Продукція > RJK

10+ROHS SMT3

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK005N03

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK005N03

SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK005N03FRAT146

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RJK005N03FRAT146

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.42 грн
32+	23.98 грн
100+	13.3 грн
500+	8.46 грн
1000+	6 грн

Мінімальне замовлення: 24

RJK005N03FRAT146

ROHM SEMICONDUCTOR

товар відсутній

RJK005N03FRAT146

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.43 грн
17+	18.99 грн
100+	7.46 грн
1000+	5.73 грн
3000+	4.99 грн
9000+	4.46 грн
24000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

RJK005N03FRAT146

Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK005N03FRAT146

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.3 грн
500+	8.46 грн
1000+	6 грн

Мінімальне замовлення: 100

RJK005N03FRAT146

Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

на замовлення 3878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK005N03T146

ROHM Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 500MA

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.73 грн
15+	20.75 грн
100+	9.86 грн
1000+	6.79 грн
3000+	5.99 грн
9000+	5.39 грн
24000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 12

RJK005N03T146

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.06 грн
6000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK005N03T146

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 11262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
13+	22.13 грн
100+	15.06 грн
500+	10.6 грн
1000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 11

RJK005N03T146

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0202DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOP

товар відсутній

RJK0204

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0204DPA

на замовлення 5555 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0204DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	73.48 грн

Мінімальне замовлення: 296

RJK0204DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 50A WPAK

товар відсутній

RJK0204DPA-00-J53

на замовлення 5645 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0206

на замовлення 4543 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0206DPA

на замовлення 3789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0206DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 70A WPAK

товар відсутній

RJK0208

на замовлення 4784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0208DPA

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0208DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 65A WPAK

товар відсутній

RJK0208DPA-00-J5A

на замовлення 4226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0210

на замовлення 3555 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0210DPA

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0210DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 40A WPAK

товар відсутній

RJK0211

на замовлення 4222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0211DPA

на замовлення 4322 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0211DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Supplier Device Package: WPAK(3)
Part Status: Active

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

439+	48.98 грн

Мінімальне замовлення: 439

RJK0212DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

524+	41.06 грн

Мінімальне замовлення: 524

RJK0214DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/45A WPAK

товар відсутній

RJK0214DPA-00-J53

на замовлення 1135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0215DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/40A WPAK

товар відсутній

RJK0216DPA-00#J53

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	79.51 грн

Мінімальне замовлення: 255

RJK0222DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8W, 10W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

на замовлення 340000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

284+	71.42 грн

Мінімальне замовлення: 284

RJK0223DNS-00#J5

Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON

товар відсутній

RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

товар відсутній

RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

товар відсутній

RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

товар відсутній

RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

товар відсутній

RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

товар відсутній

RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

товар відсутній

RJK0226DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0230DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A/50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-WPAK-D
Part Status: Active

на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	128.18 грн

Мінімальне замовлення: 160

RJK0230DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	113.18 грн

Мінімальне замовлення: 181

RJK0236DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	60.53 грн

Мінімальне замовлення: 332

RJK0301DPB

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0301DPB

товар відсутній

RJK0301DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

товар відсутній

RJK0301DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

на замовлення 29286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	139.09 грн

Мінімальне замовлення: 148

RJK0301DPB-00#JO

на замовлення 9765 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0301DPB-00-J0

LFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0301
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0301DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0301DPB-02#J0

California Eastern Laboratories

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0301DPB-02#J0

POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK

товар відсутній

RJK0301DPB-02#J0

MOSFET POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK

товар відсутній

RJK0301DPB-E-L

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0301DPB-OO-J0

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0301DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0301DPB-WS#J0

товар відсутній

RJK0301DPC

на замовлення 8622 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0302DPB

товар відсутній

RJK0302DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

товар відсутній

RJK0302DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 5-LFPAK

товар відсутній

RJK0302DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 50A 5-Pin(4+Tab) LFPAK

товар відсутній

RJK0302DPB-00-J0
Код товару: 142717

товар відсутній

RJK0302DPB-00-J0

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB

06+NOP

на замовлення 205 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB

товар відсутній

RJK0303DPB

06+

на замовлення 205 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB

09+

на замовлення 238 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB-00#J0

на замовлення 18425 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 40A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0303DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK

товар відсутній

RJK0303DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

товар відсутній

RJK0303DPB-00-J0

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB-00-JO

на замовлення 185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0303DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH LFPAK

товар відсутній

RJK0303DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH LFPAK

товар відсутній

RJK0303DPC-00-J0

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0304DPB

товар відсутній

RJK0304DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK

товар відсутній

RJK0304DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

товар відсутній

RJK0304DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

товар відсутній

RJK0304DPB-00-J0

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0304DPB-00-JO

на замовлення 4981 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0304DPC

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0304DPC-00-J0

на замовлення 3788 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPB

товар відсутній

RJK0305DPB

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPB-00

на замовлення 273 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

товар відсутній

RJK0305DPB-00#J0

LFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0305
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

RJK0305DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

товар відсутній

RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

товар відсутній

RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK

товар відсутній

RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

товар відсутній

RJK0305DPB-00#JO

на замовлення 4952 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPB-00-J0

08+ TO252-4

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPB-00-JO

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0305DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0305DPB-02#J0

California Eastern Laboratories

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0305DPB-02#J0

POWER MOSFET

товар відсутній

RJK0305DPB-WS#J0

товар відсутній

RJK0305DPB-WS#J0

WORKING SAMPLES

товар відсутній

RJK0305DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0305DPC

на замовлення 20569 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305DPC-00-JO

на замовлення 3281 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0305PB-00-JO

на замовлення 2207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0316DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0316DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

товар відсутній

RJK0316DSP

06+

на замовлення 554 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0316DSP

09+

на замовлення 587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0316DSP

06+NOP

на замовлення 554 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0316DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

товар відсутній

RJK0316DSP-00-J0

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0317DSP-00-J0

на замовлення 1243 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0318JPB-01-JO

на замовлення 2474 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0319JPB-01-JO

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0320DQM

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0320DQM-00#H1

Description: MOSFET N-CH

товар відсутній

RJK0328DPB

на замовлення 10479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0328DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

на замовлення 11590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	100.91 грн

Мінімальне замовлення: 204

RJK0328DPB-00-J0

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0328DPB-01

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0328DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0328DPB-01#J0

sc100-5/POWER MOSFETS FOR GENERALSWITCHING RJK0328
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK0328DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

на замовлення 1572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.22 грн
10+	157.6 грн
100+	127.48 грн
500+	106.34 грн
1000+	91.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0328DPB-01#J0

MOSFET PowerMOSFET

на замовлення 940 шт:

термін постачання 298-307 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	204.48 грн
100+	145.84 грн
500+	123.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK03290PB

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0329DPB-00-J0

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0329DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 10 V

на замовлення 19257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

285+	71.59 грн

Мінімальне замовлення: 285

RJK0329DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0330DPB-00#J0

Tianma Microelectronics

Old Part RJK0330DPB-00#J0^NEC

товар відсутній

RJK0330DPB-00#JO

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0330DPB-01#J0

SILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

RJK0330DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0330DPB-01#J0

MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.35 грн
10+	150.1 грн
100+	103.89 грн
250+	95.89 грн
500+	87.24 грн
1000+	75.25 грн
2500+	72.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0330DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0330DPB-W1#J0

Description: IGBT

товар відсутній

RJK0330DPB-WS#J0

Description: IGBT

товар відсутній

RJK0330DPB-WS#J0

WORKING SAMPLES

товар відсутній

RJK0331DPB

товар відсутній

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

товар відсутній

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

товар відсутній

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

товар відсутній

RJK0331DPB-00-J0

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0331DPB-01#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0332DPB

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0332DPB-00#J0

Tianma Microelectronics

Old Part RJK0332DPB-00#J0^NEC

товар відсутній

RJK0332DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

товар відсутній

RJK0332DPB-01#J0

Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.43 грн
10+	110.56 грн
100+	83.67 грн
500+	66.73 грн
1000+	52.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

RJK0332DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0332DPB-01#J0

MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF

на замовлення 2083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.41 грн
10+	110.28 грн
100+	75.92 грн
250+	70.59 грн
500+	63.8 грн
1000+	54.67 грн
2500+	51.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0332DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0346

на замовлення 2070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0346DPA

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0346DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0346DPA-00-J0

WPAK 08+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0346DPA-00-JO

на замовлення 1118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0346DPA-01#J0B

MOSFET JET MOSFET 30V WPAK Pb/Halogen Free

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	196.56 грн
10+	173.84 грн
100+	121.87 грн
500+	99.89 грн
1000+	82.58 грн
2500+	76.58 грн
5000+	73.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0346DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	89.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0346DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	183.95 грн

Мінімальне замовлення: 111

RJK0346DPA00J0

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0348DPA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0348DPA-00#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V

на замовлення 635000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	138.31 грн

Мінімальне замовлення: 156

RJK0348DPA-00-J0

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0348DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	86.89 грн

Мінімальне замовлення: 235

RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

товар відсутній

RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

товар відсутній

RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

товар відсутній

RJK0348DPA00J0

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0348DSP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0348DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0348DSPOOJO

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DPA

07+NOP

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DPA

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK0349DPA-00#J0

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK0349DPA-00-J0

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

361+	55.21 грн

Мінімальне замовлення: 361

RJK0349DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	52.27 грн

Мінімальне замовлення: 391

RJK0349DPA00J0

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DSP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0349DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0349DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0349DSP-00#J0

MOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET

товар відсутній

RJK0349DSP-01#J0

MOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET, HF version

товар відсутній

RJK0349DSP-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.48 грн
5000+	43.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0349DSP-WS#J0

Description: IGBT
Packaging: Tray

товар відсутній

RJK0349DSP00J0

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0350DPA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA

SOP-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA

06+

на замовлення 313 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA

09+

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA

WPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA

06+NOP

на замовлення 313 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 10 V

на замовлення 182230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	66.27 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0351DPA-00-J0

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA-01

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA-01#J0

на замовлення 37525 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

товар відсутній

RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

товар відсутній

RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

товар відсутній

RJK0351DPA-02#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	57.7 грн

Мінімальне замовлення: 352

RJK0351DPA-02-J0

на замовлення 1951 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA-03#J0B

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	61.2 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0351DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

410+	57.7 грн

Мінімальне замовлення: 410

RJK0351DPA00J0

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DPA3

на замовлення 4594 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DSP

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

товар відсутній

RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

товар відсутній

RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

товар відсутній

RJK0351DSP00J0

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0352DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

на замовлення 182500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0352DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0353DPA

08+

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DPA

08+

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DPA

SOP-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DPA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK0353DPA-00#J0
Код товару: 104733

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK0353DPA-00-J0

на замовлення 177 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DPA-01#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	78.16 грн

Мінімальне замовлення: 259

RJK0353DPA-01#J0B

MOSFET JET Series MOSFET, 30V, WPAK, Pb Fr, HF

товар відсутній

RJK0353DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.86 грн
5000+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0353DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	57.28 грн

Мінімальне замовлення: 352

RJK0353DPA-WS#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0353DPA00J0

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DSP

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0353DSP-00#J0

SOPN-CHANNEL, SINGLE, SOP, 30V, ID(DC)18A, @VG RJK0353
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

товар відсутній

RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

товар відсутній

RJK0353DSP-00#J0
Код товару: 104693

товар відсутній

RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

товар відсутній

RJK0353DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

607+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 607

RJK0354DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0354DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0354DSP-00#J0

MOSFET SPEED SERIES MOSFET 30V SO-8 PB FREE

на замовлення 3901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	97.26 грн
100+	65.93 грн
500+	54.41 грн
1000+	42.95 грн
2500+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0354DSP-00-J0

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355-DPA-00

на замовлення 27400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355-DPA-00(диод)
Код товару: 45764

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

RJK0355DPA

SOP-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355DPA

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355DPA м/с
Код товару: 60040

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0355DPA-00-J0

на замовлення 10127 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	61.2 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0355DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 3405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	61.2 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0355DPA00J0

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355DSP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0355DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	67.29 грн
100+	52.3 грн
500+	41.61 грн
1000+	33.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK0355DSP-00#J0

MOSFET SPEED SERIES MOSFET 30V SO-8 PB FREE

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.45 грн
10+	74.82 грн
100+	50.54 грн
500+	42.89 грн
1000+	34.9 грн
2500+	32.83 грн
5000+	31.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK0355DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.31 грн
5000+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0355DSP-01#J0

MOSFET Speed Series MOSFET, 30V, SO-8, HF

товар відсутній

RJK0355DSP-01#J0

товар відсутній

RJK0355DSP-WS#J0

Description: IGBT

товар відсутній

RJK0355DSP00J0

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0356DPA-01-JO

RENESAS QFN 11+

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DPA

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DPA

WPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DPA

товар відсутній

RJK0358DPA

SOP-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DPA-00#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	63.21 грн

Мінімальне замовлення: 313

RJK0358DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	64.53 грн

Мінімальне замовлення: 307

RJK0358DPA-01#J0B

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	64.53 грн

Мінімальне замовлення: 307

RJK0358DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	64.53 грн

Мінімальне замовлення: 307

RJK0358DPA00J0

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DSP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DSP-00

на замовлення 586 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0358DSP-00#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 785000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

508+	39.25 грн

Мінімальне замовлення: 508

RJK0358DSP-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 225000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

508+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 508

RJK0358DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

492+	40.16 грн

Мінімальне замовлення: 492

RJK0358DSP00J0

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0362DSP

09+ SOP

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0362DSP-WS#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 625

RJK0364

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0364DPA

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0364DPA-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 8-Pin WPAK T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0364DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

464+	46.82 грн

Мінімальне замовлення: 464

RJK0364DPA-00-J0

10+ WPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0364DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK0364DPA00J0

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0365DPA

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0365DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0365DPA00J0

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0366DPA

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0366DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	66.27 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0366DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	66.27 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0366DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

RJK0366DPA00J0

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0366DSP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0366DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0366DSP00J0

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0368DPA

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0368DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V

на замовлення 61026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 625

RJK0368DPA-WS#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 2085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0368DPA00J0

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

товар відсутній

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

товар відсутній

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

товар відсутній

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

товар відсутній

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

товар відсутній

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

товар відсутній

RJK0374DSP-01#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 265000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0374DSP-01#J0

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0375DSP-01#J0

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0379DPA-00#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	92.32 грн

Мінімальне замовлення: 221

RJK0379DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	106.61 грн

Мінімальне замовлення: 204

RJK0379DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	92.32 грн

Мінімальне замовлення: 221

RJK0380DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK0380DPA-02#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	78.74 грн

Мінімальне замовлення: 259

RJK0380DPA-02-J0

на замовлення 2003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0380DPA-HF-HS

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0381DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	67.71 грн

Мінімальне замовлення: 319

RJK0383DPA

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0383DPA-09#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

RJK0384DPA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0384DPA-00#J53

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	154.09 грн

Мінімальне замовлення: 133

RJK0389DPA

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0389DPA-00#J53

товар відсутній

RJK0389DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A/20A WPAK

товар відсутній

RJK0389DPA-02

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0389DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 2191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0390DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0390DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	106.61 грн

Мінімальне замовлення: 204

RJK0390DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	106.61 грн

Мінімальне замовлення: 204

RJK0390DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 351000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	92.32 грн

Мінімальне замовлення: 221

RJK0391DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

товар відсутній

RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

товар відсутній

RJK0391DPA-00#J53

SOP8

на замовлення 2767 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

товар відсутній

RJK0391DPA-00#J5A

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0022 ohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.34 грн
10+	89.65 грн
100+	74.11 грн
500+	61.67 грн
1000+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

RJK0391DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0391DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0391DPA-00#J5A

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.34 грн
10+	89.65 грн
100+	74.11 грн
500+	61.67 грн
1000+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

RJK0391DPA-00#J5A

MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.51 грн
10+	113.34 грн
100+	81.91 грн
250+	73.25 грн
500+	66.59 грн
1000+	58.74 грн
3000+	53.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0391DPA-00-J53

DIP8

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0391DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 3940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	92.32 грн

Мінімальне замовлення: 221

RJK0391DPA-WS#J5A

Description: MOSFET N-CH WPAK

товар відсутній

RJK0392DPA

08+ QFN-8

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0392DPA

QFN-8 08+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0392DPA

QFN

на замовлення 294 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

товар відсутній

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

товар відсутній

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

товар відсутній

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

товар відсутній

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

товар відсутній

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

товар відсутній

RJK0392DPA-00-J53

QFN8

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0393DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V

на замовлення 29700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

232+	92.93 грн

Мінімальне замовлення: 232

RJK0393DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK

товар відсутній

RJK0393DPA-00#J5A

MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF

товар відсутній

RJK0393DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

товар відсутній

RJK0393DPA-0G#J7A

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0393DPA-HF-HS

на замовлення 3548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0393DPA-WS#J5A

Description: IGBT

товар відсутній

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

товар відсутній

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

товар відсутній

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

товар відсутній

RJK0394DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	66.27 грн

Мінімальне замовлення: 325

RJK0394DPA-02#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0395DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0395DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK0395DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK0395DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 586

RJK0396DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

406+	53.31 грн

Мінімальне замовлення: 406

RJK0396DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0397DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

на замовлення 188485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	36.21 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK0397DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0397DPA-02#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 586

RJK0397DPA-02#J53

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0397DPA-0G#J7A

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 5048700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 586

RJK03A4DPA-00#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03A4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 42A WPAK

товар відсутній

RJK03B7DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B7DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

на замовлення 197615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B7DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B8DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B8DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V

на замовлення 114786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

товар відсутній

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

товар відсутній

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

товар відсутній

RJK03B8DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B9DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 625

RJK03B9DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B9DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B9DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B9DPA-00-J53

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B9DPA-0T#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03B9DPA-HF-HS

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B9DPA-OO#J53

на замовлення 2530 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B9DPA-OO-J53

на замовлення 2564 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03B9DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

541+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 541

RJK03C0DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V

на замовлення 463509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	133.27 грн

Мінімальне замовлення: 163

RJK03C0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 70A WPAK

товар відсутній

RJK03C0DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	116.07 грн

Мінімальне замовлення: 176

RJK03C0DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	123.18 грн

Мінімальне замовлення: 176

RJK03C1

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03C1DPB

на замовлення 5555 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

товар відсутній

RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

товар відсутній

RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

товар відсутній

RJK03C1DPB-WS#J5

Description: MOSFET N-CH LFPAK

товар відсутній

RJK03C2DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK03C5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK

товар відсутній

RJK03C9DNS-00#J5

Description: POWER MOSFET

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03D0DNS-00#J5

Description: POWER MOSFET

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 926

RJK03D2DPA-00#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1578000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	57.7 грн

Мінімальне замовлення: 352

RJK03D3DPA-00#J53

Description: N CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	61.23 грн

Мінімальне замовлення: 352

RJK03D3DPA-00-J5A

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03E0DNS
Код товару: 123691

товар відсутній

RJK03E0DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V

на замовлення 140000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

345+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 345

RJK03E0DNS-00-J5

QFN

на замовлення 4483 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03E0DNS-02#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 490000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 586

RJK03E0DNS-WS#J5

Description: N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 4870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 586

RJK03E1DNS-00#J5

товар відсутній

RJK03E1DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V

на замовлення 79482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

275+	71.77 грн

Мінімальне замовлення: 275

RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

товар відсутній

RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

товар відсутній

RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

товар відсутній

RJK03E3DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03E3DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03E4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03E5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

товар відсутній

RJK03E6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK03E7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03E8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

товар відсутній

RJK03E9DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK03F0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK03H0DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03H1

на замовлення 4322 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03H1DPA

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03H1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03J1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 918000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

419+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 419

RJK03J3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03J4DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03J5DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 140000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

RJK03J5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 363000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03J6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03J7DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

838+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 838

RJK03J9DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1099+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 1099

RJK03K0DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

383+	56.19 грн

Мінімальне замовлення: 383

RJK03K1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

451+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 451

RJK03K2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

476+	45.38 грн

Мінімальне замовлення: 476

RJK03K3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 586

RJK03K5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

409+	49.55 грн

Мінімальне замовлення: 409

RJK03K6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

489+	41.41 грн

Мінімальне замовлення: 489

RJK03K7DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03L3DNS-WS#J5

Description: N CHANNEL POWER MOS FET

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	85.53 грн

Мінімальне замовлення: 238

RJK03M0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

товар відсутній

RJK03M1

на замовлення 3789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03M1DPA

на замовлення 4784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03M1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.08 грн
10+	129.58 грн
100+	103.15 грн
500+	81.91 грн
1000+	69.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK03M1DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET 30V WPAK 2.5mOhm

на замовлення 4941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.38 грн
10+	133.25 грн
100+	92.57 грн
250+	88.57 грн
500+	77.91 грн
1000+	66.26 грн
3000+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK03M1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	74.16 грн
6000+	68.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK03M2DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR BEAM2 MOSFET 30V WPAK

товар відсутній

RJK03M2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK03M3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK03M3DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

товар відсутній

RJK03M3DPA-00-J5A

QFN

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03M4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK03M4DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

товар відсутній

RJK03M5DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

RJK03M5DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03M5DNS-00#J5

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8

на замовлення 4446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.68 грн
10+	68.69 грн
100+	46.48 грн
500+	39.36 грн
1000+	32.1 грн
2500+	30.23 грн
5000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK03M5DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 7.2mOhm

товар відсутній

RJK03M5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK03M6DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03M6DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 3610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03M6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

товар відсутній

RJK03M6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

879+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 879

RJK03M7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

649+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 649

RJK03M8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03M8DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

568+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 568

RJK03M9DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

на замовлення 2570000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03M9DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 3572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

RJK03N0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03N1

на замовлення 4322 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK03N1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03N2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

товар відсутній

RJK03N3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK03N4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03N4DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 432000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03N5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

товар відсутній

RJK03N6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 10 V

на замовлення 2092071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	54.75 грн

Мінімальне замовлення: 396

RJK03N7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

товар відсутній

RJK03N8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A HWSON

товар відсутній

RJK03P1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 960000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03P3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 816000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	60.81 грн

Мінімальне замовлення: 332

RJK03P5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 468000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03P6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03P6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03P7DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	106.61 грн

Мінімальне замовлення: 204

RJK03P7DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03P8DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 792000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	92.32 грн

Мінімальне замовлення: 221

RJK03P9DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	106.61 грн

Мінімальне замовлення: 204

RJK03P9DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03R1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 1023000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK03R4DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A WPAK

товар відсутній

RJK03T2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	87.98 грн

Мінімальне замовлення: 248

RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0451DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	103.39 грн
100+	71.26 грн
250+	65.66 грн
500+	60.07 грн
1000+	51.48 грн
2500+	48.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0452DPB-00-J5

RJK0452DPB-00-J5 RJK0452
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

товар відсутній

RJK0453DPB-00#J5

товар відсутній

RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

товар відсутній

RJK0454DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0455DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0455
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK0455DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0456DPB-00#J5

LFPAKN-CHANNEL, SINGLE, LFPAK, 40V, ID(DC)50A, RJK0456
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK0601DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0601DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO220

товар відсутній

RJK0602DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220

товар відсутній

RJK0602DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0603DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK0603DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0603DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220

товар відсутній

RJK0629DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 60V, LDPAK(S)-1, Pb Free

товар відсутній

RJK0629DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

товар відсутній

rjk0633

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0651DPB-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

на замовлення 22094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.42 грн
10+	94.13 грн
100+	74.94 грн
500+	59.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0651DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.71 грн
10+	103.09 грн
100+	79.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

RJK0651DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET 60V LFPAK Pb-F HF

на замовлення 246808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.19 грн
10+	98.79 грн
100+	72.59 грн
250+	71.26 грн
500+	60.67 грн
1000+	52.01 грн
2500+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

на замовлення 21490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.08 грн
5000+	49.19 грн
12500+	47.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0651DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

RJK0651DPB-00#J5

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.71 грн
10+	103.09 грн
100+	79.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

RJK0651DPB-WS#J5

RJK0651DPB-WS#J5

товар відсутній

RJK0651DPB-WS#J5

RJK0651DPB-WS#J5

товар відсутній

RJK0652DPB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0652DPB-00#J0

на замовлення 1511 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0652DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

на замовлення 3826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.02 грн
10+	147.8 грн
100+	102.55 грн
250+	94.56 грн
500+	85.91 грн
1000+	73.92 грн
2500+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0652DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

товар відсутній

RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0653DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

товар відсутній

RJK0653DPB-00-J0

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

товар відсутній

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

товар відсутній

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

товар відсутній

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

товар відсутній

RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.92 грн
10+	154.64 грн
100+	114.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

товар відсутній

RJK0655DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

на замовлення 11411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.45 грн
10+	158.53 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	92.57 грн
1000+	78.58 грн
2500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

товар відсутній

RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	114.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

RJK0656DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.37 грн
10+	164.35 грн
100+	121.02 грн
500+	101.97 грн
1000+	80.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK0656DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

на замовлення 14831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.89 грн
10+	168.48 грн
100+	117.2 грн
250+	107.88 грн
500+	97.89 грн
1000+	83.91 грн
2500+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.02 грн
500+	101.97 грн
1000+	80.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

RJK0657DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

387+	56.19 грн

Мінімальне замовлення: 387

RJK0658DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 25A WPAK

товар відсутній

RJK0658DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK0659DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 30A WPAK

товар відсутній

RJK0659DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	77.48 грн
6000+	71.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK0660DPA-00#J5A

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0660DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.68 грн
6000+	94.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK0701DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 10 V

на замовлення 12407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	262.5 грн

Мінімальне замовлення: 78

RJK0701DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	262.5 грн

Мінімальне замовлення: 78

RJK0702DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V

на замовлення 14917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	175.61 грн

Мінімальне замовлення: 114

RJK0702DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220FP

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0703DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220ABA

товар відсутній

RJK0703DPN-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220ABS MOS TRENCH D1

товар відсутній

RJK0703DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220

товар відсутній

RJK0703DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0703DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.86 грн
10+	188.39 грн
25+	154.5 грн
100+	131.86 грн
250+	124.53 грн
500+	117.87 грн
1000+	100.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0703DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA

товар відсутній

RJK0703DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220

товар відсутній

RJK0703DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0822SPN

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0822SPN
Код товару: 67008

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

товар відсутній

RJK0851DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

товар відсутній

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

товар відсутній

RJK0852DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

на замовлення 5353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.29 грн
10+	135.06 грн
100+	107.49 грн
500+	85.35 грн
1000+	72.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0852DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	76.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0852DPB-00#J5

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK0852DPB-00-J5

на замовлення 3879 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK0853DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0853DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

на замовлення 9904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.01 грн
10+	161.59 грн
25+	132.52 грн
100+	113.87 грн
250+	107.88 грн
500+	101.22 грн
1000+	86.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0853DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	86.25 грн
5000+	79.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK0854DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

товар відсутній

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

товар відсутній

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

товар відсутній

RJK0855DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0082 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	206.93 грн
10+	140.44 грн
100+	104.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0855DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.12 грн
10+	143.98 грн
100+	106.55 грн
250+	93.23 грн
500+	84.57 грн
1000+	77.91 грн
2500+	71.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK0855DPB-00#J5

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	206.93 грн
10+	140.44 грн
100+	104.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

товар відсутній

RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK0856DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK0856DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

товар відсутній

RJK1001DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

на замовлення 3363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	262.5 грн

Мінімальне замовлення: 78

RJK1001DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK1001DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

товар відсутній

RJK1001DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK1002DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA

товар відсутній

RJK1002DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK1002DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

товар відсутній

RJK1002DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH TO220

товар відсутній

RJK1002DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	316.99 грн
10+	262.68 грн
100+	184.46 грн
500+	163.82 грн
1000+	129.19 грн

RJK1002DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK1002DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

товар відсутній

RJK1003DPN-A0#T2

MOSFET POWER TRANSISTOR 100V POWER MOSFET

товар відсутній

RJK1003DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH TO220

товар відсутній

RJK1003DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK1003DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220

товар відсутній

RJK1003DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

товар відсутній

RJK1003DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK1003DPP-E0#T2

Description: RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

на замовлення 3408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	158.02 грн

Мінімальне замовлення: 125

RJK1003DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK1008DPN-00#02

товар відсутній

RJK1008DPP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1008DPP-E0#T2

товар відсутній

RJK1021DPE-00#J3

товар відсутній

RJK1028DNS-00#J5

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK1028DNS-00#J5

MOSFET MOSFET, 30V, 3x3 pkg

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.55 грн
10+	58.2 грн
100+	39.36 грн
500+	33.36 грн
1000+	27.17 грн
2500+	25.57 грн
5000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

RJK1028DNS-00#J5

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V

товар відсутній

RJK1035

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1051DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

товар відсутній

RJK1051DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

товар відсутній

RJK1051DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

товар відсутній

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

товар відсутній

RJK1052DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

товар відсутній

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

товар відсутній

RJK1053DPB-00#J5

MOSFET PowerMOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.56 грн
10+	163.12 грн
25+	133.85 грн
100+	114.54 грн
250+	108.55 грн
500+	101.89 грн
1000+	87.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

товар відсутній

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

товар відсутній

RJK1054DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK1054DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK1054DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H

товар відсутній

RJK1054DPB-WS#J5

Description: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

товар відсутній

RJK1055DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.22 грн
10+	164.65 грн
100+	113.87 грн
250+	105.22 грн
500+	95.23 грн
1000+	81.91 грн
2500+	77.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK1055DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	82.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK1055DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

на замовлення 6859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.69 грн
10+	146.85 грн
100+	116.89 грн
500+	92.81 грн
1000+	78.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK1055DPB-WS#J5

Description: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

товар відсутній

RJK1056DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	94.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

RJK1056DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK1056DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

на замовлення 2406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.89 грн
10+	168.48 грн
100+	117.2 грн
250+	107.88 грн
500+	97.89 грн
1000+	83.91 грн
2500+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK1211DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 1865000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	118.64 грн

Мінімальне замовлення: 173

RJK1211DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 120V 5A WPAK

товар відсутній

RJK1212DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 120V 3A WPAK

товар відсутній

RJK1525DPP-MG#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	539.55 грн

Мінімальне замовлення: 41

RJK1525DPS

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1525DPS-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

285+	75.64 грн

Мінімальне замовлення: 285

RJK1526

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1529DPK

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1535DPE-LE

TO263/2.5

на замовлення 865 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1535DPE-LE

Description: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V

на замовлення 7899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	218.87 грн

Мінімальне замовлення: 94

RJK1536DPE-00#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 88000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	518.19 грн

Мінімальне замовлення: 40

RJK1555DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb-F, HF

товар відсутній

RJK1555DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

товар відсутній

RJK1555DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

товар відсутній

RJK1557DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1557DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb Free

товар відсутній

RJK1557DPA-00#J0

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK1557DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

товар відсутній

RJK1560DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 4V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 25 V

на замовлення 1547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	150.4 грн

Мінімальне замовлення: 132

RJK1562DJE-00#Z0

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 102357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

359+	56.45 грн

Мінімальне замовлення: 359

RJK1575DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	105.56 грн
6000+	97.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK1575DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR HV-MOS/IGBT 150V 25A

товар відсутній

RJK1576DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	105.56 грн
6000+	97.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK1576DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 150V 25A 58MOHM WPAK

товар відсутній

RJK2006DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK2009

RENEAS

на замовлення 510 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2009DPM

06+ SOT565

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2009DPM-00#T0

Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK2009DPM-00#T0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK2009DPM-01SE

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2017

RENEAS

TO220/3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2017DPE-00#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	149.17 грн

Мінімальне замовлення: 136

RJK2017DPE-WS#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	149.59 грн

Мінімальне замовлення: 136

RJK2017DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK2017DPP-90#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	151.66 грн

Мінімальне замовлення: 132

RJK2017DPP-90#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 72100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	151.66 грн

Мінімальне замовлення: 132

RJK2017DPP-B1#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	141.11 грн

Мінімальне замовлення: 143

RJK2017DPP-M0#T2

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK2017DPP-M0#T2

MOSFET 200V, 36mOhm, TO-220FN

товар відсутній

RJK2055DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2055DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

товар відсутній

RJK2055DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free

товар відсутній

RJK2055DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

товар відсутній

RJK2055DPA-00-J0

09+ QFN

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2055DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

товар відсутній

RJK2057DPA

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2057DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free

товар відсутній

RJK2057DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

товар відсутній

RJK2057DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

товар відсутній

RJK2075DPA-00#J5A

MOSFET MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202 грн
10+	167.72 грн
25+	137.18 грн
100+	117.87 грн
250+	111.21 грн
500+	104.55 грн
1000+	89.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK2075DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	90.48 грн
6000+	83.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK2076DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	107.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK2076DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR SINGLE POWER MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 239-248 дні (днів)

2+	240.85 грн
10+	199.11 грн
25+	163.82 грн
100+	140.51 грн
250+	132.52 грн
500+	125.2 грн
1000+	107.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK2506

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2508DPK

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2508DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P

товар відсутній

RJK2508DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK2511DPK-00#T0

MOSFET MOSFET - Lead Free

товар відсутній

RJK2511DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

товар відсутній

RJK2555DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

товар відсутній

RJK2557DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

товар відсутній

RJK2557DPK-E

на замовлення 335 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK2916

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK3008DPK

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO92MOD

товар відсутній

RJK4002DJE-00#Z0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.88 грн
6000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK4002DPD-00#J2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4002DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL

товар відсутній

RJK4002DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4006DPD-00#J2

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	172.89 грн

Мінімальне замовлення: 125

RJK4006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK4006DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK4006DPP-G1#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 8032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	114.54 грн

Мінімальне замовлення: 189

RJK4006DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4006DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL

товар відсутній

RJK4007DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	89.87 грн

Мінімальне замовлення: 245

RJK4007DPP-G2#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	105.95 грн

Мінімальне замовлення: 208

RJK4007DPP-L1#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 4643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	186.32 грн

Мінімальне замовлення: 118

RJK4007DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220FL

товар відсутній

RJK4007DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4012

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 400V 15A LDPAK

товар відсутній

RJK4013

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 400V 17A 4LDPAK

товар відсутній

RJK4013DPE-00#J3

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3P

товар відсутній

RJK4018DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 400V 43A TO3P

товар відсутній

RJK4034DJE-00#Z0

товар відсутній

RJK4502DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 450V 2.8A TO92

товар відсутній

RJK4512DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 450V 14A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK4512DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

RJK4512DPP-E0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	281.06 грн

Мінімальне замовлення: 73

RJK4512DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	185.12 грн

Мінімальне замовлення: 110

RJK4513

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4513DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 450V 16A LDPAK

товар відсутній

RJK4514

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4514DPE

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4514DPK

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4514DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK4514DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK4515DPK

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK4515DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 27A TO3P

товар відсутній

RJK4518DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 39A TO3P

товар відсутній

RJK4518DPK-00#T0

MOSFET MOSFET - Lead Free

товар відсутній

RJK4532DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 450V 4A MP3A

товар відсутній

RJK4532DPD-00#J2

MOSFET MOSFET - Lead Free

товар відсутній

RJK4532DPD-E0#J2

Description: MOSFET N-CH MP3A

товар відсутній

RJK5002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92

товар відсутній

RJK5002DPD-00#J2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.16 грн
6000+	33.16 грн
9000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK5003

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5003DP

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5003DPD-

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5003DPD-00-J2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5003DPD-01-J2

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5006DPD

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A SC63

товар відсутній

RJK5006DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A

товар відсутній

RJK5009DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 7936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK5010DPF

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

rjk5010dpk

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5012

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5012DPE-WS#J3

Description: MOSFET N-CH LDPAK

товар відсутній

RJK5012DPP

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5012DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

RJK5012DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5012DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5012DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

RJK5012DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220

товар відсутній

RJK5012DPP-MG#T2

Description: RJK5012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	153.44 грн

Мінімальне замовлення: 141

RJK5013DPE-00#J3

MOSFET MOSFET - 500V, 14A, LDPAK(S)-(1)

товар відсутній

RJK5013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK

товар відсутній

RJK5013DPE-00-J3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5013DPK

на замовлення 18854 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5013DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

товар відсутній

RJK5013DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5014DPK-00#T0

onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V

товар відсутній

RJK5014DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 5623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	174.33 грн

Мінімальне замовлення: 124

RJK5014DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5014DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET - 500V, 19A, TO-220FP

товар відсутній

RJK5014DPP-E0#T2

Description: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	360.53 грн

Мінімальне замовлення: 56

RJK5015DPK-00

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5015DPK-00#T0

TO3P/NCH, VDSS 500V, ID(DC)25A,RDS(ON)MAX 0.24OHM RJK5015
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK5015DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P

товар відсутній

RJK5015DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5015DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM

товар відсутній

RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
Код товару: 168956

товар відсутній

RJK5018DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5020

на замовлення 247 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5020DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5020DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK5020DPK01-E

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK5020DPK01-E

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	472.94 грн

Мінімальне замовлення: 43

RJK5026DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK5026DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK5026DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP

товар відсутній

RJK5026DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK5026DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL

товар відсутній

RJK5026DPP-V0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

RJK5030DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5030DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5030DPD-02#J2

товар відсутній

RJK5030DPD-03#J2

Description: RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

303+	65.85 грн

Мінімальне замовлення: 303

RJK5030DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.14 грн
10+	140.15 грн
100+	100.56 грн
250+	97.89 грн
500+	83.91 грн
1000+	67.93 грн
5000+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK5030DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 1479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.8 грн
25+	126.19 грн
100+	103.82 грн
500+	82.45 грн
1000+	69.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK5031DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5031DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5032DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A

товар відсутній

RJK5032DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220

товар відсутній

RJK5033DPD-00#J2

MOSFET POWER TRANSISTOR N-CH MOSFET 500V 6A

товар відсутній

RJK5033DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK5033DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	66.48 грн
6000+	61.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RJK5033DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH GENERAL PURPOSE

товар відсутній

RJK5033DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.4W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 2093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.29 грн
25+	142.93 грн
100+	122.5 грн
500+	102.19 грн
1000+	87.5 грн
2000+	82.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK5033DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	191.46 грн
25+	137.85 грн
100+	118.54 грн
250+	116.54 грн
500+	104.55 грн
1000+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK5034DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

товар відсутній

RJK5034DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK5034DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220

товар відсутній

RJK5035DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.22 грн
10+	172.31 грн
25+	145.17 грн
100+	120.53 грн
250+	117.2 грн
500+	107.22 грн
1000+	86.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK5035DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 2025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.62 грн
25+	146.03 грн
100+	125.19 грн
500+	104.43 грн
1000+	89.42 грн
2000+	84.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK5035DPP-E0#T2

Description: RJK5035DPP-E0 - Nch Single Power
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK5035DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK5035DPP-E0#T2

Infineon Technologies

Description: RJK5035DPPNSINGPOWMOSF501850MOTO
Packaging: Tube

товар відсутній

RJK6002

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO92

товар відсутній

RJK6002DPD

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6002DPD-00#J2

MOSFET GENERIC Transistor

товар відсутній

RJK6002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6002DPD-00-J2

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6002DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A

товар відсутній

RJK6002DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK

товар відсутній

RJK6002DPH-E0#T2

Description: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

на замовлення 3467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

347+	57.87 грн

Мінімальне замовлення: 347

RJK6002DPH-E0#T2

MOSFET Power MOSFET , 600V 2A , LDPAK-S

товар відсутній

RJK6006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77.6W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6006DPD-00#J2

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK6006DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.95 грн
10+	208.3 грн
25+	174.48 грн
100+	145.84 грн
250+	141.18 грн
500+	129.19 грн
1000+	104.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK6006DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 1716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.52 грн
25+	176.2 грн
100+	151.04 грн
500+	125.99 грн
1000+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK6006DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220

товар відсутній

RJK6006DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free

товар відсутній

RJK6009DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6011DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6011DP3-A0#J2

Description: RJK6011DP3-A0#J2 - SILICON NCH S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	71.84 грн

Мінімальне замовлення: 278

RJK6012

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6012DPE

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6012DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 600V/10A, LDPAK(S)-(1), Pb Free

товар відсутній

RJK6012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6012DPE-00-J3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6012DPP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6012DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	191.58 грн

Мінімальне замовлення: 105

RJK6012DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.37Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6012DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6012DPP-E0#T2

Description: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	192.24 грн

Мінімальне замовлення: 104

RJK6012DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.92OHM
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK6012DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	191.58 грн

Мінімальне замовлення: 105

RJK6013

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6013DPE

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6013DPE-00#J3

MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)

товар відсутній

RJK6013DPE-00-J3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6013DPE-WS#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6013DPP

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6013DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 36564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	340.57 грн

Мінімальне замовлення: 59

RJK6013DPP-E0#T2

Description: RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

на замовлення 1877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	323.94 грн

Мінімальне замовлення: 62

RJK6013DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6014DPK

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6014DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK6014DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6014DPP

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6014DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	289.36 грн

Мінімальне замовлення: 70

RJK6014DPP-E0#T2

MOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN

товар відсутній

RJK6014DPP-E0#T2

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 5107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	368.51 грн

Мінімальне замовлення: 55

RJK6015DPK

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6015DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6015DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6015DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK6018DPK

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6018DPK-00#T0

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RJK6018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6018DPK-00#T0

MOSFET PWR MOS TRS TO3P

товар відсутній

RJK6018DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6018DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

товар відсутній

RJK6020DPK

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6020DPK-00#T0

MOSFET PMOSFET

товар відсутній

RJK6020DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

товар відсутній

RJK6022DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 0.2A TO92

товар відсутній

RJK6024DP3-A0#J2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6024DPD-00#J2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	93.13 грн

Мінімальне замовлення: 214

RJK6024DPD-00#J2

MOSFET MOSFET, 600V

товар відсутній

RJK6024DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6024DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

товар відсутній

RJK6024DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

товар відсутній

RJK6024DPH-E0#T2

MOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK

товар відсутній

RJK6025DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6025DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6025DPD-00#J2

MOSFET MOSFET, 600V

товар відсутній

RJK6025DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 0.8A LDPAK

товар відсутній

RJK6026DPE

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6026DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 600V, LDPAK(S)-(1), Pb Free

товар відсутній

RJK6026DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK
Packaging: Tube
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6026DPP

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RJK6026DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 25529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 313

RJK6026DPP-90#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 38500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 313

RJK6026DPP-B1#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 313

RJK6026DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

на замовлення 40100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	103.1 грн

Мінімальне замовлення: 194

RJK6029DJA-00#Z0

Description: MOSFET N-CH TO92

товар відсутній

RJK6032DPD-00#J2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6032DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 25 V

товар відсутній

RJK6032DPH-E0#T2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6032DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO251

товар відсутній

RJK6034DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V TO252

товар відсутній

RJK6034DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V TO220

товар відсутній

RJK6035DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.22 грн
25+	151.17 грн
100+	124.39 грн
500+	98.78 грн
1000+	83.81 грн
2000+	79.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK6035DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 HV-MOS/IGBT

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.1 грн
10+	173.84 грн
100+	119.87 грн
250+	114.54 грн
500+	101.22 грн
1000+	81.91 грн
5000+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

RJK6035DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)6A, 1.4OHM
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK6035DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET, 600V

товар відсутній

RJK6035DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220

товар відсутній

RJK6036DP3-A0#J2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

RJK6036DP3-A0#J2

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

RJK60S1DPD-00#J2

TO252/VDSS 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM, SJ MOS FET RJK60S1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK60S1DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM,
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK60S2DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.67OHM
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK60S3DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A

товар відсутній

RJK60S3DPD-00#J2

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) MP-3A T/R

товар відсутній

RJK60S3DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A

товар відсутній

RJK60S3DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A

товар відсутній

RJK60S3DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK

товар відсутній

RJK60S3DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK

товар відсутній

RJK60S3DPE-00#J3

4-LDPAK/MOSFET N-CH 600V 12A RJK60S3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK60S3DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK

товар відсутній

RJK60S3DPP-E0#T2

TO-220FL/MOSFET N-CH 600V 12A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RJK60S3DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V

на замовлення 129813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

82+	246.12 грн

Мінімальне замовлення: 82

RJK60S4DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK

товар відсутній

RJK60S4DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK

товар відсутній

RJK60S4DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK

товар відсутній

RJK60S4DPE-WS#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	327.27 грн

Мінімальне замовлення: 61

RJK60S4DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.9W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 25 V

на замовлення 114548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	307.32 грн

Мінімальне замовлення: 65

RJK60S5DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4LDPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	1066.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

RJK60S5DPK-M0#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: TO-3PSG
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 69537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	1066.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

RJK60S5DPN-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 138686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	1066.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

RJK60S5DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB

товар відсутній

RJK60S5DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	1066.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

RJK60S5DPQ-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

товар відсутній

RJK60S7DPK-M0#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227.2W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PSG
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	533.79 грн
10+	436.74 грн

RJK60S7DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.73 грн
10+	403.1 грн

RJK60S7DPQ-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

товар відсутній

RJK60S8DPK-M0#T0