Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74629) > Сторінка 227 з 1244

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 1244  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DN0150ALP4-7B DN0150ALP4-7B Diodes Incorporated ds31492.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150BLP4-7B DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated ds31492.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7B MMBT3904LP-7B Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated MMBT3906LP.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1A40S1-7 SBR1A40S1-7 Diodes Incorporated SBR1A40S1.pdf Description: DIODE SBR 40V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 2091000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+7.48 грн
9000+7.15 грн
15000+6.35 грн
21000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3045CTB-13 SBR3045CTB-13 Diodes Incorporated SBR3045CTB.pdf Description: DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Diodes Incorporated DSS2515M.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.41 грн
20000+5.68 грн
30000+5.42 грн
50000+4.82 грн
70000+4.66 грн
100000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 980000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.77 грн
20000+4.22 грн
30000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B Diodes Incorporated DSS3540M.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.62 грн
20000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10A45SP5-13 SBR10A45SP5-13 Diodes Incorporated SBR10A45SP5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 45 V
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.37 грн
10000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2U150SA-13 SBR2U150SA-13 Diodes Incorporated SBR2U150SA.pdf Description: DIODE SBR 150V 2A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 150 V
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150BLP4-7B DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated ds31492.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 17785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150BLP4-7B DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated ds31492.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 17785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2U150SA-13 SBR2U150SA-13 Diodes Incorporated SBR2U150SA.pdf Description: DIODE SBR 150V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 150 V
на замовлення 354025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.95 грн
11+30.65 грн
100+21.22 грн
500+16.64 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DP0150BLP4-7B DP0150BLP4-7B Diodes Incorporated DP0150BLP4.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
на замовлення 8541052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+36.23 грн
100+23.34 грн
500+16.69 грн
1000+15.01 грн
2000+13.60 грн
5000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3045CTB-13 SBR3045CTB-13 Diodes Incorporated SBR3045CTB.pdf Description: DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Diodes Incorporated DSS2515M.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 127625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.43 грн
16+20.30 грн
100+12.88 грн
500+9.05 грн
1000+8.07 грн
2000+7.24 грн
5000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 982913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
18+18.11 грн
100+11.43 грн
500+8.01 грн
1000+7.12 грн
2000+6.38 грн
5000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B Diodes Incorporated DSS3540M.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 39260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
18+18.11 грн
100+11.43 грн
500+8.01 грн
1000+7.12 грн
2000+6.38 грн
5000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7B MMBT3904LP-7B Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.95 грн
15+22.08 грн
100+14.01 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
2000+7.92 грн
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated MMBT3906LP.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.95 грн
15+22.08 грн
100+14.01 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
2000+7.92 грн
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150ALP4-7B DN0150ALP4-7B Diodes Incorporated ds31492.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150ALP4-7B DN0150ALP4-7B Diodes Incorporated ds31492.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10A45SP5-13 SBR10A45SP5-13 Diodes Incorporated SBR10A45SP5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 45 V
на замовлення 388608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.23 грн
10+38.41 грн
100+36.12 грн
500+25.68 грн
1000+23.35 грн
2000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP-7B BC847BLP-7B Diodes Incorporated BC847BLP.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.98 грн
20000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BLP-7B BC857BLP-7B Diodes Incorporated ds30526.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.84 грн
20000+3.38 грн
30000+3.22 грн
50000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20-7 BSN20-7 Diodes Incorporated ds31898.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.35 грн
9000+3.16 грн
15000+2.76 грн
21000+2.65 грн
30000+2.53 грн
75000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7 DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated DMC2038LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+5.95 грн
9000+5.64 грн
15000+4.96 грн
21000+4.77 грн
30000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated DMG4511SK4.pdf Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.08 грн
5000+20.83 грн
7500+20.33 грн
12500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated DMN2990UDJ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 6330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.56 грн
20000+7.19 грн
30000+7.16 грн
50000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Diodes Incorporated DMN3110S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.13 грн
6000+12.50 грн
9000+11.93 грн
15000+10.60 грн
21000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD-13 Diodes Incorporated DMN4031SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.84 грн
5000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.68 грн
5000+13.63 грн
7500+13.04 грн
12500+11.55 грн
17500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Diodes Incorporated DMG1026UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
6000+8.27 грн
9000+7.85 грн
15000+6.93 грн
21000+6.67 грн
30000+6.42 грн
75000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+6.24 грн
9000+5.53 грн
30000+5.12 грн
75000+4.35 грн
150000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated DMG4822SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.42 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated DMG6602SVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+5.48 грн
9000+5.19 грн
15000+4.56 грн
21000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3016SSSA-13 DMS3016SSSA-13 Diodes Incorporated DMS3016SSSA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Diodes Incorporated DMN3110S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+36.55 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
16+20.54 грн
100+10.34 грн
500+8.60 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP-7B BC847BLP-7B Diodes Incorporated BC847BLP.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 570130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.95 грн
15+22.08 грн
100+14.01 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
2000+7.92 грн
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated DMG4822SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
10+40.43 грн
100+28.00 грн
500+21.96 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3016SSSA-13 DMS3016SSSA-13 Diodes Incorporated DMS3016SSSA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated DMG6602SVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 28739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
19+17.71 грн
100+11.18 грн
500+7.82 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20-7 BSN20-7 Diodes Incorporated ds31898.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 158503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.83 грн
22+15.20 грн
100+8.78 грн
500+5.56 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated DMN2990UDJ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 6333460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.67 грн
13+26.04 грн
100+12.15 грн
500+10.02 грн
1000+9.03 грн
2000+8.22 грн
5000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD-13 Diodes Incorporated DMN4031SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.91 грн
10+43.83 грн
100+32.69 грн
500+24.11 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated DMG4511SK4.pdf Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 14861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.38 грн
10+55.88 грн
100+35.27 грн
500+25.81 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.94 грн
10+34.45 грн
100+22.17 грн
500+15.84 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BLP-7B BC857BLP-7B Diodes Incorporated ds30526.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 326685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.19 грн
22+14.96 грн
100+9.39 грн
500+6.53 грн
1000+5.80 грн
2000+5.17 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7 DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated DMC2038LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 35251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
17+19.08 грн
100+12.05 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Diodes Incorporated DMG1026UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 944113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
13+24.99 грн
100+15.91 грн
500+11.24 грн
1000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PD10GE159 PD10GE159 Diodes Incorporated PD10GE159.pdf Description: XTAL OSC XO 159.3750MHZ PECL SMD
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.13 грн
10+372.07 грн
50+351.37 грн
100+310.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD10GE156 PD10GE156 Diodes Incorporated PD-3.3V.pdf Description: XTAL OSC XO 156.2500MHZ PECL SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDGPON155 PDGPON155 Diodes Incorporated PD-3.3V.pdf Description: XTAL OSC XO 155.5200MHZ PECL SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 80mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Part Status: Active
Frequency: 155.52 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.98 грн
10+307.38 грн
25+290.67 грн
50+261.51 грн
100+250.71 грн
250+237.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7 DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated DMC2700UDM.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 5208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+4.01 грн
9000+3.79 грн
15000+3.32 грн
21000+3.19 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7 DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated DMC2700UDM.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 5210727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.19 грн
22+15.12 грн
100+9.49 грн
500+6.60 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AL8807W5-7 AL8807W5-7 Diodes Incorporated Description: IC LED DRIVER RGLTR PWM 1A SOT25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output / Channel: 1A (Switch)
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: SOT-25
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 36V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150ALP4-7B ds31492.pdf
DN0150ALP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150BLP4-7B ds31492.pdf
DN0150BLP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7B ds31835.pdf
MMBT3904LP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP.pdf
MMBT3906LP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1A40S1-7 SBR1A40S1.pdf
SBR1A40S1-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 2091000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.46 грн
6000+7.48 грн
9000+7.15 грн
15000+6.35 грн
21000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3045CTB-13 SBR3045CTB.pdf
SBR3045CTB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DSS2515M.pdf
DSS2515M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.41 грн
20000+5.68 грн
30000+5.42 грн
50000+4.82 грн
70000+4.66 грн
100000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 980000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.77 грн
20000+4.22 грн
30000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M.pdf
DSS3540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.62 грн
20000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10A45SP5-13 SBR10A45SP5.pdf
SBR10A45SP5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 45 V
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.37 грн
10000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2U150SA-13 SBR2U150SA.pdf
SBR2U150SA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 150V 2A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 150 V
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150BLP4-7B ds31492.pdf
DN0150BLP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 17785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150BLP4-7B ds31492.pdf
DN0150BLP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 17785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2U150SA-13 SBR2U150SA.pdf
SBR2U150SA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 150V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 150 V
на замовлення 354025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.95 грн
11+30.65 грн
100+21.22 грн
500+16.64 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DP0150BLP4-7B DP0150BLP4.pdf
DP0150BLP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
на замовлення 8541052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.46 грн
10+36.23 грн
100+23.34 грн
500+16.69 грн
1000+15.01 грн
2000+13.60 грн
5000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3045CTB-13 SBR3045CTB.pdf
SBR3045CTB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DSS2515M.pdf
DSS2515M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 127625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.43 грн
16+20.30 грн
100+12.88 грн
500+9.05 грн
1000+8.07 грн
2000+7.24 грн
5000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 982913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
18+18.11 грн
100+11.43 грн
500+8.01 грн
1000+7.12 грн
2000+6.38 грн
5000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M.pdf
DSS3540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 39260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
18+18.11 грн
100+11.43 грн
500+8.01 грн
1000+7.12 грн
2000+6.38 грн
5000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7B ds31835.pdf
MMBT3904LP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.95 грн
15+22.08 грн
100+14.01 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
2000+7.92 грн
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP.pdf
MMBT3906LP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.95 грн
15+22.08 грн
100+14.01 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
2000+7.92 грн
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150ALP4-7B ds31492.pdf
DN0150ALP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN0150ALP4-7B ds31492.pdf
DN0150ALP4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10A45SP5-13 SBR10A45SP5.pdf
SBR10A45SP5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 45 V
на замовлення 388608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.23 грн
10+38.41 грн
100+36.12 грн
500+25.68 грн
1000+23.35 грн
2000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP-7B BC847BLP.pdf
BC847BLP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.98 грн
20000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BLP-7B ds30526.pdf
BC857BLP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.84 грн
20000+3.38 грн
30000+3.22 грн
50000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20-7 ds31898.pdf
BSN20-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.86 грн
6000+3.35 грн
9000+3.16 грн
15000+2.76 грн
21000+2.65 грн
30000+2.53 грн
75000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7 DMC2038LVT.pdf
DMC2038LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.82 грн
6000+5.95 грн
9000+5.64 грн
15000+4.96 грн
21000+4.77 грн
30000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4.pdf
DMG4511SK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.08 грн
5000+20.83 грн
7500+20.33 грн
12500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ.pdf
DMN2990UDJ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 6330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.56 грн
20000+7.19 грн
30000+7.16 грн
50000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S.pdf
DMN3110S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.13 грн
6000+12.50 грн
9000+11.93 грн
15000+10.60 грн
21000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD.pdf
DMN4031SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL.pdf
DMN4800LSSL-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.84 грн
5000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.68 грн
5000+13.63 грн
7500+13.04 грн
12500+11.55 грн
17500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
6000+8.27 грн
9000+7.85 грн
15000+6.93 грн
21000+6.67 грн
30000+6.42 грн
75000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.63 грн
6000+6.24 грн
9000+5.53 грн
30000+5.12 грн
75000+4.35 грн
150000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.42 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT.pdf
DMG6602SVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.29 грн
6000+5.48 грн
9000+5.19 грн
15000+4.56 грн
21000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3016SSSA-13 DMS3016SSSA.pdf
DMS3016SSSA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S.pdf
DMN3110S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.30 грн
10+36.55 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
16+20.54 грн
100+10.34 грн
500+8.60 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP-7B BC847BLP.pdf
BC847BLP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 570130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.95 грн
15+22.08 грн
100+14.01 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
2000+7.92 грн
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.71 грн
10+40.43 грн
100+28.00 грн
500+21.96 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3016SSSA-13 DMS3016SSSA.pdf
DMS3016SSSA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT.pdf
DMG6602SVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 28739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
19+17.71 грн
100+11.18 грн
500+7.82 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20-7 ds31898.pdf
BSN20-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 158503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.83 грн
22+15.20 грн
100+8.78 грн
500+5.56 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ.pdf
DMN2990UDJ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 6333460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.67 грн
13+26.04 грн
100+12.15 грн
500+10.02 грн
1000+9.03 грн
2000+8.22 грн
5000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD.pdf
DMN4031SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.91 грн
10+43.83 грн
100+32.69 грн
500+24.11 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4.pdf
DMG4511SK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 14861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.38 грн
10+55.88 грн
100+35.27 грн
500+25.81 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL.pdf
DMN4800LSSL-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.94 грн
10+34.45 грн
100+22.17 грн
500+15.84 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BLP-7B ds30526.pdf
BC857BLP-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 326685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.19 грн
22+14.96 грн
100+9.39 грн
500+6.53 грн
1000+5.80 грн
2000+5.17 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7 DMC2038LVT.pdf
DMC2038LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 35251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
17+19.08 грн
100+12.05 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 944113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.99 грн
13+24.99 грн
100+15.91 грн
500+11.24 грн
1000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PD10GE159 PD10GE159.pdf
PD10GE159
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XTAL OSC XO 159.3750MHZ PECL SMD
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.13 грн
10+372.07 грн
50+351.37 грн
100+310.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD10GE156 PD-3.3V.pdf
PD10GE156
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XTAL OSC XO 156.2500MHZ PECL SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDGPON155 PD-3.3V.pdf
PDGPON155
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XTAL OSC XO 155.5200MHZ PECL SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 80mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Part Status: Active
Frequency: 155.52 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.98 грн
10+307.38 грн
25+290.67 грн
50+261.51 грн
100+250.71 грн
250+237.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7 DMC2700UDM.pdf
DMC2700UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 5208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.62 грн
6000+4.01 грн
9000+3.79 грн
15000+3.32 грн
21000+3.19 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7 DMC2700UDM.pdf
DMC2700UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 5210727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.19 грн
22+15.12 грн
100+9.49 грн
500+6.60 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AL8807W5-7
AL8807W5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC LED DRIVER RGLTR PWM 1A SOT25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output / Channel: 1A (Switch)
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: SOT-25
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 36V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 1244  [ Наступна Сторінка >> ]