Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40689) > Сторінка 646 з 679

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 603 641 642 643 644 645 646 647 648 649 650 651 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZX84B33-G3-08 BZX84B33-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.32 грн
22+15.30 грн
100+7.44 грн
500+5.83 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
5KP54AHE3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 BZX384B10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 BZX384B10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.91 грн
20+17.21 грн
100+8.40 грн
500+6.57 грн
1000+4.57 грн
2000+3.96 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 VS-6CWQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq03fn.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 VS-6CWQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq03fn.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+50.90 грн
100+35.24 грн
500+27.63 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H SML4748AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H SML4748AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.32 грн
11+30.44 грн
100+20.82 грн
500+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+38.34 грн
25+35.99 грн
100+27.58 грн
250+25.62 грн
500+21.81 грн
1000+17.16 грн
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+38.34 грн
25+35.99 грн
100+27.58 грн
250+25.62 грн
500+21.81 грн
1000+17.16 грн
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.63 грн
10+39.34 грн
25+36.96 грн
100+28.30 грн
250+26.29 грн
500+22.37 грн
1000+17.61 грн
2500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I V9N3M153-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I V9N3M153-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.18 грн
10+48.82 грн
25+40.98 грн
100+30.06 грн
250+25.94 грн
500+23.42 грн
1000+20.97 грн
2500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I V9N3103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I V9N3103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.45 грн
10+47.65 грн
25+40.02 грн
100+29.34 грн
250+25.32 грн
500+22.86 грн
1000+20.47 грн
2500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I V9N3202-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3202.pdf Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I V9N3202-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3202.pdf Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+49.23 грн
10+41.33 грн
25+38.82 грн
100+29.73 грн
250+27.62 грн
500+23.51 грн
1000+18.50 грн
2500+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I V9N3L63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I V9N3L63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+43.33 грн
25+40.68 грн
100+31.16 грн
250+28.95 грн
500+24.64 грн
1000+19.39 грн
2500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I V9N3M63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I V9N3M63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+43.08 грн
25+40.45 грн
100+30.99 грн
250+28.78 грн
500+24.50 грн
1000+19.28 грн
2500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I V9N3103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I V9N3103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.82 грн
10+44.08 грн
25+41.38 грн
100+31.71 грн
250+29.45 грн
500+25.06 грн
1000+19.72 грн
2500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I V9N3M153HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I V9N3M153HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m153.pdf Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
10+53.31 грн
25+44.84 грн
100+32.99 грн
250+28.54 грн
500+25.81 грн
1000+23.15 грн
2500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.82 грн
10+44.08 грн
25+41.38 грн
100+31.71 грн
250+29.45 грн
500+25.06 грн
1000+19.72 грн
2500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202HM3/I V9N3202HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3202.pdf Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202HM3/I V9N3202HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3202.pdf Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.27 грн
10+46.57 грн
25+43.74 грн
100+33.50 грн
250+31.11 грн
500+26.48 грн
1000+20.84 грн
2500+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MSX1PJ-M3/89A MSX1PJ-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msx1pb-msx1pd-msx1pg-msx1pj.pdf Description: TVS DIODE 600VWM MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 600V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.53 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSX1PJ-M3/89A MSX1PJ-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msx1pb-msx1pd-msx1pg-msx1pj.pdf Description: TVS DIODE 600VWM MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 600V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Power Line Protection: No
на замовлення 13515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.73 грн
24+13.89 грн
100+6.77 грн
500+5.30 грн
1000+3.68 грн
2000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ6V8B-G3/H PLZ6V8B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 6.66V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2.55%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.66 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3.5 V
на замовлення 58500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.64 грн
9000+2.69 грн
31500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ6V8B-G3/H PLZ6V8B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 6.66V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2.55%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.66 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3.5 V
на замовлення 62962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.59 грн
24+14.30 грн
100+6.97 грн
500+5.46 грн
1000+3.79 грн
2000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMF7V0A-E3-08 SMF7V0A-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 843pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+6.66 грн
9000+6.31 грн
15000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF7V0A-E3-08 SMF7V0A-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 843pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 19024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.77 грн
55+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S14A-1HE3_A/I SM8S14A-1HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm8s.pdf Description: TVS DIODE 14VWM DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 284A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S14A-1HE3/2D SM8S14A-1HE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S10_thru_SM8S43A._Aug.31,2016.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 284A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 23.2V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06HM3/I VS-2EFU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efu06hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06HM3/I VS-2EFU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efu06hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.36 грн
10+99.21 грн
100+78.98 грн
500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.50 грн
19+18.46 грн
100+11.07 грн
500+8.97 грн
1000+8.00 грн
2000+7.48 грн
5000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06-M3/I VS-2EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06-M3/I VS-2EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 9230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.09 грн
10+100.88 грн
100+80.24 грн
500+63.72 грн
1000+54.06 грн
2000+51.36 грн
5000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203S-G3-18 VETH100A203S-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division veth100a203s.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203S-G3-18 VETH100A203S-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division veth100a203s.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.91 грн
21+16.55 грн
100+11.14 грн
500+8.07 грн
1000+6.28 грн
2000+6.09 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-08 VETH100A203SHG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division veth100a203s.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-08 VETH100A203SHG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division veth100a203s.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
19+17.80 грн
100+8.52 грн
500+7.40 грн
1000+6.80 грн
2000+6.57 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-18 VETH100A203SHG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division veth100a203s.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-18 VETH100A203SHG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division veth100a203s.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
19+17.80 грн
100+8.52 грн
500+7.40 грн
1000+6.80 грн
2000+6.57 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S26CAHM3/I SM5S26CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 85.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+101.12 грн
1500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S26CAHM3/I SM5S26CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 85.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.17 грн
10+166.99 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S85CAHM3/I SM5S85CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+101.12 грн
1500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S85CAHM3/I SM5S85CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.17 грн
10+166.99 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S40CAHM3/I SM5S40CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 55.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+101.12 грн
1500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S40CAHM3/I SM5S40CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 55.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.17 грн
10+166.99 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S75CAHM3/I SM5S75CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 121V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S75CAHM3/I SM5S75CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10cathrusm5s85ca.pdf Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 121V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.36 грн
10+155.18 грн
100+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B33-G3-08 bzx84-g_series.pdf
BZX84B33-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.32 грн
22+15.30 грн
100+7.44 грн
500+5.83 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
5KP54AHE3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 bzx384g.pdf
BZX384B10-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B10-G3-18 bzx384g.pdf
BZX384B10-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.91 грн
20+17.21 грн
100+8.40 грн
500+6.57 грн
1000+4.57 грн
2000+3.96 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 6cwq03fn.pdf
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CWQ03FNTRL-M3 6cwq03fn.pdf
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+50.90 грн
100+35.24 грн
500+27.63 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H sml4738.pdf
SML4748AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4748AHE3_A/H sml4738.pdf
SML4748AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 1W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 16.7 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.32 грн
11+30.44 грн
100+20.82 грн
500+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63-M3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.91 грн
10+38.34 грн
25+35.99 грн
100+27.58 грн
250+25.62 грн
500+21.81 грн
1000+17.16 грн
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.91 грн
10+38.34 грн
25+35.99 грн
100+27.58 грн
250+25.62 грн
500+21.81 грн
1000+17.16 грн
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.63 грн
10+39.34 грн
25+36.96 грн
100+28.30 грн
250+26.29 грн
500+22.37 грн
1000+17.61 грн
2500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153-M3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.18 грн
10+48.82 грн
25+40.98 грн
100+30.06 грн
250+25.94 грн
500+23.42 грн
1000+20.97 грн
2500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I v9n3103.pdf
V9N3103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103-M3/I v9n3103.pdf
V9N3103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.45 грн
10+47.65 грн
25+40.02 грн
100+29.34 грн
250+25.32 грн
500+22.86 грн
1000+20.47 грн
2500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I v9n3202.pdf
V9N3202-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202-M3/I v9n3202.pdf
V9N3202-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.23 грн
10+41.33 грн
25+38.82 грн
100+29.73 грн
250+27.62 грн
500+23.51 грн
1000+18.50 грн
2500+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3L63HM3/I v9n3l63.pdf
V9N3L63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.95 грн
10+43.33 грн
25+40.68 грн
100+31.16 грн
250+28.95 грн
500+24.64 грн
1000+19.39 грн
2500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63HM3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.95 грн
10+43.08 грн
25+40.45 грн
100+30.99 грн
250+28.78 грн
500+24.50 грн
1000+19.28 грн
2500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I v9n3103.pdf
V9N3103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3103HM3/I v9n3103.pdf
V9N3103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.82 грн
10+44.08 грн
25+41.38 грн
100+31.71 грн
250+29.45 грн
500+25.06 грн
1000+19.72 грн
2500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M153HM3/I v9n3m153.pdf
V9N3M153HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 150V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.09 грн
10+53.31 грн
25+44.84 грн
100+32.99 грн
250+28.54 грн
500+25.81 грн
1000+23.15 грн
2500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.82 грн
10+44.08 грн
25+41.38 грн
100+31.71 грн
250+29.45 грн
500+25.06 грн
1000+19.72 грн
2500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202HM3/I v9n3202.pdf
V9N3202HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3202HM3/I v9n3202.pdf
V9N3202HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 200V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.2A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.27 грн
10+46.57 грн
25+43.74 грн
100+33.50 грн
250+31.11 грн
500+26.48 грн
1000+20.84 грн
2500+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MSX1PJ-M3/89A msx1pb-msx1pd-msx1pg-msx1pj.pdf
MSX1PJ-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 600VWM MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 600V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.53 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSX1PJ-M3/89A msx1pb-msx1pd-msx1pg-msx1pj.pdf
MSX1PJ-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 600VWM MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 600V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Power Line Protection: No
на замовлення 13515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.73 грн
24+13.89 грн
100+6.77 грн
500+5.30 грн
1000+3.68 грн
2000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ6V8B-G3/H plzseries.pdf
PLZ6V8B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.66V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2.55%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.66 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3.5 V
на замовлення 58500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.64 грн
9000+2.69 грн
31500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ6V8B-G3/H plzseries.pdf
PLZ6V8B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.66V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2.55%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.66 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3.5 V
на замовлення 62962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.59 грн
24+14.30 грн
100+6.97 грн
500+5.46 грн
1000+3.79 грн
2000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMF7V0A-E3-08 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF7V0A-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 843pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.62 грн
6000+6.66 грн
9000+6.31 грн
15000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF7V0A-E3-08 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF7V0A-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 843pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 19024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.77 грн
55+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S14A-1HE3_A/I sm8s.pdf
SM8S14A-1HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 14VWM DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 284A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S14A-1HE3/2D SM8S10_thru_SM8S43A._Aug.31,2016.pdf
SM8S14A-1HE3/2D
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 284A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 23.2V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06HM3/I vs-2efu06hm3.pdf
VS-2EFU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06HM3/I vs-2efu06hm3.pdf
VS-2EFU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.36 грн
10+99.21 грн
100+78.98 грн
500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I vs-2efh01-m3.pdf
VS-2EFH01-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I vs-2efh01-m3.pdf
VS-2EFH01-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.50 грн
19+18.46 грн
100+11.07 грн
500+8.97 грн
1000+8.00 грн
2000+7.48 грн
5000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06-M3/I vs-2efu06-m3.pdf
VS-2EFU06-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFU06-M3/I vs-2efu06-m3.pdf
VS-2EFU06-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 9230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.09 грн
10+100.88 грн
100+80.24 грн
500+63.72 грн
1000+54.06 грн
2000+51.36 грн
5000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203S-G3-18 veth100a203s.pdf
VETH100A203S-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203S-G3-18 veth100a203s.pdf
VETH100A203S-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.91 грн
21+16.55 грн
100+11.14 грн
500+8.07 грн
1000+6.28 грн
2000+6.09 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-08 veth100a203s.pdf
VETH100A203SHG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-08 veth100a203s.pdf
VETH100A203SHG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
19+17.80 грн
100+8.52 грн
500+7.40 грн
1000+6.80 грн
2000+6.57 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-18 veth100a203s.pdf
VETH100A203SHG3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VETH100A203SHG3-18 veth100a203s.pdf
VETH100A203SHG3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 34VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 1.75pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 34V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
19+17.80 грн
100+8.52 грн
500+7.40 грн
1000+6.80 грн
2000+6.57 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S26CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S26CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 85.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+101.12 грн
1500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S26CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S26CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 85.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.17 грн
10+166.99 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S85CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S85CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+101.12 грн
1500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S85CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S85CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.17 грн
10+166.99 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S40CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S40CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 55.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+101.12 грн
1500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S40CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S40CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 3600 W BI-DIRECTIONAL TVS IS DO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 55.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.17 грн
10+166.99 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S75CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S75CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 121V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S75CAHM3/I sm5s10cathrusm5s85ca.pdf
SM5S75CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 121V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.36 грн
10+155.18 грн
100+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 603 641 642 643 644 645 646 647 648 649 650 651 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]