Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (199) > Сторінка 3 з 4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MOT15N10D MOT15N10D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_849.html Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
11+27.81 грн
100+16.65 грн
500+10.94 грн
1000+9.30 грн
2500+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N50HF MOT15N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_36.html Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.61 грн
10+123.65 грн
100+74.18 грн
500+48.73 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N50HF MOT16N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_38.html Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
10+130.43 грн
100+78.23 грн
500+51.39 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N65HF MOT16N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_128.html Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+122.13 грн
100+73.26 грн
500+48.13 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10A MOT180N10A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_733.html Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.47 грн
10+213.55 грн
100+128.14 грн
500+84.17 грн
1000+71.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10E MOT180N10E Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_732.html Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.81 грн
10+517.07 грн
100+310.21 грн
500+203.79 грн
800+173.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N50HF MOT18N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_40.html Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.18 грн
10+135.38 грн
100+81.23 грн
500+53.36 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF MOT18N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_129.html Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.59 грн
10+145.44 грн
100+87.25 грн
500+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF MOT20N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_42.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.67 грн
10+152.07 грн
100+91.24 грн
500+59.94 грн
1000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W MOT20N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_43.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.71 грн
10+222.01 грн
100+133.20 грн
600+87.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT22N65HF MOT22N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_132.html Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.77 грн
10+208.37 грн
100+125.01 грн
500+82.13 грн
1000+69.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50N MOT25N50N Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_197.html Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.77 грн
10+363.79 грн
100+218.28 грн
600+143.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50W MOT25N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_209.html Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.03 грн
10+308.71 грн
100+185.21 грн
600+121.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2620J MOT2620J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_675.html Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
11+30.32 грн
100+18.21 грн
500+11.96 грн
1000+10.17 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50HF MOT28N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_48.html Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.49 грн
10+233.13 грн
100+139.86 грн
500+91.88 грн
1000+78.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50Q MOT28N50Q Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_210.html Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.75 грн
10+344.06 грн
100+206.46 грн
600+135.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N60HF MOT28N60HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_83.html Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.06 грн
10+245.32 грн
100+147.18 грн
500+96.69 грн
1000+82.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N06D MOT30N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_835.html Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.11 грн
100+16.86 грн
500+11.07 грн
1000+9.41 грн
2500+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N10BD MOT30N10BD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_833.html Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.74 грн
10+44.42 грн
100+26.63 грн
500+17.50 грн
1000+14.88 грн
2500+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3400AB2 MOT3400AB2 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_422.html Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
43+7.16 грн
100+4.30 грн
500+2.82 грн
1000+2.40 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3728J MOT3728J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_582.html Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
11+27.81 грн
100+16.65 грн
500+10.94 грн
1000+9.30 грн
5000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3N150V MOT3N150V Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_191.html Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.72 грн
10+294.31 грн
100+176.56 грн
600+115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4618D MOT4618D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_529.html Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+53.25 грн
100+31.97 грн
500+21.00 грн
1000+17.85 грн
2500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4733J MOT4733J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_506.html Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+35.58 грн
100+21.31 грн
500+14.00 грн
1000+11.90 грн
5000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65C MOT4N65C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_91.html Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+43.35 грн
100+25.97 грн
500+17.06 грн
1000+14.50 грн
4200+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65D MOT4N65D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_92.html Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+43.35 грн
100+25.97 грн
500+17.06 грн
1000+14.50 грн
2500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65F MOT4N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_90.html Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+52.19 грн
100+31.30 грн
500+20.56 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65T MOT4N65T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_913.html Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.77 грн
10+166.47 грн
100+99.90 грн
500+65.63 грн
1000+55.78 грн
2000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70D MOT4N70D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_144.html Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.91 грн
10+46.32 грн
100+27.79 грн
500+18.25 грн
1000+15.51 грн
2500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70F MOT4N70F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_142.html Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+55.08 грн
100+33.07 грн
500+21.73 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03BD MOT50N03BD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_813.html Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.77 грн
14+22.47 грн
100+13.48 грн
500+8.86 грн
1000+7.53 грн
2500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03C MOT50N03C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_811.html Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
12+26.97 грн
100+16.19 грн
500+10.63 грн
1000+9.04 грн
4200+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03D MOT50N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_812.html Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
13+24.68 грн
100+14.84 грн
500+9.75 грн
1000+8.28 грн
2500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06C MOT50N06C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_808.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+35.58 грн
100+21.31 грн
500+14.00 грн
1000+11.90 грн
4200+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D MOT50N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_807.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
10+32.15 грн
100+19.31 грн
500+12.69 грн
1000+10.78 грн
2500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT55N06B MOT55N06B Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_798.html Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.12 грн
10+76.41 грн
100+45.86 грн
500+30.12 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65A MOT5N65A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_93.html Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+58.89 грн
100+35.30 грн
500+23.19 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65F MOT5N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_94.html Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.82 грн
10+50.59 грн
100+30.35 грн
500+19.94 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT60N02D MOT60N02D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_792.html Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6111G MOT6111G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_500.html Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.93 грн
10+179.88 грн
100+107.90 грн
500+70.88 грн
1000+60.25 грн
5000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6515G MOT6515G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_476.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+58.43 грн
100+35.07 грн
500+23.04 грн
1000+19.58 грн
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6522G MOT6522G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_471.html Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+37.10 грн
100+22.25 грн
500+14.62 грн
1000+12.43 грн
5000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099KN MOT65R099KN Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_428.html Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R190HKF MOT65R190HKF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_267.html Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.87 грн
10+348.40 грн
100+209.06 грн
500+137.34 грн
1000+116.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70N03D MOT70N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_788.html Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.31 грн
12+25.52 грн
100+15.32 грн
500+10.06 грн
1000+8.55 грн
2500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MOT75N75D MOT75N75D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_784.html Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
10+89.90 грн
100+53.95 грн
500+35.44 грн
1000+30.13 грн
2500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC MOT7N65AC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_105.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+58.89 грн
100+35.30 грн
500+23.19 грн
1000+19.71 грн
4200+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD MOT7N65AD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_109.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+58.89 грн
100+35.30 грн
500+23.19 грн
1000+19.71 грн
2500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70C MOT7N70C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_147.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.18 грн
10+62.85 грн
100+37.70 грн
500+24.77 грн
1000+21.05 грн
4200+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70D MOT7N70D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_148.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.18 грн
10+62.85 грн
100+37.70 грн
500+24.77 грн
1000+21.05 грн
2500+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70F MOT7N70F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_146.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+70.55 грн
100+42.34 грн
500+27.81 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N80F MOT7N80F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_158.html Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.52 грн
10+169.74 грн
100+101.87 грн
500+66.92 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03C MOT80N03C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_781.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+27.96 грн
100+16.78 грн
500+11.02 грн
1000+9.37 грн
4200+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03D MOT80N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_780.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.77 грн
14+22.40 грн
100+13.42 грн
500+8.82 грн
1000+7.49 грн
2500+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03XD MOT80N03XD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_778.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.77 грн
14+22.40 грн
100+13.42 грн
500+8.82 грн
1000+7.49 грн
2500+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8205SA6 MOT8205SA6 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_441.html Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
42+7.31 грн
100+4.40 грн
500+2.89 грн
1000+2.45 грн
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N80HF MOT8N80HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_159.html Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.93 грн
10+179.88 грн
100+107.90 грн
500+70.88 грн
1000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N50D MOT9N50D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_18.html Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+58.43 грн
100+35.05 грн
500+23.03 грн
1000+19.58 грн
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N90HF MOT9N90HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_169.html Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.74 грн
10+199.84 грн
100+119.88 грн
500+78.75 грн
1000+66.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1620A MUR1620A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_115.html Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.99 грн
10+83.27 грн
100+49.95 грн
500+32.81 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N10D trenchsgtmOS_849.html
MOT15N10D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.47 грн
11+27.81 грн
100+16.65 грн
500+10.94 грн
1000+9.30 грн
2500+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N50HF index_36.html
MOT15N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.61 грн
10+123.65 грн
100+74.18 грн
500+48.73 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N50HF index_38.html
MOT16N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.48 грн
10+130.43 грн
100+78.23 грн
500+51.39 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N65HF index_128.html
MOT16N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.24 грн
10+122.13 грн
100+73.26 грн
500+48.13 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10A trenchsgtmOS_733.html
MOT180N10A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.47 грн
10+213.55 грн
100+128.14 грн
500+84.17 грн
1000+71.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10E trenchsgtmOS_732.html
MOT180N10E
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.81 грн
10+517.07 грн
100+310.21 грн
500+203.79 грн
800+173.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N50HF index_40.html
MOT18N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.18 грн
10+135.38 грн
100+81.23 грн
500+53.36 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF index_129.html
MOT18N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.59 грн
10+145.44 грн
100+87.25 грн
500+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF index_42.html
MOT20N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.67 грн
10+152.07 грн
100+91.24 грн
500+59.94 грн
1000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W index_43.html
MOT20N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.71 грн
10+222.01 грн
100+133.20 грн
600+87.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT22N65HF index_132.html
MOT22N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.77 грн
10+208.37 грн
100+125.01 грн
500+82.13 грн
1000+69.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50N index_197.html
MOT25N50N
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+629.77 грн
10+363.79 грн
100+218.28 грн
600+143.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50W index_209.html
MOT25N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.03 грн
10+308.71 грн
100+185.21 грн
600+121.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2620J trenchsgtmOS_675.html
MOT2620J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.22 грн
11+30.32 грн
100+18.21 грн
500+11.96 грн
1000+10.17 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50HF index_48.html
MOT28N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.49 грн
10+233.13 грн
100+139.86 грн
500+91.88 грн
1000+78.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50Q index_210.html
MOT28N50Q
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.75 грн
10+344.06 грн
100+206.46 грн
600+135.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N60HF index_83.html
MOT28N60HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.06 грн
10+245.32 грн
100+147.18 грн
500+96.69 грн
1000+82.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N06D trenchsgtmOS_835.html
MOT30N06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
11+28.11 грн
100+16.86 грн
500+11.07 грн
1000+9.41 грн
2500+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N10BD trenchsgtmOS_833.html
MOT30N10BD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.74 грн
10+44.42 грн
100+26.63 грн
500+17.50 грн
1000+14.88 грн
2500+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3400AB2 smallsignalMOS_422.html
MOT3400AB2
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.66 грн
43+7.16 грн
100+4.30 грн
500+2.82 грн
1000+2.40 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3728J trenchsgtmOS_582.html
MOT3728J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.47 грн
11+27.81 грн
100+16.65 грн
500+10.94 грн
1000+9.30 грн
5000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3N150V index_191.html
MOT3N150V
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.72 грн
10+294.31 грн
100+176.56 грн
600+115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4618D trenchsgtmOS_529.html
MOT4618D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.77 грн
10+53.25 грн
100+31.97 грн
500+21.00 грн
1000+17.85 грн
2500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4733J trenchsgtmOS_506.html
MOT4733J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.92 грн
10+35.58 грн
100+21.31 грн
500+14.00 грн
1000+11.90 грн
5000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65C index_91.html
MOT4N65C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.37 грн
10+43.35 грн
100+25.97 грн
500+17.06 грн
1000+14.50 грн
4200+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65D index_92.html
MOT4N65D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.37 грн
10+43.35 грн
100+25.97 грн
500+17.06 грн
1000+14.50 грн
2500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65F index_90.html
MOT4N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.19 грн
10+52.19 грн
100+31.30 грн
500+20.56 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65T mediumsgt_913.html
MOT4N65T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.77 грн
10+166.47 грн
100+99.90 грн
500+65.63 грн
1000+55.78 грн
2000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70D index_144.html
MOT4N70D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.91 грн
10+46.32 грн
100+27.79 грн
500+18.25 грн
1000+15.51 грн
2500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70F index_142.html
MOT4N70F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+55.08 грн
100+33.07 грн
500+21.73 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03BD trenchsgtmOS_813.html
MOT50N03BD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.77 грн
14+22.47 грн
100+13.48 грн
500+8.86 грн
1000+7.53 грн
2500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03C trenchsgtmOS_811.html
MOT50N03C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.68 грн
12+26.97 грн
100+16.19 грн
500+10.63 грн
1000+9.04 грн
4200+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03D trenchsgtmOS_812.html
MOT50N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.72 грн
13+24.68 грн
100+14.84 грн
500+9.75 грн
1000+8.28 грн
2500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06C trenchsgtmOS_808.html
MOT50N06C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.92 грн
10+35.58 грн
100+21.31 грн
500+14.00 грн
1000+11.90 грн
4200+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D trenchsgtmOS_807.html
MOT50N06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.98 грн
10+32.15 грн
100+19.31 грн
500+12.69 грн
1000+10.78 грн
2500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT55N06B trenchsgtmOS_798.html
MOT55N06B
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.12 грн
10+76.41 грн
100+45.86 грн
500+30.12 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65A index_93.html
MOT5N65A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.27 грн
10+58.89 грн
100+35.30 грн
500+23.19 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65F index_94.html
MOT5N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.82 грн
10+50.59 грн
100+30.35 грн
500+19.94 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT60N02D trenchsgtmOS_792.html
MOT60N02D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6111G trenchsgtmOS_500.html
MOT6111G
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.93 грн
10+179.88 грн
100+107.90 грн
500+70.88 грн
1000+60.25 грн
5000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6515G trenchsgtmOS_476.html
MOT6515G
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.27 грн
10+58.43 грн
100+35.07 грн
500+23.04 грн
1000+19.58 грн
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6522G trenchsgtmOS_471.html
MOT6522G
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.08 грн
10+37.10 грн
100+22.25 грн
500+14.62 грн
1000+12.43 грн
5000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099KN highvoltageSJ_428.html
MOT65R099KN
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R190HKF highvoltageSJ_267.html
MOT65R190HKF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.87 грн
10+348.40 грн
100+209.06 грн
500+137.34 грн
1000+116.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70N03D trenchsgtmOS_788.html
MOT70N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.31 грн
12+25.52 грн
100+15.32 грн
500+10.06 грн
1000+8.55 грн
2500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MOT75N75D trenchsgtmOS_784.html
MOT75N75D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.86 грн
10+89.90 грн
100+53.95 грн
500+35.44 грн
1000+30.13 грн
2500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC index_105.html
MOT7N65AC
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.58 грн
10+58.89 грн
100+35.30 грн
500+23.19 грн
1000+19.71 грн
4200+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD index_109.html
MOT7N65AD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.58 грн
10+58.89 грн
100+35.30 грн
500+23.19 грн
1000+19.71 грн
2500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70C index_147.html
MOT7N70C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.18 грн
10+62.85 грн
100+37.70 грн
500+24.77 грн
1000+21.05 грн
4200+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70D index_148.html
MOT7N70D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.18 грн
10+62.85 грн
100+37.70 грн
500+24.77 грн
1000+21.05 грн
2500+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70F index_146.html
MOT7N70F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.84 грн
10+70.55 грн
100+42.34 грн
500+27.81 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N80F index_158.html
MOT7N80F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.52 грн
10+169.74 грн
100+101.87 грн
500+66.92 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03C trenchsgtmOS_781.html
MOT80N03C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
11+27.96 грн
100+16.78 грн
500+11.02 грн
1000+9.37 грн
4200+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03D trenchsgtmOS_780.html
MOT80N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.77 грн
14+22.40 грн
100+13.42 грн
500+8.82 грн
1000+7.49 грн
2500+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03XD trenchsgtmOS_778.html
MOT80N03XD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.77 грн
14+22.40 грн
100+13.42 грн
500+8.82 грн
1000+7.49 грн
2500+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8205SA6 smallsignalMOS_441.html
MOT8205SA6
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.66 грн
42+7.31 грн
100+4.40 грн
500+2.89 грн
1000+2.45 грн
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N80HF index_159.html
MOT8N80HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.93 грн
10+179.88 грн
100+107.90 грн
500+70.88 грн
1000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N50D index_18.html
MOT9N50D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.48 грн
10+58.43 грн
100+35.05 грн
500+23.03 грн
1000+19.58 грн
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N90HF index_169.html
MOT9N90HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.74 грн
10+199.84 грн
100+119.88 грн
500+78.75 грн
1000+66.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1620A fastrecoverydiode_115.html
MUR1620A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.99 грн
10+83.27 грн
100+49.95 грн
500+32.81 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]