Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73710) > Сторінка 605 з 1229

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 600 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 732 854 976 1098 1220 1229  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAT54CDW-7-F-2477 BAT54CDW-7-F-2477 Diodes Incorporated Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1ME_HF-07 FS1ME_HF-07 Diodes Incorporated Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 680000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.21 грн
5000+2.76 грн
7500+2.59 грн
12500+2.25 грн
17500+2.14 грн
25000+2.04 грн
62500+1.79 грн
125000+1.65 грн
250000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13 RDBF254-13 Diodes Incorporated Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13 RDBF254-13 Diodes Incorporated Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Tolerance: ±8.33%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.88 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
15000+3.38 грн
21000+3.24 грн
30000+3.10 грн
75000+2.75 грн
150000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Tolerance: ±8.33%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 344781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.18 грн
37+9.02 грн
100+3.96 грн
500+3.33 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V7WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Tolerance: ±7.41%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
6000+2.91 грн
9000+2.73 грн
15000+2.38 грн
21000+2.27 грн
30000+2.16 грн
75000+1.90 грн
150000+1.75 грн
300000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V7WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Tolerance: ±7.41%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 359990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.18 грн
34+9.84 грн
100+6.09 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC33WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Tolerance: ±6.06%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC33WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Tolerance: ±6.06%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.07 грн
45+7.38 грн
100+3.56 грн
500+3.27 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC39WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.85 грн
9000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC39WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.07 грн
45+7.38 грн
100+3.48 грн
500+3.23 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ5.0CAQ-13-F SMBJ5.0CAQ-13-F Diodes Incorporated ds40740.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.39 грн
12+29.36 грн
100+18.87 грн
500+13.43 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AP63201QWU-EVM AP63201QWU-EVM Diodes Incorporated AP63201QWU-EVM-User-Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR AP63201Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP63201Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63200QWU-EVM Diodes Incorporated AP63200QWU-EVM-User-Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR AP63200Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP63200Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63203QWU-EVM AP63203QWU-EVM Diodes Incorporated AP63203QWU-EVM-User-Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR AP63203Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 1.1MHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP63203Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+51.58 грн
100+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.90 грн
10+55.11 грн
100+36.83 грн
500+26.90 грн
1000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.47 грн
100+35.23 грн
500+25.69 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T SB550-T Diodes Incorporated ds23024.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+19.69 грн
2400+18.77 грн
3600+18.59 грн
6000+16.87 грн
8400+15.88 грн
12000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T SB550-T Diodes Incorporated ds23024.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 20192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.87 грн
10+39.69 грн
100+32.18 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMC2710UVQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMC2710UVQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
19+17.55 грн
100+11.01 грн
500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13 DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.77 грн
20000+4.19 грн
30000+3.99 грн
50000+3.53 грн
70000+3.41 грн
100000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13 DMC2710UDWQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UDWQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.77 грн
20000+4.19 грн
30000+3.99 грн
50000+3.53 грн
70000+3.41 грн
100000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13 DMC2710UVQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UVQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13 DMC2710UV-13 Diodes Incorporated DMC2710UV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.78 грн
20000+6.00 грн
30000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13 DMC2710UVT-13 Diodes Incorporated DMC2710UVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-7-F Diodes Incorporated BAT64W-AW-CW-SW.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
6000+2.16 грн
9000+1.84 грн
15000+1.68 грн
21000+1.67 грн
30000+1.55 грн
75000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-7-F Diodes Incorporated BAT64W-AW-CW-SW.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.37 грн
54+6.15 грн
100+4.07 грн
500+3.11 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-7-F Diodes Incorporated BAT64-A-C-S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
6000+2.55 грн
9000+2.39 грн
15000+2.15 грн
21000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-7-F Diodes Incorporated BAT64-A-C-S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.77 грн
38+8.77 грн
100+5.53 грн
500+4.39 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-13-F BAT64Q-13-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.52 грн
20000+4.84 грн
30000+4.60 грн
50000+4.06 грн
70000+3.91 грн
100000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-13-F BAT64SQ-13-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-13-F BAT64AQ-13-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.66 грн
20000+4.96 грн
30000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-7-F BAT64Q-7-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-7-F BAT64SQ-7-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-7-F BAT64AQ-7-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6065SPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.61 грн
5000+30.05 грн
7500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6065SPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13 DMNH6065SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6065SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13 DMNH6065SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6065SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.04 грн
5000+26.85 грн
7500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.68 грн
10+56.91 грн
100+37.60 грн
500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPDWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.59 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.18 грн
10+91.03 грн
100+61.34 грн
500+45.60 грн
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13 DMNH6035SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0TA BZX84C3V0TA Diodes Incorporated ds18001.pdf Description: ZENER SOT23 3V 0.3W 5%
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B Diodes Incorporated ds30865.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 125912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.55 грн
22+15.34 грн
100+9.64 грн
500+6.71 грн
1000+5.95 грн
2000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF-7 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF-7 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7 DMT12H065LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H065LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.49 грн
10+61.09 грн
100+40.45 грн
500+29.65 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.47 грн
15+22.06 грн
100+11.74 грн
500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF-7 Diodes Incorporated DMN3025LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CDW-7-F-2477
BAT54CDW-7-F-2477
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1ME_HF-07
FS1ME_HF-07
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 680000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.21 грн
5000+2.76 грн
7500+2.59 грн
12500+2.25 грн
17500+2.14 грн
25000+2.04 грн
62500+1.79 грн
125000+1.65 грн
250000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13
RDBF254-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13
RDBF254-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V4WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Tolerance: ±8.33%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.88 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
15000+3.38 грн
21000+3.24 грн
30000+3.10 грн
75000+2.75 грн
150000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V4WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Tolerance: ±8.33%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 344781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.18 грн
37+9.02 грн
100+3.96 грн
500+3.33 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V7WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Tolerance: ±7.41%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.37 грн
6000+2.91 грн
9000+2.73 грн
15000+2.38 грн
21000+2.27 грн
30000+2.16 грн
75000+1.90 грн
150000+1.75 грн
300000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V7WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Tolerance: ±7.41%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 359990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.18 грн
34+9.84 грн
100+6.09 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC33WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Tolerance: ±6.06%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC33WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Tolerance: ±6.06%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.07 грн
45+7.38 грн
100+3.56 грн
500+3.27 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC39WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.04 грн
6000+1.85 грн
9000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC39WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.07 грн
45+7.38 грн
100+3.48 грн
500+3.23 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ5.0CAQ-13-F ds40740.pdf
SMBJ5.0CAQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.39 грн
12+29.36 грн
100+18.87 грн
500+13.43 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AP63201QWU-EVM AP63201QWU-EVM-User-Guide.pdf
AP63201QWU-EVM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP63201Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP63201Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63200QWU-EVM AP63200QWU-EVM-User-Guide.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP63200Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP63200Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63203QWU-EVM AP63203QWU-EVM-User-Guide.pdf
AP63203QWU-EVM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP63203Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 1.1MHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP63203Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW.pdf
DMTH46M7SFVW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW.pdf
DMTH46M7SFVW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.01 грн
10+51.58 грн
100+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ.pdf
DMTH4008LPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ.pdf
DMTH4008LPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.90 грн
10+55.11 грн
100+36.83 грн
500+26.90 грн
1000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ.pdf
DMTH4008LPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ.pdf
DMTH4008LPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.57 грн
10+53.47 грн
100+35.23 грн
500+25.69 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T ds23024.pdf
SB550-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+19.69 грн
2400+18.77 грн
3600+18.59 грн
6000+16.87 грн
8400+15.88 грн
12000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T ds23024.pdf
SB550-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 20192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.87 грн
10+39.69 грн
100+32.18 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ.pdf
DMC2710UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ.pdf
DMC2710UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
19+17.55 грн
100+11.01 грн
500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13 DMC2710UDW.pdf
DMC2710UDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.77 грн
20000+4.19 грн
30000+3.99 грн
50000+3.53 грн
70000+3.41 грн
100000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13 DMC2710UDWQ.pdf
DMC2710UDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.77 грн
20000+4.19 грн
30000+3.99 грн
50000+3.53 грн
70000+3.41 грн
100000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13 DMC2710UVQ.pdf
DMC2710UVQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13 DMC2710UV.pdf
DMC2710UV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.78 грн
20000+6.00 грн
30000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13 DMC2710UVT.pdf
DMC2710UVT-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-AW-CW-SW.pdf
BAT64W-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
6000+2.16 грн
9000+1.84 грн
15000+1.68 грн
21000+1.67 грн
30000+1.55 грн
75000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-AW-CW-SW.pdf
BAT64W-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.37 грн
54+6.15 грн
100+4.07 грн
500+3.11 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-A-C-S.pdf
BAT64-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
6000+2.55 грн
9000+2.39 грн
15000+2.15 грн
21000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-A-C-S.pdf
BAT64-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.77 грн
38+8.77 грн
100+5.53 грн
500+4.39 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-13-F DS45354.pdf
BAT64Q-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.52 грн
20000+4.84 грн
30000+4.60 грн
50000+4.06 грн
70000+3.91 грн
100000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-13-F DS45354.pdf
BAT64SQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-13-F DS45354.pdf
BAT64AQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.66 грн
20000+4.96 грн
30000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-7-F DS45354.pdf
BAT64Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-7-F DS45354.pdf
BAT64SQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-7-F DS45354.pdf
BAT64AQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13 DMNH6065SPDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.61 грн
5000+30.05 грн
7500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13 DMNH6065SPDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13 DMNH6065SSD.pdf
DMNH6065SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13 DMNH6065SSDQ.pdf
DMNH6065SSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD.pdf
DMTH6016LPD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.04 грн
5000+26.85 грн
7500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ.pdf
DMTH6016LPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ.pdf
DMTH6016LPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+56.91 грн
100+37.60 грн
500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13 DMTH6016LPDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW.pdf
DMNH6035SPDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.59 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW.pdf
DMNH6035SPDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.18 грн
10+91.03 грн
100+61.34 грн
500+45.60 грн
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13 DMNH6035SPDWQ.pdf
DMNH6035SPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0TA ds18001.pdf
BZX84C3V0TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER SOT23 3V 0.3W 5%
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7B ds30865.pdf
DMN2004VK-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 125912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.55 грн
22+15.34 грн
100+9.64 грн
500+6.71 грн
1000+5.95 грн
2000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF.pdf
DMT35M4LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF.pdf
DMT35M4LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7 DMT12H065LFDF.pdf
DMT12H065LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.49 грн
10+61.09 грн
100+40.45 грн
500+29.65 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
DMN10H220LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
DMN10H220LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.47 грн
15+22.06 грн
100+11.74 грн
500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF.pdf
DMN3025LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 600 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 732 854 976 1098 1220 1229  [ Наступна Сторінка >> ]