Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72704) > Сторінка 1212 з 1212

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1207 1208 1209 1210 1211 1212
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMBJ10CA-13-F SMBJ10CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.8V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.8V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.23 грн
100+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10A-13-F SMBJ10A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.8V; 35.3A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.8V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.24 грн
24+17.51 грн
28+15.11 грн
35+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13 DMP3004SSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3004SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18.7A; Idm: -110A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -110A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.7A
Gate charge: 156nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS260-7 DIODES INCORPORATED DFLS260.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 60V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.62V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20A-13-F SMAJ20A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.67 грн
49+8.59 грн
55+7.60 грн
100+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200A-13-F SMAJ200A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.24 грн
24+17.34 грн
28+14.95 грн
100+7.93 грн
500+5.40 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CA-13-F SMAJ20CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200CA-13-F SMAJ200CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2310BECADJR PAM2310BECADJR DIODES INCORPORATED PAM2310.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.7÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 2A; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Case: SO8
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 2A
Input voltage: 2.7...5.5V DC
Efficiency: 95%
Frequency: 1.5MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.68 грн
24+17.26 грн
27+15.53 грн
100+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T3ZTA DIODES INCORPORATED ZX5T3Z.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5.5A; 3W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 110...550
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 152MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54A-13-F SMCJ54A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 60÷66.3V; 17.2A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.24 грн
17+25.27 грн
18+23.70 грн
100+18.66 грн
500+15.28 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54CA-13-F SMCJ54CA-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 60÷66.3V; 17.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C3V9-7-F AZ23C3V9-7-F DIODES INCORPORATED AZ23C_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 3.6V
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.56 грн
50+8.42 грн
59+7.10 грн
108+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248B-7-F MMSZ5248B-7-F DIODES INCORPORATED mmsz52xxb_Ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37/0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37/0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+8.00 грн
80+5.20 грн
121+3.44 грн
146+2.84 грн
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248BQ-7-F MMSZ5248BQ-7-F DIODES INCORPORATED mmsz52xxb_Ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37/0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37/0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B140-13-F B140-13-F DIODES INCORPORATED b120-160b.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.11nF
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.45 грн
49+8.59 грн
60+6.90 грн
100+6.20 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J-13-F RS1J-13-F DIODES INCORPORATED ds15002.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 15pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.90 грн
36+11.56 грн
40+10.53 грн
100+8.26 грн
500+6.18 грн
1000+5.34 грн
2000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JB-13-F DIODES INCORPORATED ds15002.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMB; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMB
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JDFQ-13 DIODES INCORPORATED RS1JDFQ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; D-FLAT; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Case: D-FLAT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FRS1JE DIODES INCORPORATED FRS1JE.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO219AA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Case: DO219AA
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM20N40A-7 SDM20N40A-7 DIODES INCORPORATED SDM20N40A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; reel,tape; 200mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Capacitance: 50pF
Leakage current: 3mA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Max. forward voltage: 0.55V
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18A-13-F SMAJ18A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 20÷22.1V; 13.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...22.1V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 20÷22.1V; 13.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...22.1V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160-13-F MURS160-13-F DIODES INCORPORATED MURS140-MURS160.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 50ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.24 грн
28+14.95 грн
100+10.90 грн
150+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160Q-13-F DIODES INCORPORATED MURS160Q.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 GBU1006 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf description Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.97 грн
5+95.80 грн
10+84.24 грн
20+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1002 GBU1002 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.08 грн
10+75.16 грн
20+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1001 GBU1001 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1008 GBU1008 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10005 GBU10005 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1004 GBU1004 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC144TE-7-F DIODES INCORPORATED DDTC_R1-ONLY_SERIES_E.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ13A-13-F SMCJ13A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4÷15.9V; 69.7A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4...15.9V
Max. forward impulse current: 69.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSR330GTA DIODES INCORPORATED DS_31_ZSR%20Series.pdf Category: Unclassified
Description: ZSR330GTA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2176SG-13 AP2176SG-13 DIODES INCORPORATED AP2166_76.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 1A; Ch: 2; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1A
Number of channels: 2
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: high
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.48 грн
13+34.36 грн
25+31.96 грн
100+28.49 грн
250+26.18 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AP2166SG-13 AP2166SG-13 DIODES INCORPORATED AP2166_76.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 1A; Ch: 2; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1A
Number of channels: 2
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: low
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.70 грн
13+33.61 грн
25+30.72 грн
75+27.67 грн
100+27.01 грн
250+24.94 грн
500+23.46 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AP2111SG-13 AP2111SG-13 DIODES INCORPORATED AP2101_2111.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: high
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.80 грн
16+26.35 грн
100+21.97 грн
500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25100CZTA ZXTP25100CZTA DIODES INCORPORATED ZXTP25100CZ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 20...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25100CFHTA DIODES INCORPORATED ZXTP25100CFH.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 1.81W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: SOT23
Current gain: 20...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Power dissipation: 1.81W
Pulsed collector current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25100CFHQTA DIODES INCORPORATED ZXTP25100CFHQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ33CA-13-F SMAJ33CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.68 грн
29+14.54 грн
34+12.47 грн
100+6.38 грн
500+4.34 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ33CAQ-13-F SMAJ33CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ10CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.8V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.8V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.23 грн
100+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ10A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.8V; 35.3A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.8V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.24 грн
24+17.51 грн
28+15.11 грн
35+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13 DMP3004SSS.pdf
DMP3004SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18.7A; Idm: -110A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -110A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.7A
Gate charge: 156nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS260-7 DFLS260.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 60V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.62V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ20A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.67 грн
49+8.59 грн
55+7.60 грн
100+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ200A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.24 грн
24+17.34 грн
28+14.95 грн
100+7.93 грн
500+5.40 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ20CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200AQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ200CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ200CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 224÷248V; 1.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 200V
Breakdown voltage: 224...248V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2310BECADJR PAM2310.pdf
PAM2310BECADJR
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.7÷5.5VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 2A; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Case: SO8
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 2A
Input voltage: 2.7...5.5V DC
Efficiency: 95%
Frequency: 1.5MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.68 грн
24+17.26 грн
27+15.53 грн
100+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T3ZTA ZX5T3Z.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5.5A; 3W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 110...550
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 152MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ54A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 60÷66.3V; 17.2A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.24 грн
17+25.27 грн
18+23.70 грн
100+18.66 грн
500+15.28 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54CA-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ54CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 60÷66.3V; 17.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C3V9-7-F AZ23C_ser.pdf
AZ23C3V9-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 3.6V
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.56 грн
50+8.42 грн
59+7.10 грн
108+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248B-7-F mmsz52xxb_Ser.pdf
MMSZ5248B-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37/0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37/0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.00 грн
80+5.20 грн
121+3.44 грн
146+2.84 грн
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248BQ-7-F mmsz52xxb_Ser.pdf
MMSZ5248BQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37/0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37/0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B140-13-F b120-160b.pdf
B140-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.11nF
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.45 грн
49+8.59 грн
60+6.90 грн
100+6.20 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J-13-F ds15002.pdf
RS1J-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 15pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.90 грн
36+11.56 грн
40+10.53 грн
100+8.26 грн
500+6.18 грн
1000+5.34 грн
2000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JB-13-F ds15002.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMB; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMB
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JDFQ-13 RS1JDFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; D-FLAT; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Case: D-FLAT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FRS1JE FRS1JE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO219AA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Case: DO219AA
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM20N40A-7 SDM20N40A.pdf
SDM20N40A-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; reel,tape; 200mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Capacitance: 50pF
Leakage current: 3mA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Max. forward voltage: 0.55V
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ18A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 20÷22.1V; 13.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...22.1V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18AQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 20÷22.1V; 13.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...22.1V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160-13-F MURS140-MURS160.pdf
MURS160-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 50ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.24 грн
28+14.95 грн
100+10.90 грн
150+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160Q-13-F MURS160Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 description GBU10_ser.pdf
GBU1006
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.97 грн
5+95.80 грн
10+84.24 грн
20+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1002 GBU10_ser.pdf
GBU1002
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.08 грн
10+75.16 грн
20+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1001 GBU10_ser.pdf
GBU1001
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1008 GBU10_ser.pdf
GBU1008
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10005 GBU10_ser.pdf
GBU10005
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1004 GBU10_ser.pdf
GBU1004
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC144TE-7-F DDTC_R1-ONLY_SERIES_E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ13A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ13A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 14.4÷15.9V; 69.7A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4...15.9V
Max. forward impulse current: 69.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSR330GTA DS_31_ZSR%20Series.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unclassified
Description: ZSR330GTA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2176SG-13 AP2166_76.pdf
AP2176SG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 1A; Ch: 2; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1A
Number of channels: 2
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: high
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.48 грн
13+34.36 грн
25+31.96 грн
100+28.49 грн
250+26.18 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AP2166SG-13 AP2166_76.pdf
AP2166SG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 1A; Ch: 2; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1A
Number of channels: 2
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: low
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.70 грн
13+33.61 грн
25+30.72 грн
75+27.67 грн
100+27.01 грн
250+24.94 грн
500+23.46 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AP2111SG-13 AP2101_2111.pdf
AP2111SG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: high
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.80 грн
16+26.35 грн
100+21.97 грн
500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25100CZTA ZXTP25100CZ.pdf
ZXTP25100CZTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 20...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25100CFHTA ZXTP25100CFH.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 1.81W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: SOT23
Current gain: 20...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Power dissipation: 1.81W
Pulsed collector current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25100CFHQTA ZXTP25100CFHQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ33CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ33CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.68 грн
29+14.54 грн
34+12.47 грн
100+6.38 грн
500+4.34 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ33CAQ-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ33CAQ-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1207 1208 1209 1210 1211 1212