Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (20055) > Сторінка 15 з 335

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 33 66 99 132 165 198 231 264 297 330 335  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
EVLB002 IXYS Description: KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST
товар відсутній
EVPS001 IXYS Description: BOARD EVALUATION DESIGN KIT
Packaging: Box
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: DSS2-60AT2, IXTY1R4N60P
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side
Outputs and Type: 1, Isolated
товар відсутній
FBE22-06N1 FBE22-06N1 IXYS FBE22-06N1.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.13 V @ 11 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.84 грн
FBO16-12N FBO16-12N IXYS FBO16-12N.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 22A I4-PAC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FBO40-12N FBO40-12N IXYS FBO40-12N.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A I4-PAC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FBS10-06SC IXYS FBS10-06SC.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 6.6A I4-PAC
товар відсутній
FBS10-12SC IXYS FBS10-12SC.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 6.6A I4-PAC
товар відсутній
FBS16-06SC FBS16-06SC IXYS FBS16-06SC.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 11 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
FCC21-12IO IXYS FCC21-12IO.pdf Description: THYRISTOR PHASE CTRL 3HV I4-PAC
товар відсутній
FDM100-0045SP IXYS FDM100-0045SP.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
товар відсутній
FDM21-05QC IXYS FMD,FDM21-05QC.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
товар відсутній
FID35-06C IXYS FID35-06C.pdf Description: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
товар відсутній
FID36-06D IXYS FID36-06D.pdf Description: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
товар відсутній
FID60-06D IXYS FID60-06D.pdf Description: IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
товар відсутній
FII24N17AH1 IXYS FII24N17AH1.pdf Description: IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5
товар відсутній
FII24N17AH1S IXYS Description: IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS
товар відсутній
FII30-06D IXYS Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
товар відсутній
FII30-12E IXYS FII30-12E.pdf Description: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.2 nF @ 25 V
товар відсутній
FII50-12E IXYS FII50-12E.pdf Description: IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
товар відсутній
FIO50-12BD IXYS FIO50-12BD.pdf Description: IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
FMD21-05QC IXYS FMD,FDM21-05QC.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
товар відсутній
FMD40-06KC IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_multi-chip_config_fmd40-06kc_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
товар відсутній
FMD80-0045PS IXYS 5cb0e918-b013-4775-9372-31674a553b9c.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
товар відсутній
FMK75-01F IXYS 1b42fdac-d29e-45aa-880f-9a66809b22f2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
товар відсутній
FMM150-0075P IXYS FMM150-0075P.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
товар відсутній
FMM300-0055P IXYS 57e373e7-a866-44c6-8b45-78e8646d476a.pdf Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FMM65-015P IXYS FMM65-015P.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
товар відсутній
FMM75-01F IXYS FMM75-01F.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1617.8 грн
10+ 1437.06 грн
100+ 1227.17 грн
FSS100-008A IXYS c8550b67-a374-4bc1-ba46-989c00a3f8b6.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ISOPLUS
товар відсутній
FUE30-12N1 FUE30-12N1 IXYS FUE30-12N1.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
товар відсутній
FUO22-12N FUO22-12N IXYS FUO22-12N.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 4189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1312.93 грн
25+ 1023.96 грн
100+ 963.73 грн
500+ 819.63 грн
FUO22-16N FUO22-16N IXYS FUO22-16N.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1299.99 грн
25+ 1013.55 грн
100+ 953.91 грн
FUO50-16N FUO50-16N IXYS FUO50-16N.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1438.04 грн
10+ 1230.66 грн
100+ 1076.38 грн
FUS45-0045B FUS45-0045B IXYS 14b6ae00-24ef-4836-9531-dd26e2e1ed59.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GBO25-12NO1 IXYS GBO25.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4SIP
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GBO25-16NO1 IXYS GBO25.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4SIP
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDBD4410 IXYS l609.pdf Description: BOARD EVALUATION IXBD4410/11
Packaging: Box
Function: High and Low Side Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товар відсутній
GWM160-0055P3 IXYS 5908f048-1aeb-45f4-af82-5020d762c9d1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
товар відсутній
GWM70-01P2 IXYS b51bef66-ecb0-4302-94dc-fc27ab5283e2.pdf Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
товар відсутній
HTZ110A16K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 16KV 3.5A
товар відсутній
HTZ110A19K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 19KV 3.5A
товар відсутній
HTZ110A22K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 22KV 3.5A
товар відсутній
HTZ110A25K IXYS HTZ110A.pdf Description: DIODE MODULE 25KV 3.5A
товар відсутній
HTZ120A32K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 32KV 2A
товар відсутній
HTZ120A38K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 38KV 2A
товар відсутній
HTZ120A44K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 44KV 2A
товар відсутній
HTZ120A51K IXYS HTZ120A.pdf Description: DIODE MODULE 51KV 2A
товар відсутній
HTZ130B24K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE RECT MOD 24000V 1A HTZ
товар відсутній
HTZ130B28K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE MODULE 28KV 1A
товар відсутній
HTZ130B33K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE MODULE 33KV 1A
товар відсутній
HTZ130B38K IXYS HTZ130B.pdf Description: DIODE MODULE 38KV 1A
товар відсутній
HTZ150C6K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE 6KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V
товар відсутній
HTZ150C7K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE 7.2KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V
товар відсутній
HTZ150C8K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE 8.4KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V
товар відсутній
HTZ150C9K IXYS HTZ150C.pdf Description: DIODE MODULE 9.6KV 3A
товар відсутній
HTZ160C12K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товар відсутній
HTZ160C14K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 14.4KV 1.7A
товар відсутній
HTZ160C17K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 16.8KV 1.7A
товар відсутній
HTZ160C19K IXYS HTZ160C.pdf Description: DIODE MODULE 19.2KV 1.7A
товар відсутній
HTZ170C2.4K IXYS HTZ170C.pdf Description: DIODE MODULE 2.4KV 10A
товар відсутній
EVLB002
Виробник: IXYS
Description: KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST
товар відсутній
EVPS001
Виробник: IXYS
Description: BOARD EVALUATION DESIGN KIT
Packaging: Box
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: DSS2-60AT2, IXTY1R4N60P
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side
Outputs and Type: 1, Isolated
товар відсутній
FBE22-06N1 FBE22-06N1.pdf
FBE22-06N1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.13 V @ 11 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1059.84 грн
FBO16-12N FBO16-12N.pdf
FBO16-12N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 22A I4-PAC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FBO40-12N FBO40-12N.pdf
FBO40-12N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A I4-PAC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FBS10-06SC FBS10-06SC.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 6.6A I4-PAC
товар відсутній
FBS10-12SC FBS10-12SC.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 6.6A I4-PAC
товар відсутній
FBS16-06SC FBS16-06SC.pdf
FBS16-06SC
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 11A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 11 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
FCC21-12IO FCC21-12IO.pdf
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE CTRL 3HV I4-PAC
товар відсутній
FDM100-0045SP FDM100-0045SP.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
товар відсутній
FDM21-05QC FMD,FDM21-05QC.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
товар відсутній
FID35-06C FID35-06C.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
товар відсутній
FID36-06D FID36-06D.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
товар відсутній
FID60-06D FID60-06D.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
товар відсутній
FII24N17AH1 FII24N17AH1.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5
товар відсутній
FII24N17AH1S
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS
товар відсутній
FII30-06D
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
товар відсутній
FII30-12E FII30-12E.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.2 nF @ 25 V
товар відсутній
FII50-12E FII50-12E.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
товар відсутній
FIO50-12BD FIO50-12BD.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
FMD21-05QC FMD,FDM21-05QC.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
товар відсутній
FMD40-06KC littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_multi-chip_config_fmd40-06kc_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
товар відсутній
FMD80-0045PS 5cb0e918-b013-4775-9372-31674a553b9c.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
товар відсутній
FMK75-01F 1b42fdac-d29e-45aa-880f-9a66809b22f2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
товар відсутній
FMM150-0075P FMM150-0075P.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
товар відсутній
FMM300-0055P 57e373e7-a866-44c6-8b45-78e8646d476a.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FMM65-015P FMM65-015P.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
товар відсутній
FMM75-01F FMM75-01F.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1617.8 грн
10+ 1437.06 грн
100+ 1227.17 грн
FSS100-008A c8550b67-a374-4bc1-ba46-989c00a3f8b6.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ISOPLUS
товар відсутній
FUE30-12N1 FUE30-12N1.pdf
FUE30-12N1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
товар відсутній
FUO22-12N FUO22-12N.pdf
FUO22-12N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 4189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1312.93 грн
25+ 1023.96 грн
100+ 963.73 грн
500+ 819.63 грн
FUO22-16N FUO22-16N.pdf
FUO22-16N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1299.99 грн
25+ 1013.55 грн
100+ 953.91 грн
FUO50-16N FUO50-16N.pdf
FUO50-16N
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1438.04 грн
10+ 1230.66 грн
100+ 1076.38 грн
FUS45-0045B 14b6ae00-24ef-4836-9531-dd26e2e1ed59.pdf
FUS45-0045B
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GBO25-12NO1 GBO25.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4SIP
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GBO25-16NO1 GBO25.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4SIP
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDBD4410 l609.pdf
Виробник: IXYS
Description: BOARD EVALUATION IXBD4410/11
Packaging: Box
Function: High and Low Side Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товар відсутній
GWM160-0055P3 5908f048-1aeb-45f4-af82-5020d762c9d1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
товар відсутній
GWM70-01P2 b51bef66-ecb0-4302-94dc-fc27ab5283e2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
товар відсутній
HTZ110A16K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16KV 3.5A
товар відсутній
HTZ110A19K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 19KV 3.5A
товар відсутній
HTZ110A22K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 22KV 3.5A
товар відсутній
HTZ110A25K HTZ110A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 25KV 3.5A
товар відсутній
HTZ120A32K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 32KV 2A
товар відсутній
HTZ120A38K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 38KV 2A
товар відсутній
HTZ120A44K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 44KV 2A
товар відсутній
HTZ120A51K HTZ120A.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 51KV 2A
товар відсутній
HTZ130B24K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE RECT MOD 24000V 1A HTZ
товар відсутній
HTZ130B28K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 1A
товар відсутній
HTZ130B33K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 33KV 1A
товар відсутній
HTZ130B38K HTZ130B.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 38KV 1A
товар відсутній
HTZ150C6K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 6KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V
товар відсутній
HTZ150C7K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 7.2KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V
товар відсутній
HTZ150C8K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 8.4KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V
товар відсутній
HTZ150C9K HTZ150C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 9.6KV 3A
товар відсутній
HTZ160C12K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товар відсутній
HTZ160C14K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 14.4KV 1.7A
товар відсутній
HTZ160C17K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16.8KV 1.7A
товар відсутній
HTZ160C19K HTZ160C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 19.2KV 1.7A
товар відсутній
HTZ170C2.4K HTZ170C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.4KV 10A
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 33 66 99 132 165 198 231 264 297 330 335  Наступна Сторінка >> ]