Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78766) > Сторінка 1210 з 1313

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1205 1206 1207 1208 1209 1210 1211 1212 1213 1214 1215 1310 1313  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT32M5LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT32M5LFG.pdf DMT32M5LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT32M5LPS.pdf DMT32M5LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT34M1LPS.pdf DMT34M1LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT35M4LFDF.pdf DMT35M4LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT35M4LFVW.pdf DMT35M4LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT36M1LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 9.8mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT4002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCT DIODES INCORPORATED DMT4003SCT.pdf DMT4003SCT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT4004LPS.pdf DMT4004LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCT DIODES INCORPORATED DMT4005SCT.pdf DMT4005SCT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT4011LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT4011LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDV-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2LDV.pdf DMT47M2LDV-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2LDVQ.pdf DMT47M2LDVQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2SFVW.pdf DMT47M2SFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMT47M2SFVWQ.pdf DMT47M2SFVWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2SFVWQ.pdf DMT47M2SFVWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT5015LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT5015LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6004LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT DIODES INCORPORATED DMT6004SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6004SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6005LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.7A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6006LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA8D3B828DD8BF&compId=DMT6007LFG.pdf?ci_sign=7389a1298bec0416047b0c9549696870fff63a3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.90 грн
10+71.83 грн
22+49.63 грн
60+46.97 грн
500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29.8A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010SCT DIODES INCORPORATED DMT6010SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6011LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFV-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.5A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.84W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6013LFDF.pdf DMT6013LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6013LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6015LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT6015LFVW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 127A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT32M5LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT32M5LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT34M1LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT35M4LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7 DMT35M4LFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT35M4LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13 DMT36M1LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 9.8mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCT DMT4003SCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT4003SCT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13 DMT4004LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT4004LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCT DMT4005SCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT4005SCT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7 DMT4011LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDV-7 DMT47M2LDV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT47M2LDV-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-7 DMT47M2LDVQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT47M2LDVQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-7 DMT47M2SFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT47M2SFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-13 DMT47M2SFVWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT47M2SFVWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-7 DMT47M2SFVWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT47M2SFVWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT5015LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT5015LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
DMT6004SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SPS-13 DMT6004SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-13 DMT6005LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-7 DMT6005LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.7A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LSS-13 DMT6005LSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LK3-13 DMT6006LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS.pdf
DMT6006LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13 DMT6006SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA8D3B828DD8BF&compId=DMT6007LFG.pdf?ci_sign=7389a1298bec0416047b0c9549696870fff63a3a
DMT6007LFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
10+71.83 грн
22+49.63 грн
60+46.97 грн
500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-13 DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-13 DMT6008LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-7 DMT6008LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29.8A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-7 DMT6010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LPS-13 DMT6010LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS.pdf
DMT6010LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010SCT DMT6010SCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS.pdf
DMT6011LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-13 DMT6012LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFV-13 DMT6012LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFV-7 DMT6012LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LPSW-13 DMT6012LPSW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.5A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS.pdf
DMT6012LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.84W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LFDF-7 DMT6013LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMT6013LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS.pdf
DMT6013LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LFV-7 DMT6015LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LFVW-7 DMT6015LFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 127A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1205 1206 1207 1208 1209 1210 1211 1212 1213 1214 1215 1310 1313  [ Наступна Сторінка >> ]