Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (287672) > Сторінка 720 з 4795

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 479 715 716 717 718 719 720 721 722 723 724 725 958 1437 1916 2395 2874 3353 3832 4311 4790 4795  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI7942DP-T1-E3 VISHAY 72118.pdf SI7942DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7942DP-T1-GE3 VISHAY 72118.pdf SI7942DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY si7946adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI7956DP-T1-E3 VISHAY 72960.pdf SI7956DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7956DP-T1-GE3 VISHAY 72960.pdf SI7956DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si7972DP-T1-GE3 VISHAY si7972dp.pdf SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7994DP-T1-GE3 VISHAY si7994dp.pdf SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7997DP-T1-GE3 VISHAY si7997dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI7998DP-T1-GE3 VISHAY si7998dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8401DB-T1-E1 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8401DB-T1-E3 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8406DB-T2-E1 VISHAY si8406db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8409DB-T1-E1 VISHAY si8409db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si8410DB-T2-E1 VISHAY si8410db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8413DB-T1-E1 VISHAY si8413db.pdf SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8416DB-T2-E1 VISHAY si8416db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 16A; Idm: 20A; 13W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 16A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8424CDB-T1-E1 VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.59 грн
51+ 19.1 грн
138+ 18.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 82mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 49nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
On-state resistance: 0.12Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 0.32Ω
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -15A
Gate charge: 19nC
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8821EDB-T2-E1 VISHAY si8821edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.3A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si8823EDB-T2-E1 VISHAY si8823edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 335mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8824EDB-T2-E1 VISHAY si8824edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8851EDB-T2-E1 VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY si8902aedb.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5.7W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.85 грн
7+ 41.12 грн
25+ 34.58 грн
30+ 31.71 грн
83+ 29.98 грн
500+ 28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.85 грн
7+ 41.12 грн
25+ 34.58 грн
30+ 31.71 грн
83+ 29.98 грн
500+ 28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.39 грн
5+ 67.39 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
500+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.39 грн
5+ 67.39 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
500+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI9433BDY-T1-GE3 VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 VISHAY SI9435BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+35.39 грн
10+ 32.16 грн
38+ 25.38 грн
105+ 23.99 грн
2500+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 VISHAY SI9435BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+35.39 грн
10+ 32.16 грн
38+ 25.38 грн
105+ 23.99 грн
2500+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY si9435bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.89 грн
8+ 36.51 грн
25+ 31.22 грн
35+ 27.11 грн
97+ 25.47 грн
500+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY si9926cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY SI9933CDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.93 грн
9+ 30.03 грн
25+ 25.47 грн
44+ 22.02 грн
120+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12866 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.51 грн
5+ 70.29 грн
22+ 43.79 грн
61+ 41.4 грн
2500+ 40.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY sia106dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7942DP-T1-E3 72118.pdf
Виробник: VISHAY
SI7942DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7942DP-T1-GE3 72118.pdf
Виробник: VISHAY
SI7942DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7946ADP-T1-GE3 si7946adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
Виробник: VISHAY
SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI7956DP-T1-E3 72960.pdf
Виробник: VISHAY
SI7956DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
Виробник: VISHAY
SI7956DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7994DP-T1-GE3 si7994dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7997DP-T1-GE3 si7997dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI7998DP-T1-GE3 si7998dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8401DB-T1-E1 si8401db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8401DB-T1-E3 si8401db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si8410DB-T2-E1 si8410db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8413DB-T1-E1 si8413db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 16A; Idm: 20A; 13W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 16A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8424CDB-T1-E1 si8424cdb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si8481DB-T1-E1
Виробник: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.59 грн
51+ 19.1 грн
138+ 18.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 82mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8497DB-T2-E1 si8497db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 49nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
On-state resistance: 0.12Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 0.32Ω
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -15A
Gate charge: 19nC
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.3A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si8823EDB-T2-E1 si8823edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 335mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8824EDB-T2-E1 si8824edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8902AEDB-T2-E1 si8902aedb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5.7W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.85 грн
7+ 41.12 грн
25+ 34.58 грн
30+ 31.71 грн
83+ 29.98 грн
500+ 28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.85 грн
7+ 41.12 грн
25+ 34.58 грн
30+ 31.71 грн
83+ 29.98 грн
500+ 28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
Si9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-E3.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.39 грн
5+ 67.39 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
500+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-E3.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.39 грн
5+ 67.39 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
500+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI9433BDY-T1-GE3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-E3.pdf
SI9435BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.39 грн
10+ 32.16 грн
38+ 25.38 грн
105+ 23.99 грн
2500+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-E3.pdf
SI9435BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.39 грн
10+ 32.16 грн
38+ 25.38 грн
105+ 23.99 грн
2500+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-GE3 si9435bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.89 грн
8+ 36.51 грн
25+ 31.22 грн
35+ 27.11 грн
97+ 25.47 грн
500+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.93 грн
9+ 30.03 грн
25+ 25.47 грн
44+ 22.02 грн
120+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
SI9945BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12866 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.51 грн
5+ 70.29 грн
22+ 43.79 грн
61+ 41.4 грн
2500+ 40.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 479 715 716 717 718 719 720 721 722 723 724 725 958 1437 1916 2395 2874 3353 3832 4311 4790 4795  [ Наступна Сторінка >> ]