Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349287) > Сторінка 1115 з 5822

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1119 1120 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5822  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8413DB-T1-E1 VISHAY si8413db.pdf SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 VISHAY si8416db.pdf SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.66 грн
51+21.34 грн
139+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf SI8812DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 VISHAY si8821edb.pdf SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8823EDB-T2-E1 VISHAY si8823edb.pdf SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8824EDB-T2-E1 VISHAY si8824edb.pdf SI8824EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY si8902aedb.pdf SI8902AEDB-T2-E1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.02 грн
31+35.50 грн
84+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.02 грн
34+32.37 грн
92+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.68 грн
5+71.62 грн
19+57.93 грн
52+54.26 грн
500+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.68 грн
5+71.62 грн
19+57.93 грн
52+54.26 грн
500+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-GE3 VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.50 грн
38+28.42 грн
105+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY si9435bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.24 грн
8+40.87 грн
25+34.94 грн
37+30.35 грн
100+28.51 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY si9926cd.pdf SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.97 грн
44+24.65 грн
121+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 11558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.90 грн
26+42.95 грн
69+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY sia106dj.pdf SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY sia110dj.pdf SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY sia413adj.pdf SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY sia414dj.pdf SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf SIA416DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY sia421dj.pdf SIA421DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY sia4263dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 51.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY sia427adj.pdf SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY sia429dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY sia431dj.pdf SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY sia432dj.pdf SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8413DB-T1-E1 si8413db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 si8424cdb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8481DB-T1-E1
Виробник: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.66 грн
51+21.34 грн
139+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1 si8497db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8812DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8823EDB-T2-E1 si8823edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8824EDB-T2-E1 si8824edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8824EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 si8902aedb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8902AEDB-T2-E1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.02 грн
31+35.50 грн
84+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.02 грн
34+32.37 грн
92+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-E3.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.68 грн
5+71.62 грн
19+57.93 грн
52+54.26 грн
500+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-E3.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.68 грн
5+71.62 грн
19+57.93 грн
52+54.26 грн
500+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-GE3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Si9435BDY.PDF
Виробник: VISHAY
SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.50 грн
38+28.42 грн
105+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Si9435BDY.PDF
Виробник: VISHAY
SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-GE3 si9435bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.24 грн
8+40.87 грн
25+34.94 грн
37+30.35 грн
100+28.51 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.97 грн
44+24.65 грн
121+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 11558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.90 грн
26+42.95 грн
69+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 sia413adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3 SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf
Виробник: VISHAY
SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA416DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3 sia421dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA421DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3 sia4263dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 51.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 sia427adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 sia431dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3 sia432dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1119 1120 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5822  [ Наступна Сторінка >> ]