Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (129486) > Сторінка 2159 з 2159
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP083N10N5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Case: TO220 On-state resistance: 8.3mΩ Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 292A Gate charge: 30nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD50N06S4L-08 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Case: DPAK On-state resistance: 7.8mΩ Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IRFP4310ZPBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Power dissipation: 3.3W Case: DirectFET On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC011N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC011N03LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP083N10N5 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 292A
Gate charge: 30nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 292A
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD50N06S4L-08 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 63.45 грн |
| 100+ | 53.91 грн |
| 300+ | 50.86 грн |
| 500+ | 50.26 грн |
| 1000+ | 44.66 грн |
| 2000+ | 44.49 грн |
| IRFP4310ZPBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 204.81 грн |
| 10+ | 101.88 грн |
| 27+ | 95.94 грн |
| IRF7749L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC011N03LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC011N03LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.





