Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40029) > Сторінка 644 з 668

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 198 264 330 396 462 528 594 639 640 641 642 643 644 645 646 647 648 649 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VLIN1616-02GHE3-08 VLIN1616-02GHE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vlin1616-02g.pdf Description: TVS DIODE 16VWM 33VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.22 грн
6000+5.73 грн
9000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN1616-02GHE3-08 VLIN1616-02GHE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vlin1616-02g.pdf Description: TVS DIODE 16VWM 33VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
14+23.32 грн
100+11.77 грн
500+9.01 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16FR10 VS-16FR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16frseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 100 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.23 грн
10+223.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16F10 VS-16F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16frseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 100 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.97 грн
10+255.72 грн
100+206.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12FR80 VS-12FR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12fseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 38 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.43 грн
10+296.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05B5V1-HM3-08 BZG05B5V1-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05b-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1.96%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.78 грн
3000+14.73 грн
4500+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05B5V1-HM3-08 BZG05B5V1-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05b-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1.96%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.31 грн
10+38.38 грн
100+24.83 грн
500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N6282AHE3_B/C 1N6282AHE3_B/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: 1.5KW,30V 5%,UNIDIR,AXIAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C6V8-HE3_A-18 BZT52C6V8-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C6V8-HE3_A-08 BZT52C6V8-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KA20AHE3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1.5KA6.8 thru 1.5KA47A.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC 1.5KA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 54.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: 1.5kA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KA20HE3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1.5KA6.8 thru 1.5KA47A.pdf Description: TVS DIODE 16.2VWM 29.1VC 1.5KA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16.2V
Supplier Device Package: 1.5kA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4745AHE3_A/H SML4745AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 12.2 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8MS-E3/I S8MS-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s8gs_s8js_s8ks_s8ms.pdf Description: 8A, 1000V, STD RECT , SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery > 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
S8MS-E3/I S8MS-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s8gs_s8js_s8ks_s8ms.pdf Description: 8A, 1000V, STD RECT , SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery > 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.51 грн
10+38.07 грн
100+24.63 грн
500+17.69 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S8CMHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s8cgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
S8CMHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s8cgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.80 грн
10+50.07 грн
100+34.72 грн
500+26.07 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SE30PAG-M3/I SE30PAG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30pab.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE30PAG-M3/I SE30PAG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30pab.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-E3-08 MMSZ5264B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-E3-08 MMSZ5264B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.11 грн
41+7.49 грн
100+3.84 грн
500+3.40 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-HE3_A-18 MMSZ5264B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-HE3_A-08 MMSZ5264B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264C-HE3_A-08 MMSZ5264C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264C-HE3_A-18 MMSZ5264C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4744HE3_A/I SML4744HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 15V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 14 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 11.4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4744HE3_A/H SML4744HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 15V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 14 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 11.4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B33-G3-08 BZX84B33-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.19 грн
9000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B33-G3-08 BZX84B33-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
22+14.07 грн
100+6.84 грн
500+5.36 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
5KP54AHE3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 BZX384B10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 BZX384B10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
20+15.82 грн
100+7.72 грн
500+6.04 грн
1000+4.20 грн
2000+3.64 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 VS-6CWQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq03fn.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 VS-6CWQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq03fn.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
10+46.79 грн
100+32.40 грн
500+25.40 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H SML4748AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H SML4748AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
10+33.18 грн
100+23.08 грн
500+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
20CTQ045 20CTQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTQ.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
20CTQ045S 20CTQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTQyyy%28S%2C-1%29.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
10+35.24 грн
25+33.09 грн
100+25.35 грн
250+23.56 грн
500+20.05 грн
1000+15.77 грн
2500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
10+35.24 грн
25+33.09 грн
100+25.35 грн
250+23.56 грн
500+20.05 грн
1000+15.77 грн
2500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
10+36.16 грн
25+33.97 грн
100+26.01 грн
250+24.17 грн
500+20.57 грн
1000+16.18 грн
2500+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I V9N3M153-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I V9N3M153-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.63 грн
10+44.88 грн
25+37.67 грн
100+27.64 грн
250+23.85 грн
500+21.53 грн
1000+19.28 грн
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I V9N3103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I V9N3103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.04 грн
10+43.81 грн
25+36.79 грн
100+26.97 грн
250+23.28 грн
500+21.01 грн
1000+18.81 грн
2500+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I V9N3202-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3202.pdf Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I V9N3202-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3202.pdf Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.25 грн
10+38.00 грн
25+35.69 грн
100+27.33 грн
250+25.39 грн
500+21.61 грн
1000+17.00 грн
2500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I V9N3L63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I V9N3L63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
10+39.83 грн
25+37.40 грн
100+28.65 грн
250+26.61 грн
500+22.65 грн
1000+17.82 грн
2500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I V9N3M63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I V9N3M63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
10+39.60 грн
25+37.18 грн
100+28.49 грн
250+26.46 грн
500+22.52 грн
1000+17.72 грн
2500+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I V9N3103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I V9N3103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.63 грн
10+40.52 грн
25+38.04 грн
100+29.15 грн
250+27.07 грн
500+23.04 грн
1000+18.13 грн
2500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I V9N3M153HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I V9N3M153HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.98 грн
10+49.00 грн
25+41.22 грн
100+30.33 грн
250+26.24 грн
500+23.73 грн
1000+21.28 грн
2500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.63 грн
10+40.52 грн
25+38.04 грн
100+29.15 грн
250+27.07 грн
500+23.04 грн
1000+18.13 грн
2500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN1616-02GHE3-08 vlin1616-02g.pdf
VLIN1616-02GHE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 16VWM 33VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.22 грн
6000+5.73 грн
9000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN1616-02GHE3-08 vlin1616-02g.pdf
VLIN1616-02GHE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 16VWM 33VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
14+23.32 грн
100+11.77 грн
500+9.01 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16FR10 vs-16frseries.pdf
VS-16FR10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 100 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.23 грн
10+223.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16F10 vs-16frseries.pdf
VS-16F10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 100 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.97 грн
10+255.72 грн
100+206.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12FR80 vs-12fseries.pdf
VS-12FR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 38 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.43 грн
10+296.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05B5V1-HM3-08 bzg05b-m-series.pdf
BZG05B5V1-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1.96%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.78 грн
3000+14.73 грн
4500+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05B5V1-HM3-08 bzg05b-m-series.pdf
BZG05B5V1-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1.96%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.31 грн
10+38.38 грн
100+24.83 грн
500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N6282AHE3_B/C 15ke.pdf
1N6282AHE3_B/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 1.5KW,30V 5%,UNIDIR,AXIAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C6V8-HE3_A-18 bzt52_series.pdf
BZT52C6V8-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C6V8-HE3_A-08 bzt52_series.pdf
BZT52C6V8-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KA20AHE3/51 1.5KA6.8 thru 1.5KA47A.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC 1.5KA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 54.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: 1.5kA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KA20HE3/51 1.5KA6.8 thru 1.5KA47A.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 16.2VWM 29.1VC 1.5KA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16.2V
Supplier Device Package: 1.5kA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4745AHE3_A/H sml4738.pdf
SML4745AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 12.2 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8MS-E3/I s8gs_s8js_s8ks_s8ms.pdf
S8MS-E3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 8A, 1000V, STD RECT , SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery > 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
S8MS-E3/I s8gs_s8js_s8ks_s8ms.pdf
S8MS-E3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 8A, 1000V, STD RECT , SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery > 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.51 грн
10+38.07 грн
100+24.63 грн
500+17.69 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S8CMHM3/I s8cgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
S8CMHM3/I s8cgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.80 грн
10+50.07 грн
100+34.72 грн
500+26.07 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SE30PAG-M3/I se30pab.pdf
SE30PAG-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE30PAG-M3/I se30pab.pdf
SE30PAG-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5264B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5264B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
41+7.49 грн
100+3.84 грн
500+3.40 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-HE3_A-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5264B-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264B-HE3_A-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5264B-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264C-HE3_A-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5264C-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5264C-HE3_A-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5264C-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 60V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4744HE3_A/I sml4738.pdf
SML4744HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 14 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 11.4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4744HE3_A/H sml4738.pdf
SML4744HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 14 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 11.4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B33-G3-08 bzx84-g_series.pdf
BZX84B33-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
6000+3.19 грн
9000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B33-G3-08 bzx84-g_series.pdf
BZX84B33-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
22+14.07 грн
100+6.84 грн
500+5.36 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
5KP54AHE3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 bzx384g.pdf
BZX384B10-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 bzx384g.pdf
BZX384B10-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
20+15.82 грн
100+7.72 грн
500+6.04 грн
1000+4.20 грн
2000+3.64 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 6cwq03fn.pdf
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 6cwq03fn.pdf
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.37 грн
10+46.79 грн
100+32.40 грн
500+25.40 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H sml4738.pdf
SML4748AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H sml4738.pdf
SML4748AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+33.18 грн
100+23.08 грн
500+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
20CTQ045 20CTQ.pdf
20CTQ045
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
20CTQ045S 20CTQyyy%28S%2C-1%29.pdf
20CTQ045S
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+35.24 грн
25+33.09 грн
100+25.35 грн
250+23.56 грн
500+20.05 грн
1000+15.77 грн
2500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+35.24 грн
25+33.09 грн
100+25.35 грн
250+23.56 грн
500+20.05 грн
1000+15.77 грн
2500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
10+36.16 грн
25+33.97 грн
100+26.01 грн
250+24.17 грн
500+20.57 грн
1000+16.18 грн
2500+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+44.88 грн
25+37.67 грн
100+27.64 грн
250+23.85 грн
500+21.53 грн
1000+19.28 грн
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I v9n3103.pdf
V9N3103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I v9n3103.pdf
V9N3103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.04 грн
10+43.81 грн
25+36.79 грн
100+26.97 грн
250+23.28 грн
500+21.01 грн
1000+18.81 грн
2500+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I v9n3202.pdf
V9N3202-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I v9n3202.pdf
V9N3202-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
10+38.00 грн
25+35.69 грн
100+27.33 грн
250+25.39 грн
500+21.61 грн
1000+17.00 грн
2500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+39.83 грн
25+37.40 грн
100+28.65 грн
250+26.61 грн
500+22.65 грн
1000+17.82 грн
2500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+39.60 грн
25+37.18 грн
100+28.49 грн
250+26.46 грн
500+22.52 грн
1000+17.72 грн
2500+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I v9n3103.pdf
V9N3103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I v9n3103.pdf
V9N3103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+40.52 грн
25+38.04 грн
100+29.15 грн
250+27.07 грн
500+23.04 грн
1000+18.13 грн
2500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+49.00 грн
25+41.22 грн
100+30.33 грн
250+26.24 грн
500+23.73 грн
1000+21.28 грн
2500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+40.52 грн
25+38.04 грн
100+29.15 грн
250+27.07 грн
500+23.04 грн
1000+18.13 грн
2500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 198 264 330 396 462 528 594 639 640 641 642 643 644 645 646 647 648 649 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]