Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349416) > Сторінка 1116 з 5824

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1119 1120 1121 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5824  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY sia436dj.pdf SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY sia437dj.pdf SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY sia445edj.pdf SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 VISHAY sia445edjt.pdf SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 VISHAY sia446dj.pdf SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 VISHAY sia447dj.pdf SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 VISHAY sia449dj.pdf SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY sia456dj.pdf SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 VISHAY sia459edj.pdf SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 VISHAY sia461dj.pdf SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 VISHAY sia462dj.pdf SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY sia466edj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 VISHAY sia468dj.pdf SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.35 грн
71+15.17 грн
196+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY sia471dj.pdf SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA472EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 VISHAY SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3 VISHAY sia477edjt.pdf SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY sia483adj.pdf SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.04 грн
25+23.30 грн
65+17.20 грн
177+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 VISHAY sia485dj.pdf SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.27 грн
10+45.36 грн
50+34.21 грн
54+20.14 грн
148+19.04 грн
1000+18.94 грн
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 VISHAY sia519edj.pdf SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY sia527dj.pdf SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3 VISHAY sia533edj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 215/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 VISHAY sia537edj.pdf SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 VISHAY sia811adj.pdf SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY sia817edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY sia906ed.pdf SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY sia910edj.pdf SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 VISHAY sia913adj.pdf SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3 VISHAY sia918edj.pdf SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY sia921ed.pdf SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 VISHAY SiA923AEDJ.pdf SIA923AEDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3 VISHAY sia923edj.pdf SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 VISHAY sia928dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 VISHAY sia929dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A; 5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY sia931dj.pdf SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 VISHAY sia938djt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 VISHAY sia975dj.pdf SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3 VISHAY siaa00dj.pdf SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 VISHAY siaa02dj.pdf SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 VISHAY siaa00dj.pdf SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3 VISHAY sib406ed.pdf SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3 VISHAY sib417ed.pdf SIB417EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 VISHAY sib422edk.pdf SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3 VISHAY sib433ed.pdf SIB433EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY sib441edk.pdf SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 VISHAY sib452dk.pdf SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3 VISHAY sib456dk.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 13W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 VISHAY sib457ed.pdf SIB457EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB912DK-T1-GE3 VISHAY sib912dk.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 5A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: PowerPAK® SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 216mΩ
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401ACD-T1-GE3 VISHAY sic401a_bcd.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷17VDC; Uout: 0.6÷12.75VDC; MLP32
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: POL converter
Input voltage: 3...17V DC
Output voltage: 0.6...12.75V DC
Output current: 15A
Frequency: 0.2...1MHz
Mounting: SMD
Case: MLP32
Topology: buck
Supply voltage: 3...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
Efficiency: 95%
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Kind of package: reel; tape
Technology: mikroBUCK®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401BCD-T1-GE3 VISHAY sic401abcd.pdf SIC401BCD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402ACD-T1-GE3 VISHAY sic402a_bcd.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Case: MLP32
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 10A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 95%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Supply voltage: 3...5.5V
Topology: buck
Frequency: 0.2...1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402BCD-T1-GE3 VISHAY sic402a_bcd.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Case: MLP32
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 10A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 95%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Supply voltage: 3...5.5V
Topology: buck
Frequency: 0.2...1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403ACD-T1-GE3 VISHAY sic403a_bcd.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Case: MLP32
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 93%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Supply voltage: 3...5.5V
Topology: buck
Frequency: 0.2...1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403BCD-T1-GE3 VISHAY sic403a_bcd.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Mounting: SMD
Case: MLP32
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 0.2...1MHz
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 93%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3 sia445edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 sia445edjt.pdf
Виробник: VISHAY
SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 sia447dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 sia449dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 sia459edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.35 грн
71+15.17 грн
196+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA472EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf
Виробник: VISHAY
SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3 sia477edjt.pdf
Виробник: VISHAY
SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3 sia483adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.04 грн
25+23.30 грн
65+17.20 грн
177+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.27 грн
10+45.36 грн
50+34.21 грн
54+20.14 грн
148+19.04 грн
1000+18.94 грн
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 sia519edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 sia527dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3 sia533edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 215/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 sia537edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 sia811adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 sia906ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3 sia910edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3 sia918edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 sia921ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SiA923AEDJ.pdf
Виробник: VISHAY
SIA923AEDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3 sia923edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 sia928dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A; 5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 sia931dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 sia975dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 siaa02dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3 sib406ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3 sib417ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB417EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 sib422edk.pdf
Виробник: VISHAY
SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3 sib433ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB433EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
Виробник: VISHAY
SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 sib452dk.pdf
Виробник: VISHAY
SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3 sib456dk.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 13W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 sib457ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB457EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB912DK-T1-GE3 sib912dk.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 5A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: PowerPAK® SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 216mΩ
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401ACD-T1-GE3 sic401a_bcd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷17VDC; Uout: 0.6÷12.75VDC; MLP32
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: POL converter
Input voltage: 3...17V DC
Output voltage: 0.6...12.75V DC
Output current: 15A
Frequency: 0.2...1MHz
Mounting: SMD
Case: MLP32
Topology: buck
Supply voltage: 3...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
Efficiency: 95%
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Kind of package: reel; tape
Technology: mikroBUCK®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401BCD-T1-GE3 sic401abcd.pdf
Виробник: VISHAY
SIC401BCD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402ACD-T1-GE3 sic402a_bcd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Case: MLP32
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 10A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 95%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Supply voltage: 3...5.5V
Topology: buck
Frequency: 0.2...1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402BCD-T1-GE3 sic402a_bcd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Case: MLP32
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 10A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 95%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Supply voltage: 3...5.5V
Topology: buck
Frequency: 0.2...1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403ACD-T1-GE3 sic403a_bcd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Case: MLP32
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 93%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Supply voltage: 3...5.5V
Topology: buck
Frequency: 0.2...1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403BCD-T1-GE3 sic403a_bcd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Mounting: SMD
Case: MLP32
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 0.2...1MHz
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 93%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1119 1120 1121 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5824  [ Наступна Сторінка >> ]