Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2886) > Сторінка 47 з 49
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YBSM4006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6006 | Yangjie Technology |
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | Yangjie Technology |
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes BridgePart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJ2N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJD112005PYG4 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ir: 5uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 5µA Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD20N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FEPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG30N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A TransistorsPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40G10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40G10AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG50N03B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N06B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N10A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH10N02A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJJ09N03A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 30V 9A TransistorsPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL03G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.3nC |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL03N04A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL03N06AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL03N06B | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FETPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL05N04AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL05N06AL | Yangjie Technology | Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| YBSM4006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 63.40 грн |
| YBSM4008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 19.38 грн |
| 40+ | 10.53 грн |
| 100+ | 9.29 грн |
| 500+ | 8.54 грн |
| YBSM4010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.54 грн |
| 25+ | 16.75 грн |
| 100+ | 14.76 грн |
| 500+ | 13.27 грн |
| YBSM6006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 25.36 грн |
| 25+ | 17.66 грн |
| 100+ | 15.59 грн |
| 500+ | 14.01 грн |
| YBSM6006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 18.91 грн |
| 9000+ | 17.16 грн |
| 18000+ | 16.19 грн |
| 36000+ | 14.22 грн |
| 72000+ | 12.82 грн |
| 180000+ | 11.83 грн |
| YBSM6008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 18.48 грн |
| 26+ | 16.00 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| 500+ | 12.69 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 17.69 грн |
| 9000+ | 16.05 грн |
| 18000+ | 15.15 грн |
| 36000+ | 13.30 грн |
| 72000+ | 11.99 грн |
| 180000+ | 11.07 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.40 грн |
| 15+ | 29.43 грн |
| 25+ | 17.66 грн |
| 100+ | 15.92 грн |
| 500+ | 14.01 грн |
| YJ2N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.86 грн |
| 50000+ | 1.72 грн |
| 100000+ | 1.57 грн |
| 200000+ | 1.40 грн |
| 400000+ | 1.26 грн |
| 1000000+ | 1.19 грн |
| YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 51.45 грн |
| 4000+ | 46.79 грн |
| 8000+ | 44.03 грн |
| 16000+ | 38.73 грн |
| 32000+ | 34.87 грн |
| 80000+ | 32.28 грн |
| YJD112005PYG4 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 411.48 грн |
| 12500+ | 374.22 грн |
| 25000+ | 352.21 грн |
| 50000+ | 309.88 грн |
| 100000+ | 278.85 грн |
| 250000+ | 258.20 грн |
| YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.35 грн |
| 12500+ | 23.95 грн |
| 25000+ | 22.54 грн |
| 50000+ | 19.82 грн |
| 100000+ | 17.86 грн |
| 250000+ | 16.53 грн |
| YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.72 грн |
| 12500+ | 13.36 грн |
| 25000+ | 12.54 грн |
| 50000+ | 11.06 грн |
| 100000+ | 9.94 грн |
| 250000+ | 9.24 грн |
| YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.35 грн |
| 12500+ | 23.95 грн |
| 25000+ | 22.54 грн |
| 50000+ | 19.82 грн |
| 100000+ | 17.86 грн |
| 250000+ | 16.53 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.49 грн |
| 12500+ | 13.21 грн |
| 25000+ | 12.39 грн |
| 50000+ | 10.92 грн |
| 100000+ | 9.80 грн |
| 250000+ | 9.10 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 20.63 грн |
| 30+ | 16.08 грн |
| 100+ | 14.51 грн |
| 500+ | 12.77 грн |
| 2500+ | 11.52 грн |
| YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.84 грн |
| 12500+ | 9.86 грн |
| 25000+ | 9.28 грн |
| 50000+ | 8.17 грн |
| 100000+ | 7.36 грн |
| 250000+ | 6.82 грн |
| YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.26 грн |
| 12500+ | 12.98 грн |
| 25000+ | 12.24 грн |
| 50000+ | 10.71 грн |
| 100000+ | 9.66 грн |
| 250000+ | 8.96 грн |
| YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.06 грн |
| 12500+ | 17.31 грн |
| 25000+ | 16.34 грн |
| 50000+ | 14.36 грн |
| 100000+ | 12.96 грн |
| 250000+ | 11.97 грн |
| YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.94 грн |
| 12500+ | 11.79 грн |
| 25000+ | 11.12 грн |
| 50000+ | 9.73 грн |
| 100000+ | 8.75 грн |
| 250000+ | 8.12 грн |
| YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.41 грн |
| 12500+ | 13.13 грн |
| 25000+ | 12.39 грн |
| 50000+ | 10.85 грн |
| 100000+ | 9.80 грн |
| 250000+ | 9.03 грн |
| YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.13 грн |
| 12500+ | 16.49 грн |
| 25000+ | 15.52 грн |
| 50000+ | 13.66 грн |
| 100000+ | 12.33 грн |
| 250000+ | 11.41 грн |
| YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.94 грн |
| 12500+ | 11.79 грн |
| 25000+ | 11.12 грн |
| 50000+ | 9.73 грн |
| 100000+ | 8.75 грн |
| 250000+ | 8.12 грн |
| YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.26 грн |
| 12500+ | 22.98 грн |
| 25000+ | 21.64 грн |
| 50000+ | 19.05 грн |
| 100000+ | 17.16 грн |
| 250000+ | 15.90 грн |
| YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 22.01 грн |
| 25000+ | 20.07 грн |
| 50000+ | 18.88 грн |
| 100000+ | 16.60 грн |
| 200000+ | 14.92 грн |
| 500000+ | 13.80 грн |
| YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 18.24 грн |
| 25000+ | 16.59 грн |
| 50000+ | 15.61 грн |
| 100000+ | 13.73 грн |
| 200000+ | 12.35 грн |
| 500000+ | 11.43 грн |
| YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 22.78 грн |
| 25000+ | 20.74 грн |
| 50000+ | 19.55 грн |
| 100000+ | 17.16 грн |
| 200000+ | 15.48 грн |
| 500000+ | 14.29 грн |
| YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.15 грн |
| 25000+ | 19.25 грн |
| 50000+ | 18.13 грн |
| 100000+ | 15.97 грн |
| 200000+ | 14.36 грн |
| 500000+ | 13.31 грн |
| YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.00 грн |
| 25000+ | 10.00 грн |
| 50000+ | 9.40 грн |
| 100000+ | 8.33 грн |
| 200000+ | 7.49 грн |
| 500000+ | 6.93 грн |
| YJG30N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.26 грн |
| 25000+ | 12.98 грн |
| 50000+ | 12.24 грн |
| 100000+ | 10.71 грн |
| 200000+ | 9.66 грн |
| 500000+ | 8.96 грн |
| YJG40G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.68 грн |
| 25000+ | 17.91 грн |
| 50000+ | 16.86 грн |
| 100000+ | 14.85 грн |
| 200000+ | 13.31 грн |
| 500000+ | 12.33 грн |
| YJG40G10AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 38.90 грн |
| 25000+ | 35.37 грн |
| 50000+ | 33.28 грн |
| 100000+ | 29.27 грн |
| 200000+ | 26.33 грн |
| 500000+ | 24.37 грн |
| YJG40N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.47 грн |
| 25000+ | 10.45 грн |
| 50000+ | 9.78 грн |
| 100000+ | 8.61 грн |
| 200000+ | 7.77 грн |
| 500000+ | 7.21 грн |
| YJG40P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.67 грн |
| 25000+ | 12.48 грн |
| 50000+ | 11.73 грн |
| 100000+ | 10.31 грн |
| 200000+ | 9.28 грн |
| 500000+ | 8.58 грн |
| YJG50N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 12.94 грн |
| 25000+ | 11.79 грн |
| 50000+ | 11.12 грн |
| 100000+ | 9.73 грн |
| 200000+ | 8.75 грн |
| 500000+ | 8.12 грн |
| YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 37.07 грн |
| 25000+ | 33.75 грн |
| 50000+ | 31.74 грн |
| 100000+ | 27.90 грн |
| 200000+ | 25.13 грн |
| 500000+ | 23.30 грн |
| YJH03N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 4.06 грн |
| 5000+ | 3.70 грн |
| 10000+ | 3.49 грн |
| 20000+ | 3.08 грн |
| 40000+ | 2.75 грн |
| 100000+ | 2.55 грн |
| YJH03N06B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 4.06 грн |
| 5000+ | 3.70 грн |
| 10000+ | 3.49 грн |
| 20000+ | 3.08 грн |
| 40000+ | 2.75 грн |
| 100000+ | 2.55 грн |
| YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 11.07 грн |
| 100+ | 7.21 грн |
| 500+ | 6.47 грн |
| 3000+ | 5.72 грн |
| YJH03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 6.90 грн |
| 5000+ | 6.27 грн |
| 10000+ | 5.90 грн |
| 20000+ | 5.18 грн |
| 40000+ | 4.69 грн |
| 100000+ | 4.34 грн |
| YJH10N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 6.90 грн |
| 5000+ | 6.27 грн |
| 10000+ | 5.90 грн |
| 20000+ | 5.18 грн |
| 40000+ | 4.69 грн |
| 100000+ | 4.34 грн |
| YJJ09N03A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.74 грн |
| 15000+ | 6.12 грн |
| 30000+ | 5.75 грн |
| 60000+ | 5.04 грн |
| 120000+ | 4.55 грн |
| 300000+ | 4.20 грн |
| YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 6.19 грн |
| 130+ | 3.27 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| YJL03G10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 17.86 грн |
| YJL03N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.32 грн |
| 15000+ | 2.09 грн |
| 30000+ | 1.94 грн |
| 60000+ | 1.75 грн |
| 120000+ | 1.54 грн |
| 300000+ | 1.47 грн |
| YJL03N06AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.96 грн |
| 15000+ | 4.48 грн |
| 30000+ | 4.25 грн |
| 60000+ | 3.71 грн |
| 120000+ | 3.36 грн |
| 300000+ | 3.08 грн |
| YJL03N06B |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.61 грн |
| 15000+ | 2.37 грн |
| 30000+ | 2.23 грн |
| 60000+ | 1.97 грн |
| 120000+ | 1.77 грн |
| 300000+ | 1.64 грн |
| YJL05N04AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.74 грн |
| 15000+ | 3.45 грн |
| 30000+ | 3.24 грн |
| 60000+ | 2.84 грн |
| 120000+ | 2.57 грн |
| 300000+ | 2.36 грн |
| YJL05N06AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.83 грн |
| 15000+ | 5.33 грн |
| 30000+ | 4.97 грн |
| 60000+ | 4.39 грн |
| 120000+ | 3.99 грн |
| 300000+ | 3.65 грн |


























