Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF840AS-GE3 | VISHAY | SIHF840AS-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHF840S-GE3 | VISHAY | SIHF840S-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHF8N50D-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHF9520S-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SIHF9530S-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SIHF9640S-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -44A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHF9Z34STRL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBC20L-GE3 | VISHAY | SIHFBC20L-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBC30AS-GE3 | VISHAY | SIHFBC30AS-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBC40L-GE3 | VISHAY | SIHFBC40L-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBE30L-GE3 | VISHAY | SIHFBE30L-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBF20S-GE3 | VISHAY | SIHFBF20S-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBF20STRL-GE3 | VISHAY | SIHFBF20STRL-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFBF30S-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFPS37N50A-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHFPS40N50L-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 29A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 540W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR010-GE3 | VISHAY | SIHFR010-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR014TR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR024-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR110-GE3 | VISHAY | SIHFR110-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR110TR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR110TRL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR120-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR120TR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR120TRL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SIHFR1N60A-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.98A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SIHFR1N60ATRL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Pulsed drain current: 5.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR210TRL-GE3 | VISHAY | SIHFR210TRL-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SIHFR220-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SIHFR220TRL-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 19A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A On-state resistance: 0.8Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SIHFR310-GE3 | VISHAY | SIHFR310-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR310TR-GE3 | VISHAY | SIHFR310TR-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR320-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR320TR-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR420-GE3 | VISHAY | SIHFR420-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR420A-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR420ATR-GE3 | VISHAY | SIHFR420ATR-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR420TR-GE3 | VISHAY | SIHFR420TR-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR420TRL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR430A-GE3 | VISHAY | SIHFR430A-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR430ATR-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9014-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9014TR-GE3 | VISHAY | SIHFR9014TR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9014TRL-GE3 | VISHAY | SIHFR9014TRL-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9020TR-GE3 | VISHAY | SIHFR9020TR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9024-GE3 | VISHAY | SIHFR9024-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9024TR-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9110TR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9110TRL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9120-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9120TR-GE3 | VISHAY | SIHFR9120TR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9210TR-GE3 | VISHAY | SIHFR9210TR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9214-GE3 | VISHAY | SIHFR9214-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9214TR-GE3 | VISHAY | SIHFR9214TR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9220-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9220TR-GE3 | VISHAY | SIHFR9220TR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9220TRL-GE3 | VISHAY | SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9220TRR-GE3 | VISHAY | SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9310-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHFR9310TR-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SIHF840AS-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHF840AS-GE3 SMD N channel transistors
SIHF840AS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHF840S-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHF840S-GE3 SMD N channel transistors
SIHF840S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHF8N50D-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHF9520S-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHF9520S-GE3 SMD P channel transistors
SIHF9520S-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHF9530S-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.32 грн |
6+ | 56.15 грн |
25+ | 47.73 грн |
26+ | 41.38 грн |
72+ | 39.54 грн |
SIHF9640S-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHF9Z34STRL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHF9Z34STRL-GE3 SMD P channel transistors
SIHF9Z34STRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBC20L-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFBC20L-GE3 THT N channel transistors
SIHFBC20L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBC30AS-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFBC30AS-GE3 SMD N channel transistors
SIHFBC30AS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBC40L-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFBC40L-GE3 THT N channel transistors
SIHFBC40L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBE30L-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFBE30L-GE3 THT N channel transistors
SIHFBE30L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBF20S-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFBF20S-GE3 SMD N channel transistors
SIHFBF20S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBF20STRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFBF20STRL-GE3 SMD N channel transistors
SIHFBF20STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFBF30S-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFBF30S-GE3 SMD N channel transistors
SIHFBF30S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFPS37N50A-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFPS37N50A-GE3 THT N channel transistors
SIHFPS37N50A-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 559.54 грн |
3+ | 388.07 грн |
8+ | 366.92 грн |
SIHFPS40N50L-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 540W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 540W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR010-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR010-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR010-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR014TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR024-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR024-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR024-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR110-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR110-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR110-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR110TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR110TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR120-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR120TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR120TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR1N60A-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.23 грн |
5+ | 68.95 грн |
20+ | 58.58 грн |
22+ | 50.58 грн |
59+ | 47.82 грн |
SIHFR1N60ATRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR210TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR210TRL-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR210TRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR220-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR220TRL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.34 грн |
7+ | 45.46 грн |
25+ | 39.45 грн |
36+ | 29.43 грн |
100+ | 27.59 грн |
SIHFR310-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR310-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR310-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR310TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR310TR-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR310TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR320-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR320-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR320-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR320TR-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR320TR-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR320TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR420-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR420-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR420-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR420A-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR420A-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR420A-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR420ATR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR420ATR-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR420ATR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR420TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR420TR-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR420TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR420TRL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR420TRL-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR420TRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR430A-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR430A-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR430A-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR430ATR-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR430ATR-GE3 SMD N channel transistors
SIHFR430ATR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9014-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR9014-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9014-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9014TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9014TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9014TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9014TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9014TRL-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9014TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9020TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9020TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9020TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9024-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9024-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9024-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9024TR-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR9024TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9024TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9110TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9110TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9120-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR9120-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9120-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9120TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9120TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9120TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9210TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9210TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9210TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9214-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9214-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9214-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9214TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9214TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9214TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9220-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR9220-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9220-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9220TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9220TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9220TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9220TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9220TRR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9310-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR9310-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9310-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHFR9310TR-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHFR9310TR-GE3 SMD P channel transistors
SIHFR9310TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.