Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (170) > Сторінка 2 з 3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR3060W MBR3060W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_193.html Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247S
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
600+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40100A MBR40100A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_219.html Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.83 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
500+30.82 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40100F MBR40100F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_221.html Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.83 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.79 грн
10+72.60 грн
100+43.56 грн
500+28.61 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40150A MBR40150A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_2.html Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.45 грн
10+90.47 грн
100+54.28 грн
500+35.66 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40150F MBR40150F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_4.html Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.66 грн
10+83.81 грн
100+50.26 грн
500+33.02 грн
1000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40200A MBR40200A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_7.html Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.88 грн
10+89.33 грн
100+53.61 грн
500+35.22 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40200F MBR40200F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_9.html Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.66 грн
10+83.81 грн
100+50.26 грн
500+33.02 грн
1000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4045A MBR4045A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_209.html Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.65 грн
10+77.07 грн
100+46.24 грн
500+30.38 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4045F MBR4045F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_211.html Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 40A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
500+30.82 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4060A MBR4060A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_214.html Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
500+30.82 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4060F MBR4060F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_216.html Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.79 грн
10+72.60 грн
100+43.56 грн
500+28.61 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60100A MBR60100A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_22.html Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.25 грн
10+103.34 грн
100+62.01 грн
500+40.74 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60100F MBR60100F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_24.html Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.03 грн
10+97.81 грн
100+58.67 грн
500+38.55 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6045A MBR6045A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_12.html Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6045F MBR6045F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_14.html Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032 MJE15032 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_28.html Description: TRANS NPN 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.15 грн
10+73.66 грн
100+44.23 грн
500+29.06 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033 MJE15033 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_27.html Description: TRANS PNP 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.15 грн
10+73.66 грн
100+44.23 грн
500+29.06 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907 MMBT2907 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_6.html Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+4.72 грн
118+2.57 грн
199+1.53 грн
500+1.00 грн
1000+0.85 грн
3000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 MMBT5401 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_4.html Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.93 грн
134+2.27 грн
225+1.35 грн
500+0.89 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.93 грн
134+2.27 грн
225+1.35 грн
500+0.89 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MC MOT100N03MC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_763.html Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.46 грн
10+30.66 грн
100+18.40 грн
500+12.09 грн
1000+10.28 грн
4200+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MD MOT100N03MD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_762.html Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.17 грн
12+27.41 грн
100+16.43 грн
500+10.79 грн
1000+9.18 грн
2500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65D MOT10N65D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_122.html Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.66 грн
10+83.81 грн
100+50.26 грн
500+33.02 грн
1000+28.07 грн
2500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65F MOT10N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_119.html Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.88 грн
10+89.33 грн
100+53.61 грн
500+35.22 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N80HF MOT10N80HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_160.html Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.21 грн
10+203.27 грн
100+121.96 грн
500+80.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1112T MOT1112T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_912.html Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.51 грн
10+430.16 грн
100+258.10 грн
500+169.56 грн
1000+144.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1113T4 MOT1113T4 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_870.html Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.31 грн
10+377.85 грн
100+226.71 грн
500+148.93 грн
1000+126.59 грн
2000+107.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A MOT120N10A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_753.html Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.34 грн
10+120.52 грн
100+72.30 грн
500+47.50 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10D MOT120N10D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_750.html Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.99 грн
10+131.43 грн
100+78.88 грн
500+51.81 грн
1000+44.04 грн
2500+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10E MOT120N10E Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_752.html Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.46 грн
10+240.97 грн
100+144.61 грн
500+94.99 грн
800+80.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65A MOT12N65A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_123.html Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65F MOT12N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_124.html Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65T MOT12N65T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_901.html Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N80HSF MOT12N80HSF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. MOT12N80HSF.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
10+216.67 грн
100+130.00 грн
500+85.40 грн
1000+72.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MA MOT13007MA Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_6.html Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MF MOT13007MF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_8.html Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DW MOT13009DW Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_15.html Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.66 грн
10+89.86 грн
100+53.90 грн
500+35.41 грн
1000+30.10 грн
3000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT130N03D MOT130N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_744.html Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.61 грн
10+39.06 грн
100+23.45 грн
500+15.41 грн
1000+13.10 грн
2500+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50A MOT13N50A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_29.html Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50HF MOT13N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_34.html Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50SF MOT13N50SF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_30.html Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03A MOT150N03A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_740.html Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.45 грн
10+90.47 грн
100+54.28 грн
500+35.66 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03D MOT150N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_738.html Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.84 грн
10+51.40 грн
100+30.82 грн
500+20.25 грн
1000+17.21 грн
2500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N50HF MOT15N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_36.html Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.27 грн
10+122.87 грн
100+73.71 грн
500+48.43 грн
1000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N50HF MOT16N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_38.html Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.06 грн
10+129.61 грн
100+77.73 грн
500+51.07 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N65HF MOT16N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_128.html Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10A MOT180N10A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_733.html Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.14 грн
10+212.20 грн
100+127.33 грн
500+83.64 грн
1000+71.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10E MOT180N10E Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_732.html Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.17 грн
10+513.82 грн
100+308.26 грн
500+202.51 грн
800+172.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N50HF MOT18N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_40.html Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.14 грн
10+133.47 грн
100+80.08 грн
500+52.61 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF MOT18N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_129.html Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.22 грн
10+144.22 грн
100+86.51 грн
500+56.83 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF MOT20N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_42.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+151.11 грн
100+90.67 грн
500+59.56 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W MOT20N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_43.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.30 грн
10+220.61 грн
100+132.36 грн
600+86.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT22N65HF MOT22N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_132.html Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.50 грн
10+207.06 грн
100+124.23 грн
500+81.61 грн
1000+69.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50N MOT25N50N Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_197.html Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.80 грн
10+361.50 грн
100+216.90 грн
600+142.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50W MOT25N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_209.html Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.67 грн
10+306.76 грн
100+184.04 грн
600+120.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2620J MOT2620J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_675.html Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
11+30.13 грн
100+18.09 грн
500+11.89 грн
1000+10.10 грн
5000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50HF MOT28N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_48.html Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.95 грн
10+231.66 грн
100+138.98 грн
500+91.30 грн
1000+77.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50Q MOT28N50Q Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_210.html Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.99 грн
10+341.89 грн
100+205.16 грн
600+134.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N06D MOT30N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_835.html Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.96 грн
11+27.94 грн
100+16.75 грн
500+11.01 грн
1000+9.35 грн
2500+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3400AB2 MOT3400AB2 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_422.html Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
43+7.12 грн
100+4.28 грн
500+2.81 грн
1000+2.39 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3060W index_193.html
MBR3060W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247S
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
600+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40100A index_219.html
MBR40100A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.83 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
500+30.82 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40100F index_221.html
MBR40100F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.83 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.79 грн
10+72.60 грн
100+43.56 грн
500+28.61 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40150A index_2.html
MBR40150A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.45 грн
10+90.47 грн
100+54.28 грн
500+35.66 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40150F index_4.html
MBR40150F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.66 грн
10+83.81 грн
100+50.26 грн
500+33.02 грн
1000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40200A index_7.html
MBR40200A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.88 грн
10+89.33 грн
100+53.61 грн
500+35.22 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40200F index_9.html
MBR40200F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.66 грн
10+83.81 грн
100+50.26 грн
500+33.02 грн
1000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4045A index_209.html
MBR4045A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.65 грн
10+77.07 грн
100+46.24 грн
500+30.38 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4045F index_211.html
MBR4045F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 40A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
500+30.82 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4060A index_214.html
MBR4060A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.22 грн
10+78.20 грн
100+46.91 грн
500+30.82 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR4060F index_216.html
MBR4060F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.79 грн
10+72.60 грн
100+43.56 грн
500+28.61 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60100A index_22.html
MBR60100A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.25 грн
10+103.34 грн
100+62.01 грн
500+40.74 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60100F index_24.html
MBR60100F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.03 грн
10+97.81 грн
100+58.67 грн
500+38.55 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6045A index_12.html
MBR6045A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6045F index_14.html
MBR6045F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032 audiotube_28.html
MJE15032
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.15 грн
10+73.66 грн
100+44.23 грн
500+29.06 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033 audiotube_27.html
MJE15033
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.15 грн
10+73.66 грн
100+44.23 грн
500+29.06 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907 smallsignaltransistor_6.html
MMBT2907
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+4.72 грн
118+2.57 грн
199+1.53 грн
500+1.00 грн
1000+0.85 грн
3000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 smallsignaltransistor_4.html
MMBT5401
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.93 грн
134+2.27 грн
225+1.35 грн
500+0.89 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.93 грн
134+2.27 грн
225+1.35 грн
500+0.89 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MC trenchsgtmOS_763.html
MOT100N03MC
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.46 грн
10+30.66 грн
100+18.40 грн
500+12.09 грн
1000+10.28 грн
4200+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MD trenchsgtmOS_762.html
MOT100N03MD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.17 грн
12+27.41 грн
100+16.43 грн
500+10.79 грн
1000+9.18 грн
2500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65D index_122.html
MOT10N65D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.66 грн
10+83.81 грн
100+50.26 грн
500+33.02 грн
1000+28.07 грн
2500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65F index_119.html
MOT10N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.88 грн
10+89.33 грн
100+53.61 грн
500+35.22 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N80HF index_160.html
MOT10N80HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.21 грн
10+203.27 грн
100+121.96 грн
500+80.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1112T mediumsgt_912.html
MOT1112T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.51 грн
10+430.16 грн
100+258.10 грн
500+169.56 грн
1000+144.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1113T4 mediumsgt_870.html
MOT1113T4
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.31 грн
10+377.85 грн
100+226.71 грн
500+148.93 грн
1000+126.59 грн
2000+107.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A trenchsgtmOS_753.html
MOT120N10A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.34 грн
10+120.52 грн
100+72.30 грн
500+47.50 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10D trenchsgtmOS_750.html
MOT120N10D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.99 грн
10+131.43 грн
100+78.88 грн
500+51.81 грн
1000+44.04 грн
2500+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10E trenchsgtmOS_752.html
MOT120N10E
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.46 грн
10+240.97 грн
100+144.61 грн
500+94.99 грн
800+80.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65A index_123.html
MOT12N65A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65F index_124.html
MOT12N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65T mediumsgt_901.html
MOT12N65T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N80HSF MOT12N80HSF.pdf
MOT12N80HSF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.01 грн
10+216.67 грн
100+130.00 грн
500+85.40 грн
1000+72.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MA index_6.html
MOT13007MA
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MF index_8.html
MOT13007MF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DW index_15.html
MOT13009DW
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.66 грн
10+89.86 грн
100+53.90 грн
500+35.41 грн
1000+30.10 грн
3000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT130N03D trenchsgtmOS_744.html
MOT130N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.61 грн
10+39.06 грн
100+23.45 грн
500+15.41 грн
1000+13.10 грн
2500+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50A index_29.html
MOT13N50A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50HF index_34.html
MOT13N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50SF index_30.html
MOT13N50SF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03A trenchsgtmOS_740.html
MOT150N03A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.45 грн
10+90.47 грн
100+54.28 грн
500+35.66 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03D trenchsgtmOS_738.html
MOT150N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.84 грн
10+51.40 грн
100+30.82 грн
500+20.25 грн
1000+17.21 грн
2500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N50HF index_36.html
MOT15N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.27 грн
10+122.87 грн
100+73.71 грн
500+48.43 грн
1000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N50HF index_38.html
MOT16N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.06 грн
10+129.61 грн
100+77.73 грн
500+51.07 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N65HF index_128.html
MOT16N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10A trenchsgtmOS_733.html
MOT180N10A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.14 грн
10+212.20 грн
100+127.33 грн
500+83.64 грн
1000+71.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10E trenchsgtmOS_732.html
MOT180N10E
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.17 грн
10+513.82 грн
100+308.26 грн
500+202.51 грн
800+172.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N50HF index_40.html
MOT18N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.14 грн
10+133.47 грн
100+80.08 грн
500+52.61 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF index_129.html
MOT18N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.22 грн
10+144.22 грн
100+86.51 грн
500+56.83 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF index_42.html
MOT20N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.01 грн
10+151.11 грн
100+90.67 грн
500+59.56 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W index_43.html
MOT20N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.30 грн
10+220.61 грн
100+132.36 грн
600+86.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT22N65HF index_132.html
MOT22N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.50 грн
10+207.06 грн
100+124.23 грн
500+81.61 грн
1000+69.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50N index_197.html
MOT25N50N
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+625.80 грн
10+361.50 грн
100+216.90 грн
600+142.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50W index_209.html
MOT25N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.67 грн
10+306.76 грн
100+184.04 грн
600+120.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2620J trenchsgtmOS_675.html
MOT2620J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.89 грн
11+30.13 грн
100+18.09 грн
500+11.89 грн
1000+10.10 грн
5000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50HF index_48.html
MOT28N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.95 грн
10+231.66 грн
100+138.98 грн
500+91.30 грн
1000+77.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50Q index_210.html
MOT28N50Q
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.99 грн
10+341.89 грн
100+205.16 грн
600+134.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N06D trenchsgtmOS_835.html
MOT30N06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
11+27.94 грн
100+16.75 грн
500+11.01 грн
1000+9.35 грн
2500+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3400AB2 smallsignalMOS_422.html
MOT3400AB2
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.58 грн
43+7.12 грн
100+4.28 грн
500+2.81 грн
1000+2.39 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]