Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149449) > Сторінка 691 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 686 687 688 689 690 691 692 693 694 695 696 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP100R07N3E4BOSA1 FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970 Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7797.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1327G-133AXIT CY7C1327G-133AXIT Infineon Technologies Infineon-CY7C1327G_4-Mbit_(256_K_18)_Pipelined_Sync_SRAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec41d4b3988 Description: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 4 ns
Memory Organization: 256K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D255N04BXPSA1 D255N04BXPSA1 Infineon Technologies D255N.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 255A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 255A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12541.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BWH6327XTSA1 BC848BWH6327XTSA1 Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5660+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 5660
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 BC848BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1043189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5430+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 5430
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6433HTMA1 BC848BE6433HTMA1 Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5430+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 5430
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Infineon Technologies irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 157148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1350G-133AXC CY7C1350G-133AXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1350G_4-Mbit_(128_K_36)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1032c35ab Description: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 4 ns
Memory Organization: 128K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+493.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014SXI-421 CY8C4014SXI-421 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 16KB FLASH 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: D/A 1x7b, 1x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.76 грн
10+119.89 грн
48+103.38 грн
144+89.60 грн
288+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD1000S33HE3BPSA1 DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD1000S33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d7605752a7279 Description: DIODE MODULE GP 3300V AGIHVB1303
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+96267.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817L-128AA72 Infineon Technologies Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817LS-128AA72 Infineon Technologies Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817L-128AS72 Infineon Technologies Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817LS-128AS72 Infineon Technologies Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1 IPSA70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies infineon-ipsa70r900p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+71.84 грн
100+48.01 грн
500+35.45 грн
1000+32.36 грн
2000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GB15BOSA1 FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies FP50R12KT4G_B15.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6911.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1766-192F80HL BB SAK-TC1766-192F80HL BB Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC MCU 32BIT FLASH LQFP-176
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.5M x 8
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-2
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC223S16F133FACLXUMA1 TC223S16F133FACLXUMA1 Infineon Technologies Power_Sensing_Selection_Guide_2021.pdf Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 133MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 96K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC233LP32F200FACLXUMA1 TC233LP32F200FACLXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC23xAC_DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Infineon Technologies auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5 Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Infineon Technologies auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5 Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8403TRL AUIRFS8403TRL Infineon Technologies auirfs8403.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6fc7a14db Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8403TRL AUIRFS8403TRL Infineon Technologies auirfs8403.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6fc7a14db Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+138.28 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA14H6327XTSA1 PZTA14H6327XTSA1 Infineon Technologies pzta14.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e89099018b Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP256XTMA2 KP256XTMA2 Infineon Technologies KP256.pdf Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP256XTMA2 KP256XTMA2 Infineon Technologies KP256.pdf Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.36 грн
5+350.33 грн
10+335.57 грн
25+298.42 грн
50+287.18 грн
100+276.88 грн
500+251.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KP254XTMA2 KP254XTMA2 Infineon Technologies Infineon-KP254-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401557355b9a5643b Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP254XTMA2 KP254XTMA2 Infineon Technologies Infineon-KP254-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401557355b9a5643b Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.59 грн
5+339.50 грн
10+325.32 грн
25+289.27 грн
50+278.41 грн
100+268.40 грн
500+247.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50N10S3L16AKSA1 IPI50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956 Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF IR25603STRPBF Infineon Technologies ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF IR25603STRPBF Infineon Technologies ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.78 грн
10+86.19 грн
25+78.27 грн
100+65.33 грн
250+61.45 грн
500+59.11 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20C65D2XKSA1 IDP20C65D2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP20C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c2a338c3e94 Description: DIODE ARR GP 650V 10A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.58 грн
50+81.28 грн
100+72.85 грн
500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30C65D2XKSA1 IDP30C65D2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP30C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4ef31f3ebf Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.89 грн
10+162.13 грн
100+112.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705E6327HTSA1 BAT1705E6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2834+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 2834
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6036BZI-F04 CY8C6036BZI-F04 Infineon Technologies Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04 CY8C6016BZI-F04 Infineon Technologies Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 50MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90TFI040 S29GL064N90TFI040 Infineon Technologies infineon-s29gl064n-s29gl032n-64-mbit-32-mbit-3-v-page-mode-mirrorbit-flash-datasheet-en.pdf description Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90FFI040 S29GL064N90FFI040 Infineon Technologies infineon-s29gl064n-s29gl032n-64-mbit-32-mbit-3-v-page-mode-mirrorbit-flash-datasheet-en.pdf Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G2 FM24C04B-G2 Infineon Technologies Description: IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: I2C
Access Time: 550 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TR AUIRLR3410TR Infineon Technologies IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF002BGL-G-XXX-ERE1 Infineon Technologies Description: IC MCU
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 IRS9100CXTSA1 Infineon Technologies Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7 Description: 3DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.52V ~ 3.7V
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-4
Number of Channels: 1
Current - Supply: 4 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 IRS9100CXTSA1 Infineon Technologies Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7 Description: 3DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.52V ~ 3.7V
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-4
Number of Channels: 1
Current - Supply: 4 mA
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.04 грн
10+72.58 грн
25+65.80 грн
100+54.78 грн
250+51.45 грн
500+49.45 грн
1000+47.02 грн
2500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.63 грн
10+157.45 грн
100+109.56 грн
500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LQI-483 CY8C4125LQI-483 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4100_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec86cc240d7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 40QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+161.03 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQE-S423 CY8C4146LQE-S423 Infineon Technologies Description: PSOC4 - GENERAL
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 12x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 34
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+694.05 грн
10+603.81 грн
25+575.71 грн
80+469.13 грн
230+448.05 грн
490+408.51 грн
980+349.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 S25FL256SAGBHIA03 Infineon Technologies 001-98283%20Rev%20T.pdf Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 S25FL256SAGBHIA03 Infineon Technologies 001-98283%20Rev%20T.pdf Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.38 грн
10+301.45 грн
25+292.53 грн
50+268.16 грн
100+261.79 грн
250+253.43 грн
500+243.11 грн
1000+237.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA2 IPP65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997 Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.28 грн
50+83.09 грн
100+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2 IPP65R310CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R310CFD-DS-v02_03-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.94 грн
50+98.82 грн
100+89.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2 IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.35 грн
50+218.17 грн
100+199.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504TRL AUIRFR3504TRL Infineon Technologies AUIRFR3504.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 BSP129L6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 236388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 852
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49161KHTSA1 TLE49161KHTSA1 Infineon Technologies TLE4916-1K_FinalDS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431689f4420116a096e1db033e&fileId=db3a304327b8975001281b98f40d1aeb Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 5mT Trip, -5mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 10µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2155PBF IR2155PBF Infineon Technologies ir2155.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8dec316b6 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 BCR129E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 214700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6897+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 6897
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 BCR129WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5854+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 5854
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970
FP100R07N3E4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7797.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1327G-133AXIT Infineon-CY7C1327G_4-Mbit_(256_K_18)_Pipelined_Sync_SRAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec41d4b3988
CY7C1327G-133AXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 4 ns
Memory Organization: 256K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D255N04BXPSA1 D255N.pdf
D255N04BXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 400V 255A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 255A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+12541.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
BC848BWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5660+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 5660
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
BC848BE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1043189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5430+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 5430
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6433HTMA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
BC848BE6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5430+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 5430
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516
IRL3103STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 157148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1350G-133AXC Infineon-CY7C1350G_4-Mbit_(128_K_36)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1032c35ab
CY7C1350G-133AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 4 ns
Memory Organization: 128K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+493.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014SXI-421 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4014SXI-421
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 16KB FLASH 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: D/A 1x7b, 1x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.76 грн
10+119.89 грн
48+103.38 грн
144+89.60 грн
288+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD1000S33HE3BPSA1 Infineon-DD1000S33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d7605752a7279
DD1000S33HE3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 3300V AGIHVB1303
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+96267.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817L-128AA72 Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817LS-128AA72 Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817L-128AS72 Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT817LS-128AS72 Infineon-CYAT817L-100AA72-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401837edadb500bad
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - TRUETOUCH
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM
Supplier Device Package: PG-TQFP-128-800
Grade: Automotive
Number of I/O: 29
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1 infineon-ipsa70r900p7s-ds-en.pdf
IPSA70R900P7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
930+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
IAUC50N08S5L096ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.52 грн
10+71.84 грн
100+48.01 грн
500+35.45 грн
1000+32.36 грн
2000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GB15BOSA1 FP50R12KT4G_B15.pdf
FP50R12KT4GB15BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+6911.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1766-192F80HL BB fundamentals-of-power-semiconductors
SAK-TC1766-192F80HL BB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT FLASH LQFP-176
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.5M x 8
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-2
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC223S16F133FACLXUMA1 Power_Sensing_Selection_Guide_2021.pdf
TC223S16F133FACLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 133MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 96K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC233LP32F200FACLXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee
TC233LP32F200FACLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8405 auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5
AUIRFR8405
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8405 auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5
AUIRFR8405
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8403TRL auirfs8403.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6fc7a14db
AUIRFS8403TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8403TRL auirfs8403.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6fc7a14db
AUIRFS8403TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+138.28 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA14H6327XTSA1 pzta14.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e89099018b
PZTA14H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP256XTMA2 KP256.pdf
KP256XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP256XTMA2 KP256.pdf
KP256XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.36 грн
5+350.33 грн
10+335.57 грн
25+298.42 грн
50+287.18 грн
100+276.88 грн
500+251.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KP254XTMA2 Infineon-KP254-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401557355b9a5643b
KP254XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP254XTMA2 Infineon-KP254-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401557355b9a5643b
KP254XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.59 грн
5+339.50 грн
10+325.32 грн
25+289.27 грн
50+278.41 грн
100+268.40 грн
500+247.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50N10S3L16AKSA1 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t
IPI50N10S3L16AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956
IPD30N10S3L34ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef
IR25603STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef
IR25603STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.78 грн
10+86.19 грн
25+78.27 грн
100+65.33 грн
250+61.45 грн
500+59.11 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20C65D2XKSA1 Infineon-IDP20C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c2a338c3e94
IDP20C65D2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 650V 10A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.58 грн
50+81.28 грн
100+72.85 грн
500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30C65D2XKSA1 Infineon-IDP30C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4ef31f3ebf
IDP30C65D2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.89 грн
10+162.13 грн
100+112.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705E6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BAT1705E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2834+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 2834
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6036BZI-F04 Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C6036BZI-F04
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04 Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C6016BZI-F04
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 50MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90TFI040 description infineon-s29gl064n-s29gl032n-64-mbit-32-mbit-3-v-page-mode-mirrorbit-flash-datasheet-en.pdf
S29GL064N90TFI040
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90FFI040 infineon-s29gl064n-s29gl032n-64-mbit-32-mbit-3-v-page-mode-mirrorbit-flash-datasheet-en.pdf
S29GL064N90FFI040
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G2
FM24C04B-G2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: I2C
Access Time: 550 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TR IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRLR3410TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF002BGL-G-XXX-ERE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7
IRS9100CXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 3DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.52V ~ 3.7V
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-4
Number of Channels: 1
Current - Supply: 4 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7
IRS9100CXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 3DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.52V ~ 3.7V
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-4
Number of Channels: 1
Current - Supply: 4 mA
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.04 грн
10+72.58 грн
25+65.80 грн
100+54.78 грн
250+51.45 грн
500+49.45 грн
1000+47.02 грн
2500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378
ISC073N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378
ISC073N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.63 грн
10+157.45 грн
100+109.56 грн
500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LQI-483 Infineon-PSoC_4_PSoC_4100_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec86cc240d7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4125LQI-483
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 40QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+161.03 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQE-S423
CY8C4146LQE-S423
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC4 - GENERAL
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 12x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 34
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.05 грн
10+603.81 грн
25+575.71 грн
80+469.13 грн
230+448.05 грн
490+408.51 грн
980+349.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL256SAGBHIA03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL256SAGBHIA03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.38 грн
10+301.45 грн
25+292.53 грн
50+268.16 грн
100+261.79 грн
250+253.43 грн
500+243.11 грн
1000+237.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA2 Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997
IPP65R420CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.28 грн
50+83.09 грн
100+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2 Infineon-IPX65R310CFD-DS-v02_03-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
IPP65R310CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.94 грн
50+98.82 грн
100+89.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
IPP65R110CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.35 грн
50+218.17 грн
100+199.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504TRL AUIRFR3504.pdf
AUIRFR3504TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
BSP129L6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 236388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
852+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 852
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49161KHTSA1 TLE4916-1K_FinalDS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431689f4420116a096e1db033e&fileId=db3a304327b8975001281b98f40d1aeb
TLE49161KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 5mT Trip, -5mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 10µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2155PBF ir2155.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8dec316b6
IR2155PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
BCR129E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 214700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6897+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 6897
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
BCR129WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5854+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 5854
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 686 687 688 689 690 691 692 693 694 695 696 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]