Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (248) > Сторінка 3 з 5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5401 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mmbt5401.pdf DS_488_MMBT5401.pdf MMBT5401S20S2L.pdf?rlkey=tmhi6phe8dai5zn3yxmpnenb1&st=rscbzo89&dl=1 5399_MMBT5401%20SOT-23.pdf DS_4530_MMBT5401.pdf 5272_MMBT5401.pdf MMBT5401%20Rev-0.pdf 1779696795537735.pdf Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.96 грн
130+2.37 грн
218+1.40 грн
500+0.92 грн
1000+0.78 грн
3000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.96 грн
130+2.37 грн
218+1.40 грн
500+0.92 грн
1000+0.78 грн
3000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+32.07 грн
100+19.23 грн
500+12.63 грн
1000+10.74 грн
4200+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MD MOT100N03MD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_762.html Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
11+28.63 грн
100+17.16 грн
500+11.28 грн
1000+9.59 грн
2500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65D MOT10N65D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_122.html Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.28 грн
10+85.82 грн
100+51.50 грн
500+33.84 грн
1000+28.76 грн
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65F MOT10N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_119.html Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+91.55 грн
100+54.94 грн
500+36.09 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N80HF MOT10N80HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_160.html Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.47 грн
10+202.50 грн
100+121.48 грн
500+79.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT110N03D MOT110N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_756.html Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.68 грн
10+33.60 грн
100+20.19 грн
500+13.26 грн
1000+11.27 грн
2500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1112T MOT1112T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_912.html Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.90 грн
10+433.86 грн
100+260.32 грн
500+171.01 грн
1000+145.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1113T MOT1113T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_19.html Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.19 грн
10+311.53 грн
100+186.90 грн
500+122.78 грн
1000+104.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1113T4 MOT1113T4 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_870.html Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Tolt
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.17 грн
10+378.27 грн
100+226.95 грн
500+149.09 грн
1000+126.72 грн
2000+107.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A MOT120N10A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_753.html Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.13 грн
10+121.56 грн
100+72.92 грн
500+47.90 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10D MOT120N10D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_750.html Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.95 грн
10+132.55 грн
100+79.56 грн
500+52.26 грн
1000+44.42 грн
2500+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10E MOT120N10E Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_752.html Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.05 грн
10+243.04 грн
100+145.85 грн
500+95.81 грн
800+81.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65A MOT12N65A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_123.html Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.75 грн
10+120.18 грн
100+72.11 грн
500+47.37 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65F MOT12N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_124.html Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.52 грн
10+96.13 грн
100+57.69 грн
500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65T MOT12N65T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. mediumsgt_901.html Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.05 грн
10+320.47 грн
100+192.29 грн
500+126.32 грн
1000+107.37 грн
2000+91.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N80HSF MOT12N80HSF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. MOT12N80HSF.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.47 грн
10+215.86 грн
100+129.49 грн
500+85.07 грн
1000+72.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MA MOT13007MA Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_6.html Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MF MOT13007MF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_8.html Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DA MOT13009DA Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_11.html Description: TRANS NPN 700V 12A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.35 грн
10+67.65 грн
100+40.61 грн
500+26.68 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.05 грн
10+62.00 грн
100+37.17 грн
500+24.42 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DW MOT13009DW Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_15.html Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.55 грн
10+93.84 грн
100+56.31 грн
500+36.99 грн
1000+31.44 грн
3000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT130N03D MOT130N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_744.html Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+39.40 грн
100+23.66 грн
500+15.54 грн
1000+13.21 грн
2500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50A MOT13N50A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_29.html Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.75 грн
10+120.18 грн
100+72.11 грн
500+47.37 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50HF MOT13N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_34.html Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.75 грн
10+120.18 грн
100+72.11 грн
500+47.37 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50SF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.90 грн
10+84.76 грн
100+50.81 грн
500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+92.93 грн
100+55.76 грн
500+36.63 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03D MOT150N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_738.html Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.19 грн
10+52.84 грн
100+31.66 грн
500+20.80 грн
1000+17.68 грн
2500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N10C MOT15N10C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_850.html Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
11+27.87 грн
100+16.68 грн
500+10.96 грн
1000+9.32 грн
4200+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N10D MOT15N10D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_849.html Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
11+27.87 грн
100+16.68 грн
500+10.96 грн
1000+9.32 грн
2500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N50HF MOT15N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_36.html Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.09 грн
10+123.93 грн
100+74.35 грн
500+48.84 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.16 грн
10+132.78 грн
100+79.65 грн
500+52.33 грн
1000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N65HF MOT16N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_128.html Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.06 грн
10+125.91 грн
100+75.54 грн
500+49.62 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.43 грн
10+218.00 грн
100+130.79 грн
500+85.92 грн
1000+73.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10E MOT180N10E Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_732.html Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.45 грн
10+527.77 грн
100+316.66 грн
500+208.02 грн
800+176.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N50HF MOT18N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_40.html Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.26 грн
10+138.51 грн
100+83.10 грн
500+54.59 грн
1000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF MOT18N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_129.html Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.74 грн
10+146.91 грн
100+88.14 грн
500+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.18 грн
10+156.84 грн
100+94.08 грн
500+61.80 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W MOT20N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_43.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.67 грн
10+228.92 грн
100+137.34 грн
600+90.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT22N65HF MOT22N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_132.html Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.58 грн
10+208.83 грн
100+125.29 грн
500+82.31 грн
1000+69.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2305AB2 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
44+6.95 грн
100+4.16 грн
500+2.74 грн
1000+2.33 грн
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2310B2 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
38+8.25 грн
100+4.92 грн
500+3.23 грн
1000+2.75 грн
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50N Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.75 грн
10+378.57 грн
100+227.17 грн
600+149.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50W MOT25N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_209.html Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.84 грн
10+321.23 грн
100+192.75 грн
600+126.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2620J MOT2620J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_675.html Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
11+30.39 грн
100+18.25 грн
500+11.99 грн
1000+10.19 грн
5000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50HF MOT28N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_48.html Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.29 грн
10+240.37 грн
100+144.21 грн
500+94.74 грн
1000+80.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50Q MOT28N50Q Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_210.html Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.52 грн
10+354.83 грн
100+212.89 грн
600+139.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N60HF MOT28N60HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_83.html Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.01 грн
10+245.87 грн
100+147.51 грн
500+96.91 грн
1000+82.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2N65A MOT2N65A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_85.html Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+48.18 грн
100+28.93 грн
500+19.01 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2N7002 MOT2N7002 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_442.html Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+4.76 грн
112+2.75 грн
184+1.66 грн
500+1.09 грн
1000+0.93 грн
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N06D MOT30N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_835.html Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.37 грн
11+28.18 грн
100+16.90 грн
500+11.10 грн
1000+9.44 грн
2500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N10BD MOT30N10BD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_833.html Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+44.52 грн
100+26.69 грн
500+17.54 грн
1000+14.91 грн
2500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3400AB2 MOT3400AB2 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_422.html Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
43+7.18 грн
100+4.31 грн
500+2.83 грн
1000+2.41 грн
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3401B2 MOT3401B2 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_425.html Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
38+8.17 грн
100+4.89 грн
500+3.21 грн
1000+2.73 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3407A3 MOT3407A3 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_897.html Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
35+8.78 грн
100+5.29 грн
500+3.47 грн
1000+2.95 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3728J MOT3728J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_582.html Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.37 грн
11+28.10 грн
100+16.82 грн
500+11.05 грн
1000+9.39 грн
5000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3N150V MOT3N150V Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_191.html Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.85 грн
10+294.96 грн
100+176.96 грн
600+116.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4618D MOT4618D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_529.html Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+53.37 грн
100+32.04 грн
500+21.05 грн
1000+17.89 грн
2500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4733J MOT4733J Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_506.html Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.06 грн
10+35.66 грн
100+21.36 грн
500+14.03 грн
1000+11.93 грн
5000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 mmbt5401.pdf DS_488_MMBT5401.pdf MMBT5401S20S2L.pdf?rlkey=tmhi6phe8dai5zn3yxmpnenb1&st=rscbzo89&dl=1 5399_MMBT5401%20SOT-23.pdf DS_4530_MMBT5401.pdf 5272_MMBT5401.pdf MMBT5401%20Rev-0.pdf 1779696795537735.pdf
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+3.96 грн
130+2.37 грн
218+1.40 грн
500+0.92 грн
1000+0.78 грн
3000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+3.96 грн
130+2.37 грн
218+1.40 грн
500+0.92 грн
1000+0.78 грн
3000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MC
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.51 грн
10+32.07 грн
100+19.23 грн
500+12.63 грн
1000+10.74 грн
4200+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT100N03MD trenchsgtmOS_762.html
MOT100N03MD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.68 грн
11+28.63 грн
100+17.16 грн
500+11.28 грн
1000+9.59 грн
2500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65D index_122.html
MOT10N65D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.28 грн
10+85.82 грн
100+51.50 грн
500+33.84 грн
1000+28.76 грн
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N65F index_119.html
MOT10N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.59 грн
10+91.55 грн
100+54.94 грн
500+36.09 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT10N80HF index_160.html
MOT10N80HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.47 грн
10+202.50 грн
100+121.48 грн
500+79.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT110N03D trenchsgtmOS_756.html
MOT110N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.68 грн
10+33.60 грн
100+20.19 грн
500+13.26 грн
1000+11.27 грн
2500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1112T mediumsgt_912.html
MOT1112T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+750.90 грн
10+433.86 грн
100+260.32 грн
500+171.01 грн
1000+145.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1113T mediumsgt_19.html
MOT1113T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+539.19 грн
10+311.53 грн
100+186.90 грн
500+122.78 грн
1000+104.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT1113T4 mediumsgt_870.html
MOT1113T4
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Tolt
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+654.17 грн
10+378.27 грн
100+226.95 грн
500+149.09 грн
1000+126.72 грн
2000+107.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A trenchsgtmOS_753.html
MOT120N10A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.13 грн
10+121.56 грн
100+72.92 грн
500+47.90 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10D trenchsgtmOS_750.html
MOT120N10D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.95 грн
10+132.55 грн
100+79.56 грн
500+52.26 грн
1000+44.42 грн
2500+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10E trenchsgtmOS_752.html
MOT120N10E
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.05 грн
10+243.04 грн
100+145.85 грн
500+95.81 грн
800+81.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65A index_123.html
MOT12N65A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.75 грн
10+120.18 грн
100+72.11 грн
500+47.37 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65F index_124.html
MOT12N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.52 грн
10+96.13 грн
100+57.69 грн
500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N65T mediumsgt_901.html
MOT12N65T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+555.05 грн
10+320.47 грн
100+192.29 грн
500+126.32 грн
1000+107.37 грн
2000+91.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT12N80HSF MOT12N80HSF.pdf
MOT12N80HSF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.47 грн
10+215.86 грн
100+129.49 грн
500+85.07 грн
1000+72.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MA index_6.html
MOT13007MA
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13007MF index_8.html
MOT13007MF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DA index_11.html
MOT13009DA
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.35 грн
10+67.65 грн
100+40.61 грн
500+26.68 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.05 грн
10+62.00 грн
100+37.17 грн
500+24.42 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13009DW index_15.html
MOT13009DW
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.55 грн
10+93.84 грн
100+56.31 грн
500+36.99 грн
1000+31.44 грн
3000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT130N03D trenchsgtmOS_744.html
MOT130N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+39.40 грн
100+23.66 грн
500+15.54 грн
1000+13.21 грн
2500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50A index_29.html
MOT13N50A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.75 грн
10+120.18 грн
100+72.11 грн
500+47.37 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50HF index_34.html
MOT13N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.75 грн
10+120.18 грн
100+72.11 грн
500+47.37 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT13N50SF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.90 грн
10+84.76 грн
100+50.81 грн
500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.17 грн
10+92.93 грн
100+55.76 грн
500+36.63 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT150N03D trenchsgtmOS_738.html
MOT150N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.19 грн
10+52.84 грн
100+31.66 грн
500+20.80 грн
1000+17.68 грн
2500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N10C trenchsgtmOS_850.html
MOT15N10C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.58 грн
11+27.87 грн
100+16.68 грн
500+10.96 грн
1000+9.32 грн
4200+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N10D trenchsgtmOS_849.html
MOT15N10D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.58 грн
11+27.87 грн
100+16.68 грн
500+10.96 грн
1000+9.32 грн
2500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT15N50HF index_36.html
MOT15N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.09 грн
10+123.93 грн
100+74.35 грн
500+48.84 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.16 грн
10+132.78 грн
100+79.65 грн
500+52.33 грн
1000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT16N65HF index_128.html
MOT16N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.06 грн
10+125.91 грн
100+75.54 грн
500+49.62 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+377.43 грн
10+218.00 грн
100+130.79 грн
500+85.92 грн
1000+73.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT180N10E trenchsgtmOS_732.html
MOT180N10E
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+913.45 грн
10+527.77 грн
100+316.66 грн
500+208.02 грн
800+176.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N50HF index_40.html
MOT18N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.26 грн
10+138.51 грн
100+83.10 грн
500+54.59 грн
1000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF index_129.html
MOT18N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.74 грн
10+146.91 грн
100+88.14 грн
500+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.18 грн
10+156.84 грн
100+94.08 грн
500+61.80 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W index_43.html
MOT20N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+395.67 грн
10+228.92 грн
100+137.34 грн
600+90.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT22N65HF index_132.html
MOT22N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+361.58 грн
10+208.83 грн
100+125.29 грн
500+82.31 грн
1000+69.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2305AB2
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.89 грн
44+6.95 грн
100+4.16 грн
500+2.74 грн
1000+2.33 грн
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2310B2
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.27 грн
38+8.25 грн
100+4.92 грн
500+3.23 грн
1000+2.75 грн
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50N
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+655.75 грн
10+378.57 грн
100+227.17 грн
600+149.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT25N50W index_209.html
MOT25N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+555.84 грн
10+321.23 грн
100+192.75 грн
600+126.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2620J trenchsgtmOS_675.html
MOT2620J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.33 грн
11+30.39 грн
100+18.25 грн
500+11.99 грн
1000+10.19 грн
5000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50HF index_48.html
MOT28N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.29 грн
10+240.37 грн
100+144.21 грн
500+94.74 грн
1000+80.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N50Q index_210.html
MOT28N50Q
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+614.52 грн
10+354.83 грн
100+212.89 грн
600+139.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N60HF index_83.html
MOT28N60HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+425.01 грн
10+245.87 грн
100+147.51 грн
500+96.91 грн
1000+82.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2N65A index_85.html
MOT2N65A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.26 грн
10+48.18 грн
100+28.93 грн
500+19.01 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT2N7002 smallsignalMOS_442.html
MOT2N7002
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+4.76 грн
112+2.75 грн
184+1.66 грн
500+1.09 грн
1000+0.93 грн
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N06D trenchsgtmOS_835.html
MOT30N06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.37 грн
11+28.18 грн
100+16.90 грн
500+11.10 грн
1000+9.44 грн
2500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT30N10BD trenchsgtmOS_833.html
MOT30N10BD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.91 грн
10+44.52 грн
100+26.69 грн
500+17.54 грн
1000+14.91 грн
2500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3400AB2 smallsignalMOS_422.html
MOT3400AB2
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.69 грн
43+7.18 грн
100+4.31 грн
500+2.83 грн
1000+2.41 грн
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3401B2 smallsignalMOS_425.html
MOT3401B2
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.27 грн
38+8.17 грн
100+4.89 грн
500+3.21 грн
1000+2.73 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3407A3 smallsignalMOS_897.html
MOT3407A3
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.07 грн
35+8.78 грн
100+5.29 грн
500+3.47 грн
1000+2.95 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3728J trenchsgtmOS_582.html
MOT3728J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.37 грн
11+28.10 грн
100+16.82 грн
500+11.05 грн
1000+9.39 грн
5000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT3N150V index_191.html
MOT3N150V
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.85 грн
10+294.96 грн
100+176.96 грн
600+116.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4618D trenchsgtmOS_529.html
MOT4618D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.98 грн
10+53.37 грн
100+32.04 грн
500+21.05 грн
1000+17.89 грн
2500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4733J trenchsgtmOS_506.html
MOT4733J
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.06 грн
10+35.66 грн
100+21.36 грн
500+14.03 грн
1000+11.93 грн
5000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]