Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15409) > Сторінка 15 з 257

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FID36-06D IXYS FID36-06D.pdf Description: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FID60-06D FID60-06D IXYS Description: IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 300V, 30A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 1.4mJ (off)
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FII24N17AH1 IXYS FII24N17AH1.pdf Description: IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
Packaging: Box
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FII24N17AH1S IXYS Description: IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
Packaging: Box
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FII30-06D IXYS Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FII30-12E IXYS FII30-12E.pdf Description: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FII50-12E IXYS FII50-12E.pdf Description: IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FIO50-12BD FIO50-12BD IXYS FIO50-12BD.pdf Description: IGBT NPT 1200V 50A ISOPLUS I4PAC
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMD21-05QC IXYS FMD,FDM21-05QC.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMD40-06KC IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_multi-chip_config_fmd40-06kc_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMD80-0045PS IXYS 5cb0e918-b013-4775-9372-31674a553b9c.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMK75-01F IXYS 1b42fdac-d29e-45aa-880f-9a66809b22f2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMM150-0075P IXYS FMM150-0075P.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM300-0055P IXYS Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM65-015P IXYS FMM65-015P.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM75-01F IXYS FMM75-01F.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.54 грн
10+1548.75 грн
100+1322.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSS100-008A IXYS c8550b67-a374-4bc1-ba46-989c00a3f8b6.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ISOPLUS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FUE30-12N1 FUE30-12N1 IXYS FUE30-12N1.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUO22-12N FUO22-12N IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9ce3a1f3-2c48-4d7b-92a5-f8bb9b541a5f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-FUO22-12N-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1520.37 грн
25+940.97 грн
100+832.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUO22-16N FUO22-16N IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-FUO22-16N-Datasheet?assetguid=730dd338-b9f8-48dc-bdf4-aae14cd739d5 Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1372.36 грн
25+848.98 грн
100+751.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N FUO50-16N IXYS FUO50-16N.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1549.82 грн
10+1326.31 грн
100+1160.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUS45-0045B FUS45-0045B IXYS 14b6ae00-24ef-4836-9531-dd26e2e1ed59.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS GBO25.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4-SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.75 грн
16+555.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1 IXYS GBO25.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4-SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.87 грн
16+552.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GDBD4410 IXYS Description: EVAL BOARD FOR IXBD4410 IXBD4411
Packaging: Box
Function: High and Low Side Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM160-0055P3 IXYS 5908f048-1aeb-45f4-af82-5020d762c9d1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GWM70-01P2 IXYS b51bef66-ecb0-4302-94dc-fc27ab5283e2.pdf Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A16K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 16KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A19K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 19KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A22K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 22KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A25K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 25KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A32K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 32KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A38K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 38KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A44K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 44KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A51K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 51KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B24K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE RECT MOD 24000V 1A HTZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B28K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE MODULE 28KV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B33K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE MODULE 33KV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B38K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE MODULE 38KV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C6K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE GP 6000V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C7K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE 7.2KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C8K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE 8.4KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C9K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE GP 9600V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 9600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C12K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C14K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 14.4KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C17K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 16.8KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C19K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 19.2KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ170C2.4K IXYS HTZ170C.pdf Description: DIODE MODULE 2.4KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ170C2.8K IXYS HTZ170C.pdf Description: DIODE MODULE 2.8KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ170C2K IXYS HTZ170C.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D22K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 22KV 1.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D26K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 26KV 1.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D30K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 30KV 1.3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D35K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 35KV 1.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F10K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE GP 10000V 1.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F12K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F14K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 14KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F16K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 16KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ250G28K IXYS HTZ250G.pdf Description: DIODE MODULE 28KV 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ250G33K IXYS HTZ250G.pdf Description: DIODE MODULE 33.6KV 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FID36-06D FID36-06D.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FID60-06D
FID60-06D
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 300V, 30A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 1.4mJ (off)
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FII24N17AH1 FII24N17AH1.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
Packaging: Box
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FII24N17AH1S
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
Packaging: Box
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FII30-06D
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FII30-12E FII30-12E.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FII50-12E FII50-12E.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FIO50-12BD FIO50-12BD.pdf
FIO50-12BD
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 1200V 50A ISOPLUS I4PAC
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMD21-05QC FMD,FDM21-05QC.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMD40-06KC littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_multi-chip_config_fmd40-06kc_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMD80-0045PS 5cb0e918-b013-4775-9372-31674a553b9c.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMK75-01F 1b42fdac-d29e-45aa-880f-9a66809b22f2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMM150-0075P FMM150-0075P.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM300-0055P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM65-015P FMM65-015P.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM75-01F FMM75-01F.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1743.54 грн
10+1548.75 грн
100+1322.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSS100-008A c8550b67-a374-4bc1-ba46-989c00a3f8b6.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ISOPLUS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FUE30-12N1 FUE30-12N1.pdf
FUE30-12N1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUO22-12N media?resourcetype=datasheets&itemid=9ce3a1f3-2c48-4d7b-92a5-f8bb9b541a5f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-FUO22-12N-Datasheet
FUO22-12N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1520.37 грн
25+940.97 грн
100+832.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUO22-16N Littelfuse-Power-Semiconductors-FUO22-16N-Datasheet?assetguid=730dd338-b9f8-48dc-bdf4-aae14cd739d5
FUO22-16N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1372.36 грн
25+848.98 грн
100+751.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N FUO50-16N.pdf
FUO50-16N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1549.82 грн
10+1326.31 грн
100+1160.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUS45-0045B 14b6ae00-24ef-4836-9531-dd26e2e1ed59.pdf
FUS45-0045B
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4-SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+878.75 грн
16+555.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25.pdf
GBO25-16NO1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4-SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+874.87 грн
16+552.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GDBD4410
Виробник: IXYS
Description: EVAL BOARD FOR IXBD4410 IXBD4411
Packaging: Box
Function: High and Low Side Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM160-0055P3 5908f048-1aeb-45f4-af82-5020d762c9d1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GWM70-01P2 b51bef66-ecb0-4302-94dc-fc27ab5283e2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A16K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A19K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 19KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A22K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 22KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ110A25K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 25KV 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A32K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 32KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A38K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 38KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A44K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 44KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ120A51K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 51KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B24K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE RECT MOD 24000V 1A HTZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B28K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B33K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 33KV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ130B38K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 38KV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C6K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 6000V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C7K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 7.2KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C8K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 8.4KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ150C9K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 9600V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 9600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C12K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C14K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 14.4KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C17K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16.8KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ160C19K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 19.2KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ170C2.4K HTZ170C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.4KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ170C2.8K HTZ170C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.8KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ170C2K HTZ170C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D22K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 22KV 1.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D26K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 26KV 1.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D30K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 30KV 1.3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ180D35K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 35KV 1.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F10K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 10000V 1.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F12K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F14K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 14KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ240F16K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16KV 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ250G28K HTZ250G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HTZ250G33K HTZ250G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 33.6KV 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]