Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (291) > Сторінка 3 з 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2222A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT-23 |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2907 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT3906 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 40V 200MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5401 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT100N03MC | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT100N03MD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT100N07D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 70V 100A 5.2m To-25 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10200D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT10N80HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT110N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1112T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m TollPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 347W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL-8L Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1113T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL-8L Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1113T4 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m ToltPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 455W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLT Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1124T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 246A 2.2m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT1126T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 250A 2.3m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A 3m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N10A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N10D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT120N10E | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N65T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N70HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 12A 0.8 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT12N80HSF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13005DA | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT13005DF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS NPN 700V 4A To-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT13007MA | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13007MF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220FP Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13009DA | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13009DF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13009DW | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247SPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-247S Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT130N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 88W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50SF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT150N03A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT150N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT150N10A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 150A 3.4m To-2 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT15N10C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT15N10D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT15N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT16N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT16N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 60W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT180N10A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT180N10E | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT18N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT18N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT20N03BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8.8m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT20N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 9.7m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT20N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT20N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT2124G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT2135G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2135J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT22N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2301B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT2305AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MMBT2222A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT-23
Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT-23
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 1965.26 грн |
| 115+ | 198.67 грн |
| 192+ | 21.16 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 2.83 грн |
| MMBT2907 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 1965.26 грн |
| 115+ | 198.67 грн |
| 192+ | 21.16 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 2.83 грн |
| 3000+ | 1.39 грн |
| MMBT3906 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 40V 200MA SOT-23
Description: TRANS PNP 40V 200MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1963.72 грн |
| 174+ | 197.77 грн |
| 299+ | 20.60 грн |
| 500+ | 4.58 грн |
| 1000+ | 2.52 грн |
| 3000+ | 1.13 грн |
| MMBT5401 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
Description: TRANS PNP 150V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 1964.49 грн |
| 130+ | 198.37 грн |
| 218+ | 20.98 грн |
| 500+ | 4.82 грн |
| 1000+ | 2.73 грн |
| 3000+ | 1.30 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 1964.49 грн |
| 130+ | 198.37 грн |
| 218+ | 20.98 грн |
| 500+ | 4.82 грн |
| 1000+ | 2.73 грн |
| 3000+ | 1.30 грн |
| MOT100N03MC |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2014.74 грн |
| 10+ | 227.40 грн |
| 100+ | 38.43 грн |
| 500+ | 16.29 грн |
| 1000+ | 12.47 грн |
| 4200+ | 9.40 грн |
| MOT100N03MD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 3.4m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1996.18 грн |
| 11+ | 224.13 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| 2500+ | 8.76 грн |
| MOT100N07D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 70V 100A 5.2m To-25
Description: MOSFET N-CH 70V 100A 5.2m To-25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.89 грн |
| 10+ | 41.46 грн |
| 100+ | 24.91 грн |
| 500+ | 16.36 грн |
| 1000+ | 13.91 грн |
| 2500+ | 11.82 грн |
| MOT10200D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO-252
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2009.33 грн |
| 11+ | 224.50 грн |
| 100+ | 36.65 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 1000+ | 11.48 грн |
| 2500+ | 8.87 грн |
| MOT10N65D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.88 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2105.95 грн |
| 10+ | 280.10 грн |
| 100+ | 70.02 грн |
| 500+ | 37.04 грн |
| 1000+ | 30.11 грн |
| 2500+ | 24.71 грн |
| MOT10N65F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2116.00 грн |
| 10+ | 285.69 грн |
| 100+ | 73.39 грн |
| 500+ | 39.25 грн |
| 1000+ | 31.99 грн |
| MOT10N80HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2313.90 грн |
| 10+ | 399.95 грн |
| 100+ | 141.96 грн |
| 500+ | 84.30 грн |
| MOT110N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25
Description: MOSFET N-CH 30V 110A 3.5m To-25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.20 грн |
| 10+ | 32.75 грн |
| 100+ | 19.68 грн |
| 500+ | 12.93 грн |
| 1000+ | 10.99 грн |
| 2500+ | 9.34 грн |
| MOT1112T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15793 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 732.06 грн |
| 10+ | 422.97 грн |
| 100+ | 253.79 грн |
| 500+ | 166.72 грн |
| 1000+ | 141.71 грн |
| MOT1113T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2503.29 грн |
| 10+ | 509.75 грн |
| 100+ | 207.83 грн |
| 500+ | 127.57 грн |
| 1000+ | 107.07 грн |
| MOT1113T4 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Tolt
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 399A 1.1m Tolt
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 399A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13574 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2620.02 грн |
| 10+ | 577.04 грн |
| 100+ | 248.17 грн |
| 500+ | 154.07 грн |
| 1000+ | 129.59 грн |
| 2000+ | 109.46 грн |
| MOT1124T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 246A 2.2m Toll-
Description: MOSFET N-CH 100V 246A 2.2m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2736.74 грн |
| 10+ | 644.19 грн |
| 100+ | 288.51 грн |
| 500+ | 180.57 грн |
| 1000+ | 152.11 грн |
| 2000+ | 128.61 грн |
| MOT1126T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 250A 2.3m Toll-
Description: MOSFET N-CH 100V 250A 2.3m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2270.61 грн |
| 10+ | 375.31 грн |
| 100+ | 127.16 грн |
| 500+ | 74.58 грн |
| 1000+ | 62.02 грн |
| 2000+ | 52.03 грн |
| MOT120N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A 3m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 120A 3m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.03 грн |
| 10+ | 39.30 грн |
| 100+ | 23.60 грн |
| 500+ | 15.50 грн |
| 1000+ | 13.18 грн |
| 2500+ | 11.20 грн |
| MOT120N10A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.85 грн |
| 10+ | 118.51 грн |
| 100+ | 71.09 грн |
| 500+ | 46.70 грн |
| 1000+ | 39.70 грн |
| MOT120N10D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.18 грн |
| 10+ | 129.23 грн |
| 100+ | 77.56 грн |
| 500+ | 50.95 грн |
| 1000+ | 43.31 грн |
| 2500+ | 36.81 грн |
| MOT120N10E |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.3m To-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 410.48 грн |
| 10+ | 236.94 грн |
| 100+ | 142.19 грн |
| 500+ | 93.41 грн |
| 800+ | 79.39 грн |
| MOT12N65A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2163.93 грн |
| 10+ | 313.68 грн |
| 100+ | 90.19 грн |
| 500+ | 50.29 грн |
| 1000+ | 41.37 грн |
| MOT12N65F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.56 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2123.73 грн |
| 10+ | 290.15 грн |
| 100+ | 76.08 грн |
| 500+ | 41.02 грн |
| MOT12N65T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 0.62m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2503.29 грн |
| 10+ | 509.75 грн |
| 100+ | 207.83 грн |
| 500+ | 127.57 грн |
| 1000+ | 107.07 грн |
| 2000+ | 90.32 грн |
| MOT12N70HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 12A 0.8 To220F
Description: MOSFET N-CH 700V 12A 0.8 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.94 грн |
| 10+ | 120.22 грн |
| 100+ | 72.10 грн |
| 500+ | 47.37 грн |
| 1000+ | 40.26 грн |
| MOT12N80HSF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 12A 1.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2336.32 грн |
| 10+ | 413.43 грн |
| 100+ | 150.02 грн |
| 500+ | 89.60 грн |
| 1000+ | 74.78 грн |
| MOT13005DA |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.31 грн |
| 10+ | 54.64 грн |
| 100+ | 32.78 грн |
| 500+ | 21.53 грн |
| 1000+ | 18.30 грн |
| MOT13005DF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220F
Description: TRANS NPN 700V 4A To-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.90 грн |
| 10+ | 51.36 грн |
| 100+ | 30.80 грн |
| 500+ | 20.24 грн |
| 1000+ | 17.20 грн |
| MOT13007MA |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2067.30 грн |
| 10+ | 257.70 грн |
| 100+ | 56.58 грн |
| 500+ | 28.21 грн |
| 1000+ | 22.61 грн |
| MOT13007MF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
Description: TRANS NPN 700V 8A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2055.71 грн |
| 10+ | 251.00 грн |
| 100+ | 52.55 грн |
| 500+ | 25.56 грн |
| 1000+ | 20.35 грн |
| MOT13009DA |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2072.71 грн |
| 10+ | 260.53 грн |
| 100+ | 58.29 грн |
| 500+ | 29.33 грн |
| 1000+ | 23.56 грн |
| MOT13009DF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F
Description: TRANS NPN 700V 12A To-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2062.66 грн |
| 10+ | 255.09 грн |
| 100+ | 55.00 грн |
| 500+ | 27.17 грн |
| 1000+ | 21.73 грн |
| MOT13009DW |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN 700V 12A To-247S
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247S
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2119.10 грн |
| 10+ | 287.92 грн |
| 100+ | 74.73 грн |
| 500+ | 40.13 грн |
| 1000+ | 32.74 грн |
| 3000+ | 26.82 грн |
| MOT130N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 30V 130A 2.3m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.48 грн |
| 10+ | 38.41 грн |
| 100+ | 23.06 грн |
| 500+ | 15.15 грн |
| 1000+ | 12.88 грн |
| 2500+ | 10.95 грн |
| MOT13N50A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2163.93 грн |
| 10+ | 313.68 грн |
| 100+ | 90.19 грн |
| 500+ | 50.29 грн |
| 1000+ | 41.37 грн |
| MOT13N50HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2163.93 грн |
| 10+ | 313.68 грн |
| 100+ | 90.19 грн |
| 500+ | 50.29 грн |
| 1000+ | 41.37 грн |
| MOT13N50SF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2103.63 грн |
| 10+ | 278.99 грн |
| 100+ | 69.35 грн |
| 500+ | 36.60 грн |
| MOT150N03A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 3.9m To-22
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2117.55 грн |
| 10+ | 286.88 грн |
| 100+ | 74.06 грн |
| 500+ | 39.69 грн |
| 1000+ | 32.37 грн |
| MOT150N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 1.5m To-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2049.52 грн |
| 10+ | 247.65 грн |
| 100+ | 50.53 грн |
| 500+ | 24.24 грн |
| 1000+ | 19.23 грн |
| 2500+ | 15.46 грн |
| MOT150N10A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 3.4m To-2
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 3.4m To-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 321.58 грн |
| 10+ | 185.73 грн |
| 100+ | 111.44 грн |
| 500+ | 73.20 грн |
| 1000+ | 62.22 грн |
| MOT15N10C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2008.55 грн |
| 11+ | 224.13 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| 4200+ | 8.44 грн |
| MOT15N10D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2008.55 грн |
| 11+ | 224.13 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| 2500+ | 8.76 грн |
| MOT15N50HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.94 грн |
| 10+ | 120.22 грн |
| 100+ | 72.10 грн |
| 500+ | 47.37 грн |
| 1000+ | 40.26 грн |
| MOT16N50HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.40 грн |
| 10+ | 129.45 грн |
| 100+ | 77.66 грн |
| 500+ | 51.02 грн |
| 1000+ | 43.36 грн |
| MOT16N65HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2168.57 грн |
| 10+ | 316.28 грн |
| 100+ | 91.71 грн |
| 500+ | 51.29 грн |
| 1000+ | 42.22 грн |
| MOT180N10A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 367.96 грн |
| 10+ | 212.53 грн |
| 100+ | 127.51 грн |
| 500+ | 83.76 грн |
| 1000+ | 71.20 грн |
| MOT180N10E |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 890.53 грн |
| 10+ | 514.53 грн |
| 100+ | 308.71 грн |
| 500+ | 202.80 грн |
| 800+ | 172.38 грн |
| MOT18N50HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2195.62 грн |
| 10+ | 331.62 грн |
| 100+ | 100.95 грн |
| 500+ | 57.36 грн |
| 1000+ | 47.38 грн |
| MOT18N65HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2207.99 грн |
| 10+ | 339.21 грн |
| 100+ | 105.47 грн |
| 500+ | 60.33 грн |
| MOT20N03BD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8.8m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8.8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.88 грн |
| 14+ | 21.89 грн |
| 100+ | 13.11 грн |
| 500+ | 8.61 грн |
| 1000+ | 7.32 грн |
| 2500+ | 6.22 грн |
| MOT20N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 9.7m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 9.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.56 грн |
| 15+ | 20.77 грн |
| 100+ | 12.45 грн |
| 500+ | 8.18 грн |
| 1000+ | 6.95 грн |
| 2500+ | 5.91 грн |
| MOT20N50HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2225.77 грн |
| 10+ | 349.56 грн |
| 100+ | 111.70 грн |
| 500+ | 64.42 грн |
| 1000+ | 53.39 грн |
| MOT20N50W |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2347.91 грн |
| 10+ | 420.20 грн |
| 100+ | 154.05 грн |
| 600+ | 91.59 грн |
| MOT2124G |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.69 грн |
| 35+ | 8.71 грн |
| 100+ | 5.22 грн |
| 500+ | 3.43 грн |
| 1000+ | 2.92 грн |
| 5000+ | 2.48 грн |
| MOT2135G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.98 грн |
| 10+ | 33.42 грн |
| 100+ | 20.08 грн |
| 500+ | 13.19 грн |
| 1000+ | 11.22 грн |
| 5000+ | 9.53 грн |
| MOT2135J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2017.83 грн |
| 10+ | 228.82 грн |
| 100+ | 39.27 грн |
| 500+ | 16.84 грн |
| 1000+ | 12.94 грн |
| 5000+ | 9.73 грн |
| MOT22N65HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 352.50 грн |
| 10+ | 203.59 грн |
| 100+ | 122.15 грн |
| 500+ | 80.24 грн |
| 1000+ | 68.21 грн |
| MOT2301B2 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 1968.35 грн |
| 72+ | 200.23 грн |
| 119+ | 22.12 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 3.36 грн |
| 3000+ | 1.85 грн |
| MOT2305AB2 |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.60 грн |
| 44+ | 6.77 грн |
| 100+ | 4.06 грн |
| 500+ | 2.67 грн |
| 1000+ | 2.27 грн |
| 3000+ | 1.93 грн |













