Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73945) > Сторінка 1208 з 1233
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AH1808-Z-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1808-Z-7 |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MURS360-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying Type of diode: rectifying |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH180-WG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: UnclassifiedDescription: AH180-WG-7 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1809-P-A | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1883-ZG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1887-ZG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1887-ZG-7 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1802-FY4G-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1803-WG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1806-P-A | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1806-P-A |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1807-P-A | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1807-P-A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1809-P-B | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1809-W-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1809-Z-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1809-Z-7 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH180N-ZG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH180N-ZG-7 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH180-PG-A | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH180-PG-A |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1810-W-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1815-P-B | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1822-FT4G-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1892-Z-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall Type of sensor: Hall |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1893-Z-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1893-Z-7 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| AH1894-Z-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Hall SensorsDescription: AH1894-Z-7 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| KBP210G_HF | DIODES INCORPORATED |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 75A; KBP; THT Case: KBP Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: THT Max. forward impulse current: 75A Max. off-state voltage: 1kV |
на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BZX84C12-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Zener diodes Description: Diode: Zener Type of diode: Zener |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
1N4936-T | DIODES INCORPORATED |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 15pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.2V Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| ZXLD1320DCATC | DIODES INCORPORATED |
Category: Voltage regulators - DC/DC circuitsDescription: ZXLD1320DCATC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| ZXLD1615QET5TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Voltage regulators - DC/DC circuitsDescription: IC: PMIC Type of integrated circuit: PMIC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
SMBJ120A-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.6kW; 133÷153V; 3.1A; unidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 120V Breakdown voltage: 133...153V Max. forward impulse current: 3.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET Type of transistor: N/P-MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| ZXCT199A1DW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: instrumentation amplifier Type of integrated circuit: instrumentation amplifier |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 74AHC1G14QW5-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital Type of integrated circuit: digital |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
MMBF170-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| ZXLD1356QET5TA | DIODES INCORPORATED |
Category: LED driversDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| DSS2540M-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| ZXGD3003E6QTA | DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| ZXGD3004E6QTA | DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
ZXMHC10A07N8TC | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 0.9/-0.7A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9/1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BZT52HC11WF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.83W; 11V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode Mounting: SMD Case: SOD123F Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.83W Zener voltage: 11V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
74AHC1G32W5-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 2÷5.5VDC; -40÷150°C Type of integrated circuit: digital Kind of gate: OR Number of channels: 1 Number of inputs: 2 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SOT25 Supply voltage: 2...5.5V DC Operating temperature: -40...150°C Kind of package: reel; tape Family: AHC Kind of input: with Schmitt trigger Kind of output: push-pull |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| FMMT617 | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Current gain: 80...450 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMBJ16CAQ-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.6kW; 17.8÷20.5V; 23.1A; bidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 16V Breakdown voltage: 17.8...20.5V Max. forward impulse current: 23.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
SMBJ60CA-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.6kW; 66.7÷76.7V; 6.2A; bidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 60V Breakdown voltage: 66.7...76.7V Max. forward impulse current: 6.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 261mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.04nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.1A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 247mA Power dissipation: 0.37W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.8A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ZXMN6A08KTC | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
BCX5516TA | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SMAJ14A-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.4kW; 15.6÷17.2V; 17.2A; unidirectional; SMA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 14V Breakdown voltage: 15.6...17.2V Max. forward impulse current: 17.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 5µA Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SMBJ14CAQ-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS Type of diode: TVS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BZT52C3V9S-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.2W; 3.9V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.2W Zener voltage: 3.9V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOD323 Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
LMV393M8-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD comparatorsDescription: IC: comparator; universal; Cmp: 2; SMT; MSOP8; reel,tape; 150nA Type of integrated circuit: comparator Kind of comparator: universal Number of comparators: 2 Mounting: SMT Case: MSOP8 Operating temperature: -40...125°C Input offset voltage: 9mV Kind of package: reel; tape Kind of output: open collector Input offset current: 150nA Voltage supply range: 2.7...5.5V DC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
ZRB500F01TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Reference voltage sources - circuitsDescription: IC: voltage reference source; 5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 15mA Type of integrated circuit: voltage reference source Reference voltage: 5V Tolerance: ±1% Mounting: SMD Case: SOT23 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Maximum output current: 15mA |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
ZRB500F03TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Reference voltage sources - circuitsDescription: IC: voltage reference source; 5V; ±3%; SOT23; reel,tape; 15mA Type of integrated circuit: voltage reference source Reference voltage: 5V Tolerance: ±3% Mounting: SMD Case: SOT23 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Maximum output current: 15mA |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DMTH4M70SPGWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| ZVP4525GQTA | DIODES INCORPORATED |
Category: Transistors - UnclassifiedDescription: ZVP4525GQTA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
SMCJ85CA-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 94.4÷104V; 10.4A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 85V Breakdown voltage: 94.4...104V Max. forward impulse current: 10.4A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 5µA Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2710UT-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
SMAJ150A-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.4kW; 167÷185V; 1.6A; unidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 150V Breakdown voltage: 167...185V Max. forward impulse current: 1.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| GBU808-01-LS | DIODES INCORPORATED |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase Type of bridge rectifier: single-phase |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
B140-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Capacitance: 110pF Max. forward voltage: 0.5V Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 40V |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
GBU606 | DIODES INCORPORATED |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 175A Version: flat Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Features of semiconductor devices: glass passivated Case: GBU |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| AH1808-Z-7 |
![]() |
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.73 грн |
| MURS360-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.01 грн |
| AH180-WG-7 |
![]() |
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.01 грн |
| AH1809-P-A |
![]() |
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.67 грн |
| AH1883-ZG-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.76 грн |
| AH1887-ZG-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.86 грн |
| AH1802-FY4G-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.64 грн |
| AH1803-WG-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.24 грн |
| AH1806-P-A |
![]() |
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 18.63 грн |
| AH1807-P-A |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 22.52 грн |
| AH1809-P-B |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 31.26 грн |
| AH1809-W-7 |
![]() |
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.14 грн |
| AH1809-Z-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.41 грн |
| AH180N-ZG-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.17 грн |
| AH180-PG-A |
![]() |
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.58 грн |
| AH1810-W-7 |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.73 грн |
| AH1815-P-B |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 23.67 грн |
| AH1822-FT4G-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 48.93 грн |
| AH1892-Z-7 |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.61 грн |
| AH1893-Z-7 |
![]() |
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.19 грн |
| AH1894-Z-7 |
![]() |
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.35 грн |
| KBP210G_HF |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 75A; KBP; THT
Case: KBP
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 1kV
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 75A; KBP; THT
Case: KBP
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 1kV
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 875+ | 7.07 грн |
| BZX84C12-13-F |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener
Type of diode: Zener
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener
Type of diode: Zener
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.42 грн |
| 1N4936-T |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 6.18 грн |
| 92+ | 4.10 грн |
| ZXLD1320DCATC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: ZXLD1320DCATC
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: ZXLD1320DCATC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 147.48 грн |
| ZXLD1615QET5TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 59.17 грн |
| SMBJ120A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 133÷153V; 3.1A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 120V
Breakdown voltage: 133...153V
Max. forward impulse current: 3.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 133÷153V; 3.1A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 120V
Breakdown voltage: 133...153V
Max. forward impulse current: 3.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMC2025UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.83 грн |
| ZXCT199A1DW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.37 грн |
| 74AHC1G14QW5-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.73 грн |
| MMBF170-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 18.55 грн |
| 41+ | 10.00 грн |
| 59+ | 7.02 грн |
| 100+ | 6.03 грн |
| 500+ | 4.24 грн |
| 600+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 3.65 грн |
| 1500+ | 3.35 грн |
| 3000+ | 2.89 грн |
| ZXLD1356QET5TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: LED drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 110.39 грн |
| DSS2540M-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.12 грн |
| ZXGD3003E6QTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.43 грн |
| ZXGD3004E6QTA |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.06 грн |
| ZXMHC10A07N8TC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 75.95 грн |
| 10+ | 58.96 грн |
| 50+ | 49.86 грн |
| 100+ | 45.84 грн |
| 500+ | 43.96 грн |
| BZT52HC11WF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.83W; 11V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.83W
Zener voltage: 11V
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.83W; 11V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.83W
Zener voltage: 11V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74AHC1G32W5-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 2÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 11.48 грн |
| 64+ | 6.48 грн |
| 73+ | 5.64 грн |
| 81+ | 5.12 грн |
| 100+ | 4.71 грн |
| 250+ | 4.29 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| 3000+ | 3.83 грн |
| FMMT617 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Current gain: 80...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 3A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Current gain: 80...450
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ16CAQ-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 17.8÷20.5V; 23.1A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...20.5V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 17.8÷20.5V; 23.1A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...20.5V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ60CA-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 66.7÷76.7V; 6.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...76.7V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 66.7÷76.7V; 6.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...76.7V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 15.01 грн |
| 37+ | 11.15 грн |
| 41+ | 10.00 грн |
| 100+ | 6.97 грн |
| 500+ | 6.07 грн |
| 2N7002DWK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7002DWQ-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 9.71 грн |
| 59+ | 7.05 грн |
| 100+ | 6.32 грн |
| 500+ | 5.92 грн |
| 1000+ | 5.08 грн |
| 2N7002DWS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMN6A08KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCX5516TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMAJ14A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 15.6÷17.2V; 17.2A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 15.6...17.2V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 15.6÷17.2V; 17.2A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 15.6...17.2V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 12.36 грн |
| 43+ | 9.68 грн |
| 49+ | 8.45 грн |
| 100+ | 4.51 грн |
| 250+ | 4.31 грн |
| SMBJ14CAQ-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.57 грн |
| BZT52C3V9S-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.9V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.9V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.9V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.9V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 7.07 грн |
| 66+ | 6.23 грн |
| 73+ | 5.66 грн |
| 82+ | 5.00 грн |
| 111+ | 3.71 грн |
| 500+ | 2.73 грн |
| LMV393M8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; SMT; MSOP8; reel,tape; 150nA
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Mounting: SMT
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open collector
Input offset current: 150nA
Voltage supply range: 2.7...5.5V DC
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; SMT; MSOP8; reel,tape; 150nA
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Mounting: SMT
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open collector
Input offset current: 150nA
Voltage supply range: 2.7...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZRB500F01TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 15mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 15mA
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 15mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 15mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 44.16 грн |
| 15+ | 29.11 грн |
| 25+ | 26.08 грн |
| 30+ | 25.59 грн |
| ZRB500F03TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 5V; ±3%; SOT23; reel,tape; 15mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 5V
Tolerance: ±3%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 15mA
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 5V; ±3%; SOT23; reel,tape; 15mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 5V
Tolerance: ±3%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 15mA
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 61.82 грн |
| 11+ | 40.51 грн |
| 25+ | 37.07 грн |
| 30+ | 36.41 грн |
| 100+ | 32.64 грн |
| DMTH4M70SPGWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 146.60 грн |
| ZVP4525GQTA |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 27.82 грн |
| SMCJ85CA-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 94.4÷104V; 10.4A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 85V
Breakdown voltage: 94.4...104V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 94.4÷104V; 10.4A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 85V
Breakdown voltage: 94.4...104V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMN2710UT-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.43 грн |
| SMAJ150A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 167÷185V; 1.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 150V
Breakdown voltage: 167...185V
Max. forward impulse current: 1.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 167÷185V; 1.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 150V
Breakdown voltage: 167...185V
Max. forward impulse current: 1.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.66 грн |
| 29+ | 14.27 грн |
| 34+ | 12.30 грн |
| 44+ | 9.35 грн |
| 100+ | 5.84 грн |
| 500+ | 4.25 грн |
| GBU808-01-LS |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase
Type of bridge rectifier: single-phase
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 320+ | 20.31 грн |
| B140-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 110pF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 110pF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 12.36 грн |
| 49+ | 8.53 грн |
| 62+ | 6.64 грн |
| 100+ | 5.87 грн |
| 500+ | 4.23 грн |
| 1000+ | 3.57 грн |
| 1300+ | 3.32 грн |
| GBU606 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: GBU
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: GBU
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 114.81 грн |
| 10+ | 82.91 грн |












