Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2821) > Сторінка 46 з 48
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YBS3010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YBSM40005 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 50V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4001 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1312 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4002 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4006 | Yangjie Technology | Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 972 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6001 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6006 | Yangjie Technology |
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | Yangjie Technology |
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes BridgePart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJ2N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD20N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FEPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG30N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A TransistorsPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40G10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40G10AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG50N03B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N06B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 4W Gate charge: 16nC Technology: TRENCH POWER MV Drain current: 2.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω |
на замовлення 6860 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH03N10A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJH10N02A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJJ09N03A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 30V 9A TransistorsPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL03G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.3nC |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJL03N04A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| YBS3010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| YBSM40005 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 23.88 грн |
| 32+ | 13.07 грн |
| 100+ | 11.58 грн |
| YBSM4001 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 16.93 грн |
| 45+ | 9.27 грн |
| 100+ | 8.19 грн |
| 500+ | 8.02 грн |
| YBSM4002 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 16.93 грн |
| 45+ | 9.27 грн |
| 100+ | 8.19 грн |
| 500+ | 8.02 грн |
| YBSM4006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 63.25 грн |
| YBSM4006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 14.43 грн |
| 9000+ | 13.12 грн |
| 18000+ | 12.35 грн |
| 36000+ | 10.86 грн |
| 72000+ | 9.74 грн |
| 180000+ | 9.02 грн |
| YBSM4008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 18.98 грн |
| 40+ | 10.51 грн |
| 100+ | 9.27 грн |
| 500+ | 8.52 грн |
| YBSM4010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.47 грн |
| 25+ | 16.71 грн |
| 100+ | 14.73 грн |
| 500+ | 13.24 грн |
| YBSM6001 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 23.52 грн |
| 27+ | 15.88 грн |
| 100+ | 14.06 грн |
| YBSM6006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 18.87 грн |
| 9000+ | 17.12 грн |
| 18000+ | 16.16 грн |
| 36000+ | 14.18 грн |
| 72000+ | 12.79 грн |
| 180000+ | 11.81 грн |
| YBSM6006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 25.66 грн |
| 25+ | 17.87 грн |
| 100+ | 15.80 грн |
| 500+ | 14.15 грн |
| YBSM6008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 18.44 грн |
| 26+ | 15.97 грн |
| 100+ | 14.06 грн |
| 500+ | 12.66 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 17.65 грн |
| 9000+ | 16.02 грн |
| 18000+ | 15.11 грн |
| 36000+ | 13.27 грн |
| 72000+ | 11.96 грн |
| 180000+ | 11.05 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 64.32 грн |
| 14+ | 29.86 грн |
| 25+ | 17.95 грн |
| 100+ | 16.13 грн |
| 500+ | 14.23 грн |
| YJ2N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.86 грн |
| 50000+ | 1.71 грн |
| 100000+ | 1.56 грн |
| 200000+ | 1.40 грн |
| 400000+ | 1.26 грн |
| 1000000+ | 1.19 грн |
| YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 51.34 грн |
| 4000+ | 46.68 грн |
| 8000+ | 43.93 грн |
| 16000+ | 38.64 грн |
| 32000+ | 34.80 грн |
| 80000+ | 32.21 грн |
| YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 410.56 грн |
| 12500+ | 373.39 грн |
| 25000+ | 351.43 грн |
| 50000+ | 309.19 грн |
| 100000+ | 278.23 грн |
| 250000+ | 257.62 грн |
| YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.29 грн |
| 12500+ | 23.90 грн |
| 25000+ | 22.49 грн |
| 50000+ | 19.77 грн |
| 100000+ | 17.82 грн |
| 250000+ | 16.49 грн |
| YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.69 грн |
| 12500+ | 13.33 грн |
| 25000+ | 12.51 грн |
| 50000+ | 11.04 грн |
| 100000+ | 9.92 грн |
| 250000+ | 9.22 грн |
| YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.29 грн |
| 12500+ | 23.90 грн |
| 25000+ | 22.49 грн |
| 50000+ | 19.77 грн |
| 100000+ | 17.82 грн |
| 250000+ | 16.49 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.46 грн |
| 12500+ | 13.18 грн |
| 25000+ | 12.36 грн |
| 50000+ | 10.90 грн |
| 100000+ | 9.78 грн |
| 250000+ | 9.08 грн |
| YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.81 грн |
| 12500+ | 9.84 грн |
| 25000+ | 9.26 грн |
| 50000+ | 8.15 грн |
| 100000+ | 7.35 грн |
| 250000+ | 6.81 грн |
| YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.23 грн |
| 12500+ | 12.96 грн |
| 25000+ | 12.21 грн |
| 50000+ | 10.69 грн |
| 100000+ | 9.64 грн |
| 250000+ | 8.94 грн |
| YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.02 грн |
| 12500+ | 17.27 грн |
| 25000+ | 16.31 грн |
| 50000+ | 14.32 грн |
| 100000+ | 12.93 грн |
| 250000+ | 11.95 грн |
| YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.91 грн |
| 12500+ | 11.76 грн |
| 25000+ | 11.09 грн |
| 50000+ | 9.71 грн |
| 100000+ | 8.73 грн |
| 250000+ | 8.11 грн |
| YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.38 грн |
| 12500+ | 13.10 грн |
| 25000+ | 12.36 грн |
| 50000+ | 10.83 грн |
| 100000+ | 9.78 грн |
| 250000+ | 9.01 грн |
| YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.09 грн |
| 12500+ | 16.45 грн |
| 25000+ | 15.49 грн |
| 50000+ | 13.63 грн |
| 100000+ | 12.30 грн |
| 250000+ | 11.39 грн |
| YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.91 грн |
| 12500+ | 11.76 грн |
| 25000+ | 11.09 грн |
| 50000+ | 9.71 грн |
| 100000+ | 8.73 грн |
| 250000+ | 8.11 грн |
| YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.21 грн |
| 12500+ | 22.93 грн |
| 25000+ | 21.59 грн |
| 50000+ | 19.01 грн |
| 100000+ | 17.12 грн |
| 250000+ | 15.86 грн |
| YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.96 грн |
| 25000+ | 20.03 грн |
| 50000+ | 18.84 грн |
| 100000+ | 16.56 грн |
| 200000+ | 14.88 грн |
| 500000+ | 13.76 грн |
| YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 18.20 грн |
| 25000+ | 16.55 грн |
| 50000+ | 15.57 грн |
| 100000+ | 13.70 грн |
| 200000+ | 12.32 грн |
| 500000+ | 11.40 грн |
| YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 22.73 грн |
| 25000+ | 20.70 грн |
| 50000+ | 19.51 грн |
| 100000+ | 17.12 грн |
| 200000+ | 15.44 грн |
| 500000+ | 14.25 грн |
| YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.11 грн |
| 25000+ | 19.21 грн |
| 50000+ | 18.09 грн |
| 100000+ | 15.93 грн |
| 200000+ | 14.32 грн |
| 500000+ | 13.28 грн |
| YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 10.98 грн |
| 25000+ | 9.98 грн |
| 50000+ | 9.38 грн |
| 100000+ | 8.31 грн |
| 200000+ | 7.48 грн |
| 500000+ | 6.92 грн |
| YJG30N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.23 грн |
| 25000+ | 12.96 грн |
| 50000+ | 12.21 грн |
| 100000+ | 10.69 грн |
| 200000+ | 9.64 грн |
| 500000+ | 8.94 грн |
| YJG40G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.64 грн |
| 25000+ | 17.87 грн |
| 50000+ | 16.83 грн |
| 100000+ | 14.81 грн |
| 200000+ | 13.28 грн |
| 500000+ | 12.30 грн |
| YJG40G10AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 38.81 грн |
| 25000+ | 35.29 грн |
| 50000+ | 33.21 грн |
| 100000+ | 29.21 грн |
| 200000+ | 26.27 грн |
| 500000+ | 24.32 грн |
| YJG40N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.44 грн |
| 25000+ | 10.42 грн |
| 50000+ | 9.75 грн |
| 100000+ | 8.59 грн |
| 200000+ | 7.76 грн |
| 500000+ | 7.20 грн |
| YJG40P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.64 грн |
| 25000+ | 12.45 грн |
| 50000+ | 11.71 грн |
| 100000+ | 10.28 грн |
| 200000+ | 9.26 грн |
| 500000+ | 8.56 грн |
| YJG50N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 12.91 грн |
| 25000+ | 11.76 грн |
| 50000+ | 11.09 грн |
| 100000+ | 9.71 грн |
| 200000+ | 8.73 грн |
| 500000+ | 8.11 грн |
| YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 36.99 грн |
| 25000+ | 33.68 грн |
| 50000+ | 31.67 грн |
| 100000+ | 27.83 грн |
| 200000+ | 25.07 грн |
| 500000+ | 23.25 грн |
| YJH03N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 4.05 грн |
| 5000+ | 3.69 грн |
| 10000+ | 3.48 грн |
| 20000+ | 3.07 грн |
| 40000+ | 2.75 грн |
| 100000+ | 2.55 грн |
| YJH03N06B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 4.05 грн |
| 5000+ | 3.69 грн |
| 10000+ | 3.48 грн |
| 20000+ | 3.07 грн |
| 40000+ | 2.75 грн |
| 100000+ | 2.55 грн |
| YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 11.23 грн |
| 100+ | 7.36 грн |
| 500+ | 6.62 грн |
| 3000+ | 5.79 грн |
| YJH03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 6.88 грн |
| 5000+ | 6.25 грн |
| 10000+ | 5.88 грн |
| 20000+ | 5.17 грн |
| 40000+ | 4.68 грн |
| 100000+ | 4.33 грн |
| YJH10N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 6.88 грн |
| 5000+ | 6.25 грн |
| 10000+ | 5.88 грн |
| 20000+ | 5.17 грн |
| 40000+ | 4.68 грн |
| 100000+ | 4.33 грн |
| YJJ09N03A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.73 грн |
| 15000+ | 6.11 грн |
| 30000+ | 5.73 грн |
| 60000+ | 5.03 грн |
| 120000+ | 4.54 грн |
| 300000+ | 4.19 грн |
| YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 6.17 грн |
| 130+ | 3.26 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| YJL03G10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 17.82 грн |
| YJL03N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.32 грн |
| 15000+ | 2.08 грн |
| 30000+ | 1.94 грн |
| 60000+ | 1.75 грн |
| 120000+ | 1.54 грн |
| 300000+ | 1.47 грн |






























