Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149640) > Сторінка 690 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 685 686 687 688 689 690 691 692 693 694 695 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE493DW2B6A0HTSA2 Infineon Technologies TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 S25FS256TDACHC113 Infineon Technologies Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 S25FS256TDACHC113 Infineon Technologies Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.77 грн
10+362.53 грн
25+351.64 грн
50+322.26 грн
100+314.54 грн
250+304.39 грн
500+292.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7328-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442 Description: IGBT MOD 1200V 55A 210W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6679.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 Infineon Technologies DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5817.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT CY2309SXC-1HT Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT CY2309SXC-1HT Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFVR01 S25FL256SAGMFVR01 Infineon Technologies Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.44 грн
10+412.26 грн
25+404.37 грн
50+376.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGFT CYW20835PB1KML1GGFT Infineon Technologies Description: IC RF TXRX+MCU BLE 60VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -94.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 384kB RAM, 2MB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.625V ~ 3.63V
Power - Output: 12dBm
Protocol: Bluetooth v5.2
Current - Receiving: 8mA
Data Rate (Max): 6Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-60-800
GPIO: 39
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1 IPS80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ips80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 86700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.96 грн
10+104.24 грн
25+94.94 грн
100+79.52 грн
250+74.95 грн
500+72.20 грн
1000+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45BVI CY62157EV30LL-45BVI Infineon Technologies Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.69 грн
10+1050.07 грн
25+1017.12 грн
50+931.34 грн
100+908.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFB10XTMA1 PXE1610CDNPMFB10XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFD10XTMA1 PXE1610CDNPMFD10XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+122.04 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNG023XTMA1 PXE1610CDNG023XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+261.74 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.40 грн
10+99.31 грн
25+90.44 грн
100+75.71 грн
250+71.35 грн
500+68.72 грн
1000+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7BOMA1 FS100R12W2T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18ea895736e Description: IGBT MODULE 1200V 70A AG-EASY2B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4958.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7PB11BPSA1 FP15R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7P_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742686806765b2 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.82 nF @ 25 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2587.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7B11BOMA1 FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186359472e9 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1629.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FFE6327HTSA1 BCW60FFE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3987+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3987
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 IDWD40E120D7XKSA1 Infineon Technologies IDWD40E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf Description: DIODE STD 1200V 67A PGTO24722
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 155 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.92 грн
30+144.94 грн
120+122.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5046ICPWM2ER100HALA1 Infineon Technologies tle5046icpwm2er100hala1 Description: TLE504HiEGWheSpeSenswidirectidet
Packaging: Bulk
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC50XTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC100XTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136PBF IR2136PBF Infineon Technologies IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+277.90 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IR21368STRPBF IR21368STRPBF Infineon Technologies IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+341.26 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IR2131SPBF IR2131SPBF Infineon Technologies ir2131.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c882d7169d description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+457.16 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
SP370251160XTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: SENSOR TIRE PRESSURE DIGITAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Sensor Type: Tire Pressure Monitoring (TPMS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1 BSP149L6906HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 631
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6825H6327XTSA1 BCX6825H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1 FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55309.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12KE3HOSA1 DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ab75550c Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8409.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12W3T7B11BPSA1 FP100R12W3T7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b14a703900 Description: IGBT MOD 1200V 100A AG-EASY3B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8530.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF300R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4345e3e6019 Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10872.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9515.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF18DM20E6327XUMA1 BGSF18DM20E6327XUMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF SWITCH SP8T
Packaging: Bulk
Circuit: SP8T
RF Type: Cellular, 3G, GSM
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800XTR17T2P5BPSA1 FF1800XTR17T2P5BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF1800XTR17T2P5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ca458f81d4c Description: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1800000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84000 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81705.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20738A2KML3G CYW20738A2KML3G Infineon Technologies BCM20738_RevC_Oct18%2C2016.pdf Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -93dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.2V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.0
Current - Receiving: 26.8mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 26.9mA
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
GPIO: 22
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA1 IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S405AKSA2 IPP80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S4-05_Rev1.0_2009-03-24.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA1 IPP80N06S2L06AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA1 IPP80N06S207AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L05AKSA1 IPP80N06S4L05AKSA1 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2 IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L11AKSA2 IPP80N06S2L11AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-11.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA2 IPP80N06S2L06AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L05AKSA1 IPP80N06S2L05AKSA1 Infineon Technologies INFNS09525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L09AKSA2 IPP80N06S2L09AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-09.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S2L03AKSA1 IPP80N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N04S2L-03.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+126.20 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80N06S08AKSA1 SPP80N06S08AKSA1 Infineon Technologies SP%28B%2CI%2CP%2980N06S-08.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies IPx80N08S4-06.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2LH5AKSA2 IPP80N06S2LH5AKSA2 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N06S2L-H5.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+115.26 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2H5AKSA2 IPP80N06S2H5AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2-H5.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA4 IPP80N06S207AKSA4 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+142.63 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S303AKSA1 IPP80N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPx80N04S3-03.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A0HTSA2 TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t
S25FS256TDACHC113
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t
S25FS256TDACHC113
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.77 грн
10+362.53 грн
25+351.64 грн
50+322.26 грн
100+314.54 грн
250+304.39 грн
500+292.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 infineon-irf7328-datasheet-en.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442
FP40R12KT3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 55A 210W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+6679.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5817.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXC-1HT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXC-1HT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFVR01 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGMFVR01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.44 грн
10+412.26 грн
25+404.37 грн
50+376.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGFT
CYW20835PB1KML1GGFT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 60VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -94.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 384kB RAM, 2MB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.625V ~ 3.63V
Power - Output: 12dBm
Protocol: Bluetooth v5.2
Current - Receiving: 8mA
Data Rate (Max): 6Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-60-800
GPIO: 39
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1 infineon-ips80r1k2p7-datasheet-en.pdf
IPS80R1K2P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 86700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
407+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.96 грн
10+104.24 грн
25+94.94 грн
100+79.52 грн
250+74.95 грн
500+72.20 грн
1000+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45BVI Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
CY62157EV30LL-45BVI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.69 грн
10+1050.07 грн
25+1017.12 грн
50+931.34 грн
100+908.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFB10XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXE1610CDNPMFB10XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFD10XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXE1610CDNPMFD10XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+122.04 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNG023XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXE1610CDNG023XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+261.74 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67
BTG7016A1EPWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67
BTG7016A1EPWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.40 грн
10+99.31 грн
25+90.44 грн
100+75.71 грн
250+71.35 грн
500+68.72 грн
1000+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18ea895736e
FS100R12W2T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 70A AG-EASY2B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+4958.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7PB11BPSA1 Infineon-FP15R12W1T7P_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742686806765b2
FP15R12W1T7PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.82 nF @ 25 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+2587.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS25R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186359472e9
FS25R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+1629.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FFE6327HTSA1 BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf
BCW60FFE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3987+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3987
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 IDWD40E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf
IDWD40E120D7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 1200V 67A PGTO24722
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 155 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.92 грн
30+144.94 грн
120+122.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5046ICPWM2ER100HALA1 tle5046icpwm2er100hala1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE504HiEGWheSpeSenswidirectidet
Packaging: Bulk
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC50XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC100XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136PBF IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2136PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+277.90 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IR21368STRPBF IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR21368STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+341.26 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IR2131SPBF description ir2131.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c882d7169d
IR2131SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+457.16 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
SP370251160XTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR TIRE PRESSURE DIGITAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Sensor Type: Tire Pressure Monitoring (TPMS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149L6906HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
631+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 631
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6810H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6810H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1731+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6825H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6825H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b
FF1200R17IP5PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55309.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12KE3HOSA1 Infineon-DF200R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ab75550c
DF200R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8409.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12W3T7B11BPSA1 Infineon-FP100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b14a703900
FP100R12W3T7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A AG-EASY3B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8530.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 Infineon-FF300R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4345e3e6019
FF300R12KT3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10872.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18
FP100R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+9515.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF18DM20E6327XUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGSF18DM20E6327XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP8T
Packaging: Bulk
Circuit: SP8T
RF Type: Cellular, 3G, GSM
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800XTR17T2P5BPSA1 Infineon-FF1800XTR17T2P5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ca458f81d4c
FF1800XTR17T2P5BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1800000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84000 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+81705.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20738A2KML3G BCM20738_RevC_Oct18%2C2016.pdf
CYW20738A2KML3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -93dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.2V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.0
Current - Receiving: 26.8mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 26.9mA
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
GPIO: 22
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80
IPP80N06S4L07AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
525+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S405AKSA2 IPx80N06S4-05_Rev1.0_2009-03-24.pdf
IPP80N06S405AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA1 IPB%2CIPP80N06S2L-06.pdf
IPP80N06S2L06AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPP80N06S207AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L05AKSA1 Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07
IPP80N06S4L05AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
305+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80
IPP80N06S4L07AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L11AKSA2 IPx80N06S2L-11.pdf
IPP80N06S2L11AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA2 IPx80N06S2L-06.pdf
IPP80N06S2L06AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
214+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L05AKSA1 INFNS09525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N06S2L05AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L09AKSA2 IPx80N06S2L-09.pdf
IPP80N06S2L09AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S2L03AKSA1 IPB%2CIPP80N04S2L-03.pdf
IPP80N04S2L03AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+126.20 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80N06S08AKSA1 SP%28B%2CI%2CP%2980N06S-08.pdf
SPP80N06S08AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
186+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPx80N08S4-06.pdf
IPP80N08S406AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2LH5AKSA2 IPB%2CIPP80N06S2L-H5.pdf
IPP80N06S2LH5AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+115.26 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2H5AKSA2 IPx80N06S2-H5.pdf
IPP80N06S2H5AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA4 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPP80N06S207AKSA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+142.63 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S303AKSA1 IPx80N04S3-03.pdf
IPP80N04S303AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 685 686 687 688 689 690 691 692 693 694 695 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]