Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128724) > Сторінка 2146 з 2146
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7842TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSS169H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 2.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.8nC Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
BSS169 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Application: automotive industry |
на замовлення 5130 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TLF12501AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPDD60R150G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 95W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FP100R12KT4PB11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FP100R12KT4PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 100A; 515W; EconoPIM™ 3 Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 515W Technology: EconoPIM™ 3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BSC019N04LSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 161A; 94W; SuperSO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 161A Power dissipation: 94W Case: SuperSO8 On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 57nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY62162G18-55BGXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 55ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.65...2.2V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 840 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BTS3160DAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
DD261N22K | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 261A; BG-PB50-1; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 261A Case: BG-PB50-1 Max. forward voltage: 1.42V Max. forward impulse current: 9.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DD261N22KHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode Type of semiconductor module: diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| T4771N22TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 6.82kA; Igt: 350mA; in-tray Max. off-state voltage: 2.2kV Gate current: 350mA Body dimensions: Ø151.5/Ø100mm Max. load current: 6.82kA Kind of package: in-tray Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R12KE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.6kW Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 1.6kW Type of semiconductor module: IGBT Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R17OE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; 1.85kW; Field Stop,Trench Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 1.85kW Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R12KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R12N3E7BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3B; Inverter; screw Technology: Field Stop; Trench Case: AG-ECONO3B Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R12OE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.65kW Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 1.65kW Type of semiconductor module: IGBT Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R12OE4PNOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench Technology: Field Stop; Trench Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R17KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; 1.65kW; Field Stop,Trench Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 1.65kW Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R17KE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter Technology: Field Stop; Trench Type of semiconductor module: IGBT Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS300R17OE4PBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 300A Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 300A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 135.47 грн |
| 10+ | 92.50 грн |
| 50+ | 66.76 грн |
| 100+ | 58.37 грн |
| 250+ | 49.56 грн |
| 500+ | 46.88 грн |
| BSS169H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS169IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS169 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 23.57 грн |
| 300+ | 18.37 грн |
| 500+ | 17.61 грн |
| 1000+ | 17.11 грн |
| 4000+ | 16.69 грн |
| TLF12501AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPDD60R150G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FP100R12KT4PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP100R12KT4PBPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 100A; 515W; EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 515W
Technology: EconoPIM™ 3
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 100A; 515W; EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 515W
Technology: EconoPIM™ 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC019N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 161A; 94W; SuperSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 161A
Power dissipation: 94W
Case: SuperSO8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 161A; 94W; SuperSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 161A
Power dissipation: 94W
Case: SuperSO8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC028N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62162G18-55BGXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 55ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 55ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3160DAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DD261N22K |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 261A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 261A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.42V
Max. forward impulse current: 9.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 261A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 261A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.42V
Max. forward impulse current: 9.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DD261N22KHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T4771N22TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 6.82kA; Igt: 350mA; in-tray
Max. off-state voltage: 2.2kV
Gate current: 350mA
Body dimensions: Ø151.5/Ø100mm
Max. load current: 6.82kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 6.82kA; Igt: 350mA; in-tray
Max. off-state voltage: 2.2kV
Gate current: 350mA
Body dimensions: Ø151.5/Ø100mm
Max. load current: 6.82kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R12KE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.6kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.6kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R17OE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 1.85kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.85kW
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 1.85kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.85kW
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R12N3E7BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3B; Inverter; screw
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO3B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3B; Inverter; screw
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO3B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R12OE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.65kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.65kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R12OE4PNOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R17KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; 1.65kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; 1.65kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R17KE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS300R17OE4PBOSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 300A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.








