65 грн
1600+114.33 грн
2400+113.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3_A/I SMAJ9.0AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3_A/H SMAJ9.0AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHE3_A/I SMAJ9.0AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHE3_A/H SMAJ9.0AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3/H SMAJ9.0AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3/I SMAJ9.0AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.05 грн
15+20.77 грн
100+13.17 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
2000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5227B-E3-18 MMSZ5227B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5227B-E3-18 MMSZ5227B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.90 грн
42+7.27 грн
100+3.04 грн
500+2.66 грн
1000+2.40 грн
2000+2.37 грн
5000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA30AHE3_A/H P4SMA30AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 vs-3c06et07t-m3.pdf
VS-3C06ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.71 грн
50+153.67 грн
100+131.71 грн
500+109.87 грн
1000+94.08 грн
2000+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+244.88 грн
1600+206.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.96 грн
10+338.08 грн
100+277.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 vs-3c12et07t-m3.pdf
VS-3C12ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.37 грн
10+388.48 грн
100+318.28 грн
500+254.27 грн
1000+223.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 vs-3c20et07t-m3.pdf
VS-3C20ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+739.86 грн
10+643.84 грн
100+533.04 грн
500+437.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+739.08 грн
10+643.24 грн
100+532.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+159.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.88 грн
10+213.44 грн
100+174.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+128.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.06 грн
10+182.39 грн
100+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+386.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.98 грн
10+499.10 грн
100+413.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 vs-3c08et07s2l-m3.pdf
VS-3C08ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 vs-3c08et07s2l-m3.pdf
VS-3C08ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.04 грн
10+230.61 грн
100+186.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XLD8A24CAHM3/I xld8a24ca.pdf
XLD8A24CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 26VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 11000W (11kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
XLD8A24CAHM3/I xld8a24ca.pdf
XLD8A24CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 26VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 11000W (11kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.57 грн
10+173.24 грн
100+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18CAHM3/H smcj.pdf
SMCJ18CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5242C-HE3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5242C-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5242C-HE3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5242C-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PK-M3/84A ar1pm.pdf
AR1PK-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.02 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PK-M3/84A ar1pm.pdf
AR1PK-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.72 грн
13+23.62 грн
100+15.10 грн
500+10.70 грн
1000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AR1FK-M3/H ar1fd_ar1fg_ar1fj_ar1fk_ar1f.pdf
AR1FK-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.95 грн
6000+5.19 грн
9000+4.91 грн
15000+4.32 грн
21000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AU1FK-M3/H au1fd-au1fm.pdf
AU1FK-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
6000+4.15 грн
9000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V9B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ3V9B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.03V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.35%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.03 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.69 грн
9000+3.93 грн
13500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V9B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ3V9B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.03V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.35%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.03 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 20702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.26 грн
15+21.15 грн
100+11.19 грн
500+6.91 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ3V0B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.12V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.37%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ3V0B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.12V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.37%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.26 грн
15+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ27B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ27B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 25.62V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25.62 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ27B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ27B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 25.62V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25.62 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 21 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.26 грн
15+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ12B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ12B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 9 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ12B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ12B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 9 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.46 грн
36+8.40 грн
100+3.54 грн
500+3.02 грн
1000+2.60 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5229C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5229C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.60 грн
6000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5229C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5229C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 7966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.37 грн
17+18.00 грн
100+11.36 грн
500+7.95 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ4V3B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.02%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ4V3B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
Tolerance: ±3.02%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.92 грн
19+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ4V3B-GS08 tlz.pdf
TLZ4V3B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ4V3B-GS08 tlz.pdf
TLZ4V3B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.91 грн
26+11.70 грн
100+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SS24S-61HE3J_B/I ss22s.pdf
SS24S-61HE3J_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24SHE3J_B/H ss22s.pdf
SS24SHE3J_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA33A-E3/54 sa5a.pdf
SA33A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA33A-E3/54 sa5a.pdf
SA33A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD56/04 vs-vsk56.pdf
VS-VSKD56/04
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2486.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD91/08 vs-vsk91.pdf
VS-VSKD91/08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 800V 50A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2767.08 грн
10+1989.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD91/04 vs-vsk91.pdf
VS-VSKD91/04
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 400 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2722.69 грн
10+1955.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKD91/16 vs-vsk91.pdf
VS-VSKD91/16
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD GP 1600V 50A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8ETX06FP-N3 vs-8etx06fp.pdf
VS-8ETX06FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO2202 FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.30 грн
50+45.70 грн
100+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS08STRL-M3 vs-25ttss08s-m3.pdf
VS-25TTS08STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Current - Off State (Max): 10 mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.34 грн
10+217.34 грн
100+154.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS08STRL-M3 vs-25ttss08s-m3.pdf
VS-25TTS08STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 800V 25A TO-263AB (D2PAK)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Current - Off State (Max): 10 mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.65 грн
1600+114.33 грн
2400+113.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ9.0AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3_A/H smaj50a.pdf
SMAJ9.0AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHE3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ9.0AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHE3_A/H smaj50a.pdf
SMAJ9.0AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3/H smaj50a.pdf
SMAJ9.0AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ9.0AHM3/I smaj50a.pdf
SMAJ9.0AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40A-E3/5A smaj50a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40A-E3/5A smaj50a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.05 грн
15+20.77 грн
100+13.17 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
2000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5227B-E3-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5227B-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5227B-E3-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5227B-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.90 грн
42+7.27 грн
100+3.04 грн
500+2.66 грн
1000+2.40 грн
2000+2.37 грн
5000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA30AHE3_A/H p4sma.pdf
P4SMA30AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 476 544 563 564 565 566 567 568 569 570 571 572 573 612 680 685  [ Наступна Сторінка >> ]