Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (20105) > Сторінка 16 з 336

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 33 66 99 132 165 198 231 264 297 330 336  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HTZ170C2.8K IXYS HTZ170C.pdf Description: DIODE MODULE 2.8KV 10A
товар відсутній
HTZ170C2K IXYS HTZ170C.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 10A
товар відсутній
HTZ180D22K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 22KV 1.3A
товар відсутній
HTZ180D26K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 26KV 1.3A
товар відсутній
HTZ180D30K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 30KV 1.3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V
товар відсутній
HTZ180D35K IXYS HTZ180D.pdf Description: DIODE MODULE 35KV 1.3A
товар відсутній
HTZ240F10K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 10KV 1.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V
товар відсутній
HTZ240F12K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товар відсутній
HTZ240F14K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 14KV 1.7A
товар відсутній
HTZ240F16K IXYS HTZ240F.pdf Description: DIODE MODULE 16KV 1.7A
товар відсутній
HTZ250G28K IXYS HTZ250G.pdf Description: DIODE MODULE 28KV 2.7A
товар відсутній
HTZ250G33K IXYS HTZ250G.pdf Description: DIODE MODULE 33.6KV 2.7A
товар відсутній
HTZ250G39K IXYS HTZ250G.pdf Description: DIODE MODULE 39.2KV 2.7A
товар відсутній
HTZ250G44K IXYS HTZ250G.pdf Description: DIODE MODULE 44.8KV 2.7A
товар відсутній
HTZ260G14K IXYS HTZ260G.pdf Description: DIODE MODULE 14KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 14000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 14000 V
товар відсутній
HTZ260G16K IXYS HTZ260G.pdf Description: DIODE MODULE 16.8KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 16800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 16800 V
товар відсутній
HTZ260G19K IXYS HTZ260G.pdf Description: DIODE MODULE 19.6KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 19600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 19600 V
товар відсутній
HTZ260G22K IXYS HTZ260G.pdf Description: DIODE MODULE 22.4KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 22400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 22400 V
товар відсутній
HTZ270H40K IXYS HTZ270H_series.pdf Description: DIODE MODULE 40KV 3.4A
товар відсутній
HTZ270H56K IXYS HTZ270H_series.pdf Description: DIODE MODULE 56KV 3.4A
товар відсутній
HTZ270H64K IXYS HTZ270H_series.pdf Description: DIODE MODULE 64KV 3.4A
товар відсутній
HTZ280H20K IXYS HTZ280H.pdf Description: DIODE MODULE 20KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 23 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20000 V
товар відсутній
HTZ280H24K IXYS HTZ280H.pdf Description: DIODE MODULE 24KV 4.7A
товар відсутній
HTZ280H28K IXYS HTZ280H.pdf Description: DIODE MODULE 28KV 4.7A
товар відсутній
HTZ280H32K IXYS HTZ280H.pdf Description: DIODE MODULE 32KV 4.7A
товар відсутній
HVL900-12IO1 IXYS HVL900.pdf Description: IC CTLR AC 900A 1200V HVL
товар відсутній
HVL900-14IO1 IXYS HVL900.pdf Description: IC CTLR AC 900A 1400V HVL
товар відсутній
HVL900-16IO1 IXYS HVL900.pdf Description: IC CTLR AC 900A 1600V HVL
товар відсутній
HVL900-18IO1 IXYS HVL900.pdf Description: IC CTLR AC 900A 1800V HVL
товар відсутній
IX2A11P1 IX2A11P1 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP
товар відсутній
IX2A11S1 IX2A11S1 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2A11S1T/R IX2A11S1T/R IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2B11P7 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP
товар відсутній
IX2B11S7 IX2B11S7 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2B11S7T/R IX2B11S7T/R IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2C11P1 IX2C11P1 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP
товар відсутній
IX2C11S1 IX2C11S1 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2C11S1T/R IX2C11S1T/R IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2D11P7 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP
товар відсутній
IX2D11S7 IX2D11S7 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2D11S7T/R IX2D11S7T/R IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2R11M6 IXYS DS99165.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
товар відсутній
IX2R11M6T/R IXYS DS99165.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
товар відсутній
IX2R11P7 IXYS DS99165.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14DIP
товар відсутній
IX2R11S3 IX2R11S3 IXYS DS99165.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC
товар відсутній
IX2R11S3T/R IX2R11S3T/R IXYS DS99165.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC
товар відсутній
IX4R11M6 IXYS 99164.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX4R11M6T/R IXYS 99164.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX4R11P7 IXYS 99164.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14DIP
товар відсутній
IX4R11S3 IX4R11S3 IXYS 99164.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
товар відсутній
IX4R11S3T/R IX4R11S3T/R IXYS 99164.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
товар відсутній
IX6R11M6 IXYS DS99037.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX6R11M6T/R IXYS DS99037.pdf Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX6R11S3T/R IX6R11S3T/R IXYS DS99037.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
товар відсутній
IX6R11S6T/R IX6R11S6T/R IXYS DS99037.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC
товар відсутній
IX6S11S6 IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC
товар відсутній
IX6S11S6T/R IXYS Description: IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC
товар відсутній
IXA531L4 IXA531L4 IXYS 99187.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 35V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.54x16.54)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 600mA, 600mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXA531L4T/R IXA531L4T/R IXYS 99187.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 35V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.54x16.54)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 600mA, 600mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXA531S10 IXYS 99187.pdf Description: IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP
товар відсутній
HTZ170C2.8K HTZ170C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.8KV 10A
товар відсутній
HTZ170C2K HTZ170C.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 10A
товар відсутній
HTZ180D22K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 22KV 1.3A
товар відсутній
HTZ180D26K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 26KV 1.3A
товар відсутній
HTZ180D30K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 30KV 1.3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V
товар відсутній
HTZ180D35K HTZ180D.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 35KV 1.3A
товар відсутній
HTZ240F10K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 10KV 1.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V
товар відсутній
HTZ240F12K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
товар відсутній
HTZ240F14K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 14KV 1.7A
товар відсутній
HTZ240F16K HTZ240F.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16KV 1.7A
товар відсутній
HTZ250G28K HTZ250G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 2.7A
товар відсутній
HTZ250G33K HTZ250G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 33.6KV 2.7A
товар відсутній
HTZ250G39K HTZ250G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 39.2KV 2.7A
товар відсутній
HTZ250G44K HTZ250G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 44.8KV 2.7A
товар відсутній
HTZ260G14K HTZ260G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 14KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 14000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 14000 V
товар відсутній
HTZ260G16K HTZ260G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 16.8KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 16800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 16800 V
товар відсутній
HTZ260G19K HTZ260G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 19.6KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 19600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 19600 V
товар відсутній
HTZ260G22K HTZ260G.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 22.4KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 22400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 22400 V
товар відсутній
HTZ270H40K HTZ270H_series.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 40KV 3.4A
товар відсутній
HTZ270H56K HTZ270H_series.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 56KV 3.4A
товар відсутній
HTZ270H64K HTZ270H_series.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 64KV 3.4A
товар відсутній
HTZ280H20K HTZ280H.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 20KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 23 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20000 V
товар відсутній
HTZ280H24K HTZ280H.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 24KV 4.7A
товар відсутній
HTZ280H28K HTZ280H.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 4.7A
товар відсутній
HTZ280H32K HTZ280H.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 32KV 4.7A
товар відсутній
HVL900-12IO1 HVL900.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC CTLR AC 900A 1200V HVL
товар відсутній
HVL900-14IO1 HVL900.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC CTLR AC 900A 1400V HVL
товар відсутній
HVL900-16IO1 HVL900.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC CTLR AC 900A 1600V HVL
товар відсутній
HVL900-18IO1 HVL900.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC CTLR AC 900A 1800V HVL
товар відсутній
IX2A11P1
IX2A11P1
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP
товар відсутній
IX2A11S1
IX2A11S1
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2A11S1T/R
IX2A11S1T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2B11P7
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP
товар відсутній
IX2B11S7
IX2B11S7
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2B11S7T/R
IX2B11S7T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2C11P1
IX2C11P1
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP
товар відсутній
IX2C11S1
IX2C11S1
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2C11S1T/R
IX2C11S1T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
товар відсутній
IX2D11P7
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP
товар відсутній
IX2D11S7
IX2D11S7
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2D11S7T/R
IX2D11S7T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
товар відсутній
IX2R11M6 DS99165.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
товар відсутній
IX2R11M6T/R DS99165.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
товар відсутній
IX2R11P7 DS99165.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14DIP
товар відсутній
IX2R11S3 DS99165.pdf
IX2R11S3
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC
товар відсутній
IX2R11S3T/R DS99165.pdf
IX2R11S3T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC
товар відсутній
IX4R11M6 99164.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX4R11M6T/R 99164.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX4R11P7 99164.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14DIP
товар відсутній
IX4R11S3 99164.pdf
IX4R11S3
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
товар відсутній
IX4R11S3T/R 99164.pdf
IX4R11S3T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
товар відсутній
IX6R11M6 DS99037.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX6R11M6T/R DS99037.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
товар відсутній
IX6R11S3T/R DS99037.pdf
IX6R11S3T/R
Виробник: IXYS
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
товар відсутній
IX6R11S6T/R DS99037.pdf
IX6R11S6T/R
Виробник: IXYS
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC
товар відсутній
IX6S11S6
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC
товар відсутній
IX6S11S6T/R
Виробник: IXYS
Description: IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC
товар відсутній
IXA531L4 99187.pdf
IXA531L4
Виробник: IXYS
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 35V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.54x16.54)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 600mA, 600mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXA531L4T/R 99187.pdf
IXA531L4T/R
Виробник: IXYS
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 35V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.54x16.54)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 600mA, 600mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXA531S10 99187.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 33 66 99 132 165 198 231 264 297 330 336  Наступна Сторінка >> ]