Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74015) > Сторінка 1212 з 1234

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1207 1208 1209 1210 1211 1212 1213 1214 1215 1216 1217 1230 1234  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMCJ58A-13-F SMCJ58A-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992F7F28DF16F58BF&compId=SMCJ_ser.pdf?ci_sign=6c44b425e13c0435b8873943a30233b4812f27ee Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 64.4÷71.2V; 16A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58AQ-13-F DIODES INCORPORATED Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 64.4÷71.2V; 16A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448W-7-F MMBD4448W-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0AEE2E692A8DAE0E2&compId=MMBD4448W.pdf?ci_sign=358c4c91623a2819e53ecc2a80c84caa424fa97b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.5A; 4ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.03 грн
65+6.37 грн
71+5.80 грн
107+3.82 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
3000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448-7-F MMBD4448-7-F DIODES INCORPORATED MMBD4448.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.5A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.03 грн
99+4.16 грн
132+3.10 грн
500+2.49 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448HTS-7-F MMBD4448HTS-7-F DIODES INCORPORATED ds30263.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.5A; 4ns; SOT523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.03 грн
90+4.57 грн
99+4.16 грн
128+3.19 грн
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448DW-7-F MMBD4448DW-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98582134085E658BF&compId=MMBD4448DW.pdf?ci_sign=0096c3e3dd2fea235042f14bc5006fc36cc85f64 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.25A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 4pF
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.43 грн
57+7.18 грн
100+4.48 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448HCQW-7-F MMBD4448HCQW-7-F DIODES INCORPORATED MMBD4448HCQW_AQW_ADW_CDW_SDW_TW.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.5A; 4ns; SOT353; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; quadruple
Case: SOT353
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.13 грн
23+17.96 грн
100+13.63 грн
500+10.86 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C96C3E7BCDD8BF&compId=DMN3033LSN.pdf?ci_sign=9e4635916e6ae54c16f8302a149f284d14897fdb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.80 грн
15+28.08 грн
17+24.33 грн
100+14.61 грн
500+10.77 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.4A; Idm: 50A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 55A
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 DIODES INCORPORATED ds31238.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.49 грн
24+17.31 грн
50+11.79 грн
100+9.92 грн
500+6.86 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36CA-13-F DIODES INCORPORATED ds19002.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷46V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...46V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36CAQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷46V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...46V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APX803L20-35C3-7 APX803L20-35C3-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5EE2B7AAEDCA0D2&compId=APX803L.pdf?ci_sign=e4a052770234574778d7f4331510a354344c4793 Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Operating temperature: -40...85°C
DC supply current: 1µA
Maximum output current: 20mA
Delay time: 220ms
Supply voltage: 0.9...5.5V DC
Number of channels: 1
Threshold on-voltage: 3.5V
Integrated circuit features: ±1,5% accuracy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APX803L20-35SA-7 DIODES INCORPORATED APX803L.pdf Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Operating temperature: -40...85°C
DC supply current: 1µA
Maximum output current: 20mA
Delay time: 220ms
Supply voltage: 0.9...5.5V DC
Number of channels: 1
Threshold on-voltage: 3.5V
Integrated circuit features: ±1,5% accuracy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT1049TA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD86A7FB9FDC9120D2&compId=ZDT1049.pdf?ci_sign=cfa904c9b1ffb23173418b428699094cd2a56647 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 5A; 2.75W; SM8
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC15WF-7 BZT52HC15WF-7 DIODES INCORPORATED BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.83W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.83W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.15 грн
84+4.90 грн
97+4.24 грн
114+3.59 грн
168+2.44 грн
500+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC30WF-7 BZT52HC30WF-7 DIODES INCORPORATED BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.83W; 30V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 50nA
Power dissipation: 0.83W
Zener voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CA-13-F SMBJ33CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷42.2V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.07 грн
38+10.94 грн
41+9.96 грн
100+7.18 грн
500+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷42.2V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200A-13-F SMAJ200A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZDH0401DW-7 DIODES INCORPORATED DZDH0401DW.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; ideal diode; SOT363
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: ideal diode
Case: SOT363
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT614TA FMMT614TA DIODES INCORPORATED FMMT614.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.20 грн
16+26.12 грн
25+20.90 грн
100+15.10 грн
150+13.88 грн
500+11.18 грн
1000+10.20 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13 DIODES INCORPORATED DMP1011LFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 18.6mΩ
Power dissipation: 2.16W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2502KTR-G1 AP2502KTR-G1 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DF7CA402A33A0DE&compId=AP2502.pdf?ci_sign=ba1c9fb7d9b67e4710e3278d0febdac30533fa48 Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DC/DC switcher,LED driver; Uin: 2÷6VDC; TSOT23-6
Input voltage: 2...6V DC
Case: TSOT23-6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: DC/DC switcher; LED driver
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150kHz
Type of integrated circuit: PMIC
Application: for LED applications
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.25 грн
21+19.92 грн
23+17.79 грн
27+15.43 грн
100+12.73 грн
250+11.51 грн
500+10.86 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
KBP005G KBP005G DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Version: flat
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.47 грн
16+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KBP01G KBP01G DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.47 грн
16+26.28 грн
35+20.82 грн
105+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KBP02G KBP02G DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.47 грн
16+26.12 грн
35+20.90 грн
105+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1506-F GBJ1506-F DIODES INCORPORATED GBJ15_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 15A; Ifsm: 240A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Version: flat
Case: GBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.05V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.08 грн
10+85.71 грн
15+81.63 грн
75+67.75 грн
105+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
AP1509-50SG-13 AP1509-50SG-13 DIODES INCORPORATED AP1509x-DTE.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷22VDC; Uout: 5VDC; 2A; SOP8; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.5...22V DC
Output current: 2A
Case: SOP8
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Topology: buck
Operating temperature: -20...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 83%
Output voltage: 5V DC
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.60 грн
10+47.59 грн
25+42.61 грн
100+36.00 грн
125+35.02 грн
250+32.00 грн
500+29.14 грн
650+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP1509-SG-13 AP1509-SG-13 DIODES INCORPORATED AP1509x-DTE.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷22VDC; Uout: 1.23÷18VDC; 2A; SOP8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.5...22V DC
Output current: 2A
Case: SOP8
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Topology: buck
Operating temperature: -20...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 76%
Output voltage: 1.23...18V DC
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.67 грн
10+61.22 грн
25+55.51 грн
50+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C11-7-F AZ23C11-7-F DIODES INCORPORATED AZ23C_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 11V; SMD; reel,tape; SOT23; double,common anode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 11V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.67 грн
55+7.51 грн
63+6.53 грн
89+4.64 грн
102+4.02 грн
500+3.03 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00W5-7 74AHC1G00W5-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70B30D02620D3&compId=74AHC1G00.pdf?ci_sign=52e8df188cbc6aafe31b56e76eddfab03810bf75 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00SE-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70B30D02520D3&compId=74AHC1G00.pdf?ci_sign=0dbadd451621537d772998d719c1ec3a81e36664 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT353; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450 ZTX450 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EF5D6FF790F55EA&compId=ZTX450.pdf?ci_sign=8aee8b31a27b5b8262ef8c80def49dee25ff9c38 description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+72.08 грн
10+41.55 грн
50+31.67 грн
100+28.32 грн
200+25.30 грн
500+21.88 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450STZ ZTX450STZ DIODES INCORPORATED ZTX450.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Quantity in set/package: 2000pcs.
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.84 грн
10+47.43 грн
50+34.20 грн
100+29.71 грн
500+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13 DMN13H750S-13 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 1.26W
Pulsed drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 130V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 1.26W
Pulsed drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 130V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP08G DIODES INCORPORATED ds21203.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTBQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 1.95W
Drain current: 34.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C2V4S-7-F BZT52C2V4S-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED534E388BC6A18&compId=BZT52CxxS_ser.pdf?ci_sign=19b509c5a9084fd233a8e598b6a776ae01cc116a Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 2.4V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Tolerance: ±8%
Zener voltage: 2.4V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ30AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33.3÷36.8V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ30A-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BB741D84D880DF&compId=3.0SMCJxx.pdf?ci_sign=66b79dd9e6490985f47e629486c9d364f4777550 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷36.7V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.7V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP7333-10SAG-7 AP7333-10SAG-7 DIODES INCORPORATED AP7333.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1V; 0.3A; SOT23; SMD; ±2%
Mounting: SMD
Output current: 0.3A
Voltage drop: 0.55V
Output voltage: 1V
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 2...6V
Manufacturer series: AP7333
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.92 грн
20+20.41 грн
25+16.82 грн
100+12.82 грн
250+10.77 грн
500+9.63 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AP7333-15SAG-7 AP7333-15SAG-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78CAF241FC3792745&compId=AP7333.pdf?ci_sign=a1265a3fc5fcc4c09bdaeb8989463192f1df57f8 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 0.3A; SOT23; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.55V
Output voltage: 1.5V
Output current: 0.3A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Manufacturer series: AP7333
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2...6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70W-05-7-F BAS70W-05-7-F DIODES INCORPORATED BAS70W_-04_-05_-06.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Capacitance: 2pF
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.22 грн
32+12.90 грн
50+9.34 грн
100+8.09 грн
250+6.71 грн
500+5.84 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PDS1045-13 DIODES INCORPORATED ds30539.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PowerDI®5
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 275A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP62500SJ-7 DIODES INCORPORATED AP62500.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; synchronous; Uin: 4.5÷18V; Uout: 600mV÷7V; QFN12; buck
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: buck
Kind of integrated circuit: synchronous
Case: QFN12
Output current: 5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Frequency: 1.2MHz
Output voltage: 600mV...7V
Supply voltage: 4.5...18V
Input voltage: 4.5...18V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2045CTFP-G SBR2045CTFP-G DIODES INCORPORATED SBR2045.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 45V; 10Ax2; tube; ITO220AB; SBR®
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ITO220AB
Technology: SBR®
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.87 грн
10+42.45 грн
13+32.49 грн
50+28.73 грн
100+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SDM20U30-7 SDM20U30-7 DIODES INCORPORATED ds30397.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523F; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Power dissipation: 0.15W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523F
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 30V
Capacitance: 20pF
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.19 грн
44+9.39 грн
51+8.06 грн
100+6.40 грн
500+4.94 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WT-7 DIODES INCORPORATED ds31396.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ16AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 17.8÷19.7V; 15.3A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 15.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP22655WU-7 DIODES INCORPORATED AP22654_AP22655.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; USB switch; 3.1A; Ch: 1; SMD; TSOT26; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 85mΩ
Output current: 3.1A
Supply voltage: 3...5.5V DC
Kind of integrated circuit: USB switch
Type of integrated circuit: power switch
Active logical level: high
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58A-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992F7F28DF16F58BF&compId=SMCJ_ser.pdf?ci_sign=6c44b425e13c0435b8873943a30233b4812f27ee
SMCJ58A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 64.4÷71.2V; 16A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58AQ-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 64.4÷71.2V; 16A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448W-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0AEE2E692A8DAE0E2&compId=MMBD4448W.pdf?ci_sign=358c4c91623a2819e53ecc2a80c84caa424fa97b
MMBD4448W-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.5A; 4ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.03 грн
65+6.37 грн
71+5.80 грн
107+3.82 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
3000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448-7-F MMBD4448.pdf
MMBD4448-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.5A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.03 грн
99+4.16 грн
132+3.10 грн
500+2.49 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448HTS-7-F ds30263.pdf
MMBD4448HTS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.5A; 4ns; SOT523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.03 грн
90+4.57 грн
99+4.16 грн
128+3.19 грн
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448DW-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98582134085E658BF&compId=MMBD4448DW.pdf?ci_sign=0096c3e3dd2fea235042f14bc5006fc36cc85f64
MMBD4448DW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.25A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 4pF
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.43 грн
57+7.18 грн
100+4.48 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4448HCQW-7-F MMBD4448HCQW_AQW_ADW_CDW_SDW_TW.pdf
MMBD4448HCQW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.5A; 4ns; SOT353; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; quadruple
Case: SOT353
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.13 грн
23+17.96 грн
100+13.63 грн
500+10.86 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSN-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C96C3E7BCDD8BF&compId=DMN3033LSN.pdf?ci_sign=9e4635916e6ae54c16f8302a149f284d14897fdb
DMN3033LSN-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.80 грн
15+28.08 грн
17+24.33 грн
100+14.61 грн
500+10.77 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7 DMN3021LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.4A; Idm: 50A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13 DMN3025LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 55A
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.49 грн
24+17.31 грн
50+11.79 грн
100+9.92 грн
500+6.86 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36CA-13-F ds19002.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷46V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...46V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36CAQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷46V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...46V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APX803L20-35C3-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5EE2B7AAEDCA0D2&compId=APX803L.pdf?ci_sign=e4a052770234574778d7f4331510a354344c4793
APX803L20-35C3-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Operating temperature: -40...85°C
DC supply current: 1µA
Maximum output current: 20mA
Delay time: 220ms
Supply voltage: 0.9...5.5V DC
Number of channels: 1
Threshold on-voltage: 3.5V
Integrated circuit features: ±1,5% accuracy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APX803L20-35SA-7 APX803L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Operating temperature: -40...85°C
DC supply current: 1µA
Maximum output current: 20mA
Delay time: 220ms
Supply voltage: 0.9...5.5V DC
Number of channels: 1
Threshold on-voltage: 3.5V
Integrated circuit features: ±1,5% accuracy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT1049TA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD86A7FB9FDC9120D2&compId=ZDT1049.pdf?ci_sign=cfa904c9b1ffb23173418b428699094cd2a56647
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 5A; 2.75W; SM8
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC15WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC15WF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.83W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.83W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.15 грн
84+4.90 грн
97+4.24 грн
114+3.59 грн
168+2.44 грн
500+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC30WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC30WF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.83W; 30V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 50nA
Power dissipation: 0.83W
Zener voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ33CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷42.2V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.07 грн
38+10.94 грн
41+9.96 грн
100+7.18 грн
500+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷42.2V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ200A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200AQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZDH0401DW-7 DZDH0401DW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; ideal diode; SOT363
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: ideal diode
Case: SOT363
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT614TA FMMT614.pdf
FMMT614TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.20 грн
16+26.12 грн
25+20.90 грн
100+15.10 грн
150+13.88 грн
500+11.18 грн
1000+10.20 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13 DMP1011LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 18.6mΩ
Power dissipation: 2.16W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2502KTR-G1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DF7CA402A33A0DE&compId=AP2502.pdf?ci_sign=ba1c9fb7d9b67e4710e3278d0febdac30533fa48
AP2502KTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DC/DC switcher,LED driver; Uin: 2÷6VDC; TSOT23-6
Input voltage: 2...6V DC
Case: TSOT23-6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: DC/DC switcher; LED driver
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150kHz
Type of integrated circuit: PMIC
Application: for LED applications
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.25 грн
21+19.92 грн
23+17.79 грн
27+15.43 грн
100+12.73 грн
250+11.51 грн
500+10.86 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
KBP005G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439
KBP005G
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Version: flat
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.47 грн
16+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KBP01G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439
KBP01G
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.47 грн
16+26.28 грн
35+20.82 грн
105+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KBP02G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439
KBP02G
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.47 грн
16+26.12 грн
35+20.90 грн
105+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1506-F GBJ15_ser.pdf
GBJ1506-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 15A; Ifsm: 240A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Version: flat
Case: GBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.05V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.08 грн
10+85.71 грн
15+81.63 грн
75+67.75 грн
105+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
AP1509-50SG-13 AP1509x-DTE.pdf
AP1509-50SG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷22VDC; Uout: 5VDC; 2A; SOP8; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.5...22V DC
Output current: 2A
Case: SOP8
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Topology: buck
Operating temperature: -20...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 83%
Output voltage: 5V DC
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.60 грн
10+47.59 грн
25+42.61 грн
100+36.00 грн
125+35.02 грн
250+32.00 грн
500+29.14 грн
650+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP1509-SG-13 AP1509x-DTE.pdf
AP1509-SG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷22VDC; Uout: 1.23÷18VDC; 2A; SOP8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.5...22V DC
Output current: 2A
Case: SOP8
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Topology: buck
Operating temperature: -20...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 76%
Output voltage: 1.23...18V DC
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.67 грн
10+61.22 грн
25+55.51 грн
50+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C11-7-F AZ23C_ser.pdf
AZ23C11-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 11V; SMD; reel,tape; SOT23; double,common anode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 11V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.67 грн
55+7.51 грн
63+6.53 грн
89+4.64 грн
102+4.02 грн
500+3.03 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00W5-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70B30D02620D3&compId=74AHC1G00.pdf?ci_sign=52e8df188cbc6aafe31b56e76eddfab03810bf75
74AHC1G00W5-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00SE-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70B30D02520D3&compId=74AHC1G00.pdf?ci_sign=0dbadd451621537d772998d719c1ec3a81e36664
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT353; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EF5D6FF790F55EA&compId=ZTX450.pdf?ci_sign=8aee8b31a27b5b8262ef8c80def49dee25ff9c38
ZTX450
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.08 грн
10+41.55 грн
50+31.67 грн
100+28.32 грн
200+25.30 грн
500+21.88 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450STZ ZTX450.pdf
ZTX450STZ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Quantity in set/package: 2000pcs.
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.84 грн
10+47.43 грн
50+34.20 грн
100+29.71 грн
500+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13 DMN13H750S.pdf
DMN13H750S-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 1.26W
Pulsed drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 130V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DMN13H750S.pdf
DMN13H750S-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 1.26W
Pulsed drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 130V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP08G ds21203.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13 DMTH6004SCTB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTBQ-13 DMTH6004SCTBQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFV-7 DMT6012LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 1.95W
Drain current: 34.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C2V4S-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED534E388BC6A18&compId=BZT52CxxS_ser.pdf?ci_sign=19b509c5a9084fd233a8e598b6a776ae01cc116a
BZT52C2V4S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 2.4V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Tolerance: ±8%
Zener voltage: 2.4V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ30AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33.3÷36.8V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ30A-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BB741D84D880DF&compId=3.0SMCJxx.pdf?ci_sign=66b79dd9e6490985f47e629486c9d364f4777550
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷36.7V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.7V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP7333-10SAG-7 AP7333.pdf
AP7333-10SAG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1V; 0.3A; SOT23; SMD; ±2%
Mounting: SMD
Output current: 0.3A
Voltage drop: 0.55V
Output voltage: 1V
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 2...6V
Manufacturer series: AP7333
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.92 грн
20+20.41 грн
25+16.82 грн
100+12.82 грн
250+10.77 грн
500+9.63 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AP7333-15SAG-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78CAF241FC3792745&compId=AP7333.pdf?ci_sign=a1265a3fc5fcc4c09bdaeb8989463192f1df57f8
AP7333-15SAG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 0.3A; SOT23; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.55V
Output voltage: 1.5V
Output current: 0.3A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Manufacturer series: AP7333
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2...6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70W-05-7-F BAS70W_-04_-05_-06.pdf
BAS70W-05-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Capacitance: 2pF
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.22 грн
32+12.90 грн
50+9.34 грн
100+8.09 грн
250+6.71 грн
500+5.84 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PDS1045-13 ds30539.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PowerDI®5
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 275A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP62500SJ-7 AP62500.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; synchronous; Uin: 4.5÷18V; Uout: 600mV÷7V; QFN12; buck
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: buck
Kind of integrated circuit: synchronous
Case: QFN12
Output current: 5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Frequency: 1.2MHz
Output voltage: 600mV...7V
Supply voltage: 4.5...18V
Input voltage: 4.5...18V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2045CTFP-G SBR2045.pdf
SBR2045CTFP-G
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 45V; 10Ax2; tube; ITO220AB; SBR®
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ITO220AB
Technology: SBR®
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.87 грн
10+42.45 грн
13+32.49 грн
50+28.73 грн
100+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SDM20U30-7 ds30397.pdf
SDM20U30-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523F; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Power dissipation: 0.15W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523F
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 30V
Capacitance: 20pF
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.19 грн
44+9.39 грн
51+8.06 грн
100+6.40 грн
500+4.94 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WT-7 ds31396.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ16AQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 17.8÷19.7V; 15.3A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 15.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP22655WU-7 AP22654_AP22655.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; USB switch; 3.1A; Ch: 1; SMD; TSOT26; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 85mΩ
Output current: 3.1A
Supply voltage: 3...5.5V DC
Kind of integrated circuit: USB switch
Type of integrated circuit: power switch
Active logical level: high
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1207 1208 1209 1210 1211 1212 1213 1214 1215 1216 1217 1230 1234  [ Наступна Сторінка >> ]