Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (321) > Сторінка 3 з 6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBR4060F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR60100A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR60100F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR60150A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 60A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR60150F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 60A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR60200A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 60A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR60200F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 60A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR6045A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR6045F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR6060A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 60A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBR6060F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 60A TO-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15032 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 250V 8A To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15033 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 250V 8A To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2907 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5401 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT100N03MC | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT100N03MD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT100N07D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 70V 100A 5.2m To-25 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10200D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10N80HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT110N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1112T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m TollPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 347W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL-8L Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1113T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL-8L Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1113T4 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m ToltPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 455W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLT Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1115T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 373A 1.05m Toll |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1116T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 110V 373A m Toll-8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1120AT | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 1.25m Toll |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1120T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 1.62m Toll |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1121T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 110V 280A 1.6m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1124T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 246A 2.2m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1126T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 250A 2.3m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1127T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 110V 250A 2.4m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1130T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 176A 3m Toll-8 |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1156T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 160A 4m Toll-8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A 3m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N10A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N10D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N10E | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N65T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N70HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 12A 0.8 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N80HSF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13005DA | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13005DF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS NPN 700V 4A To-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13007MA | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13007MF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220FP Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13009DA | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13009DF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13009DW | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247SPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-247S Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT130N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 88W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50SF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT150N03A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT150N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT150N10A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 150A 3.4m To-2 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MBR4060F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 40A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.72 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.96 грн |
| 10+ | 73.28 грн |
| 100+ | 43.97 грн |
| 500+ | 28.88 грн |
| 1000+ | 24.55 грн |
| MBR60100A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2198.24 грн |
| 10+ | 308.23 грн |
| 100+ | 84.30 грн |
| 500+ | 46.18 грн |
| 1000+ | 37.85 грн |
| MBR60100F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.87 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2187.13 грн |
| 10+ | 302.50 грн |
| 100+ | 80.85 грн |
| 500+ | 43.92 грн |
| 1000+ | 35.92 грн |
| MBR60150A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 60A TO-220
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 60A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2199.83 грн |
| 10+ | 309.30 грн |
| 100+ | 84.99 грн |
| 500+ | 46.64 грн |
| 1000+ | 38.23 грн |
| MBR60150F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 60A TO-220
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 60A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2187.13 грн |
| 10+ | 302.50 грн |
| 100+ | 80.85 грн |
| 500+ | 43.92 грн |
| 1000+ | 35.92 грн |
| MBR60200A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 60A TO-220
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 60A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2203.80 грн |
| 10+ | 311.75 грн |
| 100+ | 86.40 грн |
| 500+ | 47.57 грн |
| 1000+ | 39.02 грн |
| MBR60200F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 60A TO-220
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 60A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2195.86 грн |
| 10+ | 307.09 грн |
| 100+ | 83.62 грн |
| 500+ | 45.73 грн |
| 1000+ | 37.46 грн |
| MBR6045A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2197.45 грн |
| 10+ | 308.23 грн |
| 100+ | 84.31 грн |
| 500+ | 46.19 грн |
| 1000+ | 37.85 грн |
| MBR6045F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 60A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2189.51 грн |
| 10+ | 303.65 грн |
| 100+ | 81.52 грн |
| 500+ | 44.36 грн |
| 1000+ | 36.30 грн |
| MBR6060A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 60A TO-220
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 60A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2198.24 грн |
| 10+ | 308.23 грн |
| 100+ | 84.30 грн |
| 500+ | 46.18 грн |
| 1000+ | 37.85 грн |
| MBR6060F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 60A TO-220F
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 60A TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2187.13 грн |
| 10+ | 302.50 грн |
| 100+ | 80.85 грн |
| 500+ | 43.92 грн |
| 1000+ | 35.92 грн |
| MJE15032 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2145.87 грн |
| 10+ | 277.97 грн |
| 100+ | 66.18 грн |
| 500+ | 34.27 грн |
| 1000+ | 27.72 грн |
| MJE15033 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS PNP 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.55 грн |
| 10+ | 73.97 грн |
| 100+ | 44.41 грн |
| 500+ | 29.17 грн |
| 1000+ | 24.80 грн |
| MMBT2907 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 2017.32 грн |
| 112+ | 204.01 грн |
| 190+ | 21.74 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 2.91 грн |
| 3000+ | 1.44 грн |
| MMBT5401 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 2016.53 грн |
| 130+ | 203.62 грн |
| 216+ | 21.55 грн |
| 500+ | 4.96 грн |
| 1000+ | 2.81 грн |
| 3000+ | 1.35 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 2016.53 грн |
| 130+ | 203.62 грн |
| 216+ | 21.55 грн |
| 500+ | 4.96 грн |
| 1000+ | 2.81 грн |
| 3000+ | 1.35 грн |
| MOT100N03MC |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2068.11 грн |
| 10+ | 233.43 грн |
| 100+ | 39.45 грн |
| 500+ | 16.72 грн |
| 1000+ | 12.80 грн |
| 4200+ | 9.65 грн |
| MOT100N03MD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2049.06 грн |
| 11+ | 230.06 грн |
| 100+ | 37.37 грн |
| 500+ | 15.36 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
| 2500+ | 8.99 грн |
| MOT100N07D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 70V 100A 5.2m To-25
Description: MOSFET N-CH 70V 100A 5.2m To-25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.80 грн |
| 10+ | 42.56 грн |
| 100+ | 25.57 грн |
| 500+ | 16.80 грн |
| 1000+ | 14.28 грн |
| 2500+ | 12.14 грн |
| MOT10200D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO-252
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2062.55 грн |
| 11+ | 230.45 грн |
| 100+ | 37.62 грн |
| 500+ | 15.52 грн |
| 1000+ | 11.78 грн |
| 2500+ | 9.11 грн |
| MOT10N65D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2163.33 грн |
| 10+ | 288.52 грн |
| 100+ | 72.45 грн |
| 500+ | 38.40 грн |
| 1000+ | 31.23 грн |
| 2500+ | 25.64 грн |
| MOT10N65F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2173.64 грн |
| 10+ | 294.25 грн |
| 100+ | 75.94 грн |
| 500+ | 40.69 грн |
| 1000+ | 33.18 грн |
| MOT10N80HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2375.19 грн |
| 10+ | 410.55 грн |
| 100+ | 145.72 грн |
| 500+ | 86.53 грн |
| MOT110N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.72 грн |
| 10+ | 33.62 грн |
| 100+ | 20.20 грн |
| 500+ | 13.27 грн |
| 1000+ | 11.28 грн |
| 2500+ | 9.59 грн |
| MOT1112T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2788.61 грн |
| 10+ | 649.79 грн |
| 100+ | 289.25 грн |
| 500+ | 180.82 грн |
| 1000+ | 152.29 грн |
| MOT1113T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2569.60 грн |
| 10+ | 523.25 грн |
| 100+ | 213.34 грн |
| 500+ | 130.95 грн |
| 1000+ | 109.90 грн |
| MOT1113T4 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Tolt
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Tolt
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2696.56 грн |
| 10+ | 596.61 грн |
| 100+ | 257.34 грн |
| 500+ | 159.86 грн |
| 1000+ | 134.47 грн |
| 2000+ | 113.59 грн |
| MOT1115T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 373A 1.05m Toll
Description: MOSFET N-CH 100V 373A 1.05m Toll
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2510.09 грн |
| 10+ | 488.79 грн |
| 100+ | 192.64 грн |
| 500+ | 117.35 грн |
| 1000+ | 98.34 грн |
| 2000+ | 82.89 грн |
| MOT1116T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 110V 373A m Toll-8
Description: MOSFET N-CH 110V 373A m Toll-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2609.28 грн |
| 10+ | 546.33 грн |
| 100+ | 227.14 грн |
| 500+ | 140.02 грн |
| 1000+ | 117.61 грн |
| 2000+ | 99.26 грн |
| MOT1120AT |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 1.25m Toll
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 1.25m Toll
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2450.58 грн |
| 10+ | 454.25 грн |
| 100+ | 171.94 грн |
| 500+ | 103.76 грн |
| 1000+ | 86.78 грн |
| 2000+ | 73.06 грн |
| MOT1120T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 1.62m Toll
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 1.62m Toll
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2470.41 грн |
| 10+ | 465.79 грн |
| 100+ | 178.84 грн |
| 500+ | 108.29 грн |
| 1000+ | 90.64 грн |
| 2000+ | 76.34 грн |
| MOT1121T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 110V 280A 1.6m Toll-
Description: MOSFET N-CH 110V 280A 1.6m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2529.93 грн |
| 10+ | 500.25 грн |
| 100+ | 199.54 грн |
| 500+ | 121.89 грн |
| 1000+ | 102.20 грн |
| 2000+ | 86.16 грн |
| MOT1124T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 246A 2.2m Toll-
Description: MOSFET N-CH 100V 246A 2.2m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2809.24 грн |
| 10+ | 661.25 грн |
| 100+ | 296.15 грн |
| 500+ | 185.35 грн |
| 1000+ | 156.14 грн |
| 2000+ | 132.01 грн |
| MOT1126T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 250A 2.3m Toll-
Description: MOSFET N-CH 100V 250A 2.3m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2330.76 грн |
| 10+ | 385.26 грн |
| 100+ | 130.53 грн |
| 500+ | 76.56 грн |
| 1000+ | 63.66 грн |
| 2000+ | 53.41 грн |
| MOT1127T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 110V 250A 2.4m Toll-
Description: MOSFET N-CH 110V 250A 2.4m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2370.43 грн |
| 10+ | 408.33 грн |
| 100+ | 144.33 грн |
| 500+ | 85.62 грн |
| 1000+ | 71.37 грн |
| 2000+ | 59.96 грн |
| MOT1130T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 176A 3m Toll-8
Description: MOSFET N-CH 100V 176A 3m Toll-8
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2281.56 грн |
| 10+ | 356.52 грн |
| 100+ | 113.29 грн |
| 500+ | 65.22 грн |
| 1000+ | 54.03 грн |
| MOT1156T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 160A 4m Toll-8
Description: MOSFET N-CH 100V 160A 4m Toll-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2191.89 грн |
| 10+ | 304.79 грн |
| 100+ | 82.23 грн |
| 500+ | 44.82 грн |
| 1000+ | 36.69 грн |
| 2000+ | 30.48 грн |
| MOT120N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A 3m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 120A 3m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.83 грн |
| 10+ | 40.35 грн |
| 100+ | 24.22 грн |
| 500+ | 15.91 грн |
| 1000+ | 13.53 грн |
| 2500+ | 11.50 грн |
| MOT120N10A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.28 грн |
| 10+ | 121.65 грн |
| 100+ | 72.97 грн |
| 500+ | 47.94 грн |
| 1000+ | 40.75 грн |
| MOT120N10D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.12 грн |
| 10+ | 132.65 грн |
| 100+ | 79.61 грн |
| 500+ | 52.30 грн |
| 1000+ | 44.45 грн |
| 2500+ | 37.79 грн |
| MOT120N10E |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 421.35 грн |
| 10+ | 243.22 грн |
| 100+ | 145.95 грн |
| 500+ | 95.88 грн |
| 800+ | 81.50 грн |
| MOT12N65A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2223.63 грн |
| 10+ | 323.36 грн |
| 100+ | 93.38 грн |
| 500+ | 52.15 грн |
| 1000+ | 42.92 грн |
| MOT12N65F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2181.58 грн |
| 10+ | 298.91 грн |
| 100+ | 78.73 грн |
| 500+ | 42.52 грн |
| MOT12N65T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2575.95 грн |
| 10+ | 526.85 грн |
| 100+ | 215.48 грн |
| 500+ | 132.36 грн |
| 1000+ | 111.09 грн |
| 2000+ | 93.73 грн |
| MOT12N70HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 12A 0.8 To220F
Description: MOSFET N-CH 700V 12A 0.8 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.45 грн |
| 10+ | 123.40 грн |
| 100+ | 74.01 грн |
| 500+ | 48.62 грн |
| 1000+ | 41.33 грн |
| MOT12N80HSF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2402.97 грн |
| 10+ | 426.82 грн |
| 100+ | 155.47 грн |
| 500+ | 92.94 грн |
| 1000+ | 77.59 грн |
| MOT13005DA |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2113.34 грн |
| 10+ | 259.41 грн |
| 100+ | 55.01 грн |
| 500+ | 26.94 грн |
| 1000+ | 21.49 грн |
| MOT13005DF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220F
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2106.99 грн |
| 10+ | 255.89 грн |
| 100+ | 52.91 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 20.32 грн |
| MOT13007MA |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2122.86 грн |
| 10+ | 265.21 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 500+ | 29.23 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
| MOT13007MF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2110.16 грн |
| 10+ | 257.65 грн |
| 100+ | 53.94 грн |
| 500+ | 26.24 грн |
| 1000+ | 20.89 грн |
| MOT13009DA |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2130.00 грн |
| 10+ | 269.11 грн |
| 100+ | 60.85 грн |
| 500+ | 30.77 грн |
| 1000+ | 24.75 грн |
| MOT13009DF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2119.68 грн |
| 10+ | 263.38 грн |
| 100+ | 57.38 грн |
| 500+ | 28.50 грн |
| 1000+ | 22.82 грн |
| MOT13009DW |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2175.23 грн |
| 10+ | 295.55 грн |
| 100+ | 76.71 грн |
| 500+ | 41.20 грн |
| 1000+ | 33.61 грн |
| 3000+ | 27.53 грн |
| MOT130N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.24 грн |
| 10+ | 39.43 грн |
| 100+ | 23.67 грн |
| 500+ | 15.55 грн |
| 1000+ | 13.22 грн |
| 2500+ | 11.24 грн |
| MOT13N50A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2223.63 грн |
| 10+ | 323.36 грн |
| 100+ | 93.38 грн |
| 500+ | 52.15 грн |
| 1000+ | 42.92 грн |
| MOT13N50HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2223.63 грн |
| 10+ | 323.36 грн |
| 100+ | 93.38 грн |
| 500+ | 52.15 грн |
| 1000+ | 42.92 грн |
| MOT13N50SF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2160.95 грн |
| 10+ | 287.30 грн |
| 100+ | 71.75 грн |
| 500+ | 37.94 грн |
| MOT150N03A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2175.23 грн |
| 10+ | 295.47 грн |
| 100+ | 76.63 грн |
| 500+ | 41.15 грн |
| 1000+ | 33.57 грн |
| MOT150N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2104.61 грн |
| 10+ | 254.74 грн |
| 100+ | 52.22 грн |
| 500+ | 25.11 грн |
| 1000+ | 19.93 грн |
| MOT150N10A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 3.4m To-2
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 3.4m To-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 330.10 грн |
| 10+ | 190.65 грн |
| 100+ | 114.39 грн |
| 500+ | 75.14 грн |
| 1000+ | 63.87 грн |











