Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16121) > Сторінка 240 з 269

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS-TRL IXYS DSP8-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.89 грн
5+215.87 грн
10+196.85 грн
25+172.04 грн
100+157.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS-TUB IXYS DSP8-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427N IX4427N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.93 грн
10+56.33 грн
21+46.98 грн
50+46.24 грн
56+44.42 грн
200+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427MTR IX4427MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: DFN8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.09 грн
10+65.09 грн
18+52.85 грн
50+49.96 грн
500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHV IXBT16N170AHV IXYS IXBA16N170AHV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1097.38 грн
3+906.51 грн
10+813.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBT16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1111.63 грн
3+906.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2508.30 грн
2+2202.59 грн
3+2201.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+647.56 грн
4+281.22 грн
10+266.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS IXYH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 175A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS IXGH(T)40N120A2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS IXGH40N120B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS IXGH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS IXGH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n120a4_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 275A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3 IXYH40N120B3 IXYS IXYH40N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 136A
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYS PdfFile_145990.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS IXYH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyt40n120a4hv_datasheet.pdf.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Pulsed collector current: 275A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A DSEI60-12A IXYS DSEI60-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 52A; Ifsm: 500A; TO247-2; tube; 189W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 189W
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+742.87 грн
3+450.77 грн
6+425.96 грн
30+409.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50 IXFK48N50 IXYS IXFK48N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS IXTH(P,Q)32N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.57 грн
3+377.99 грн
7+358.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2 IXTY2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340N IX4340N IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -5...5A
Kind of output: non-inverting
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.54 грн
10+58.39 грн
50+48.47 грн
100+44.50 грн
300+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002NTR CPC1002NTR IXYS CPC1002N.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 5ms
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 700mA
Switched voltage: max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS IXFK102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1153.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI IXDN602PI IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of output: non-inverting
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.64 грн
10+63.69 грн
25+57.90 грн
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXDN604PI IXYS IXDD604PI.pdf IXD_604.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.21 грн
10+105.04 грн
50+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDI614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
Kind of output: inverting
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.71 грн
10+133.99 грн
25+122.41 грн
50+116.62 грн
100+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 430ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2317N CPC2317N IXYS CPC2317N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.73 грн
10+205.12 грн
50+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR CPC1018NTR IXYS CPC1018N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS IXFL44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Power dissipation: 357W
Gate charge: 305nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+984.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0045A DSS25-0045A IXYS DSS25-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.59V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Power dissipation: 135W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0025B DSS25-0025B IXYS DSS25-0025B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.44V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-16io1MCD312-16io1
MCD312-16io1MCD312-16io1
 MCD312-16io1 IXYS MCC312-12IO1.pdf LFPCN250210_Y1-screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 9.6kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14585.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1 MDD312-22N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-14io1 MCD312-14io1 IXYS MCD312-14io1.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1 MDD312-18N1 IXYS MDD312-18N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1 MDD312-16N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-18io1 MCD312-18io1 IXYS MCD312-18IO1-DTE.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1 MDD312-12N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-12io1 MCD312-12io1 IXYS MCD312-12io1.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1 IXYS MDD312-14N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.4kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1 IXYS MDD312-20N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-14io1 IXYS MCD132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-08io1 IXYS MCD132-08io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-16io1 IXYS MCD132-16IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-12io1 IXYS MCD132-12io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-18io1 IXYS MCD132-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS IXTX210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1989.89 грн
10+1674.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS IXTR210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 390W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2445.95 грн
3+2009.04 грн
10+1805.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS IXTN210P10T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: -800A
Power dissipation: 830W
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±15V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX9907N IX9907N IXYS IX9907.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX9908N IX9908N IXYS IX9908.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.66 грн
10+43.01 грн
25+38.05 грн
100+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS.pdf
DSP8-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.89 грн
5+215.87 грн
10+196.85 грн
25+172.04 грн
100+157.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS.pdf
DSP8-12AS-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427N IX4426-27-28.pdf
IX4427N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.93 грн
10+56.33 грн
21+46.98 грн
50+46.24 грн
56+44.42 грн
200+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427MTR IX4426-27-28.pdf
IX4427MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: DFN8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.09 грн
10+65.09 грн
18+52.85 грн
50+49.96 грн
500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHV IXBA16N170AHV.pdf
IXBT16N170AHV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1097.38 грн
3+906.51 грн
10+813.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBT16N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1111.63 грн
3+906.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2508.30 грн
2+2202.59 грн
3+2201.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+647.56 грн
4+281.22 грн
10+266.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYP20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 175A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH(T)40N120A2.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3.pdf
IXGH40N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n120a4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 275A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3 IXYH40N120B3.pdf
IXYH40N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 136A
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 PdfFile_145990.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1.pdf
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyt40n120a4hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Pulsed collector current: 275A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A DSEI60-12A.pdf
DSEI60-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 52A; Ifsm: 500A; TO247-2; tube; 189W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 189W
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+742.87 грн
3+450.77 грн
6+425.96 грн
30+409.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50 IXFK48N50.pdf
IXFK48N50
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH(P,Q)32N65X.pdf
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+598.57 грн
3+377.99 грн
7+358.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTY2N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340N IX4340.pdf
IX4340N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -5...5A
Kind of output: non-inverting
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.54 грн
10+58.39 грн
50+48.47 грн
100+44.50 грн
300+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002NTR CPC1002N.pdf
CPC1002NTR
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 5ms
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 700mA
Switched voltage: max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P.pdf
IXFK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1153.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI IXD_602.pdf
IXDN602PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of output: non-inverting
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.64 грн
10+63.69 грн
25+57.90 грн
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXDD604PI.pdf IXD_604.pdf
IXDN604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.21 грн
10+105.04 грн
50+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDI614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
Kind of output: inverting
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.71 грн
10+133.99 грн
25+122.41 грн
50+116.62 грн
100+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 430ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2317N CPC2317N.pdf
CPC2317N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.73 грн
10+205.12 грн
50+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR CPC1018N.pdf
CPC1018NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P.pdf
IXFL44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Power dissipation: 357W
Gate charge: 305nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+984.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0045A DSS25-0045A.pdf
DSS25-0045A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.59V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Power dissipation: 135W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0025B DSS25-0025B.pdf
DSS25-0025B
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.44V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-16io1 MCC312-12IO1.pdf LFPCN250210_Y1-screw.pdf
MCD312-16io1MCD312-16io1
MCD312-16io1MCD312-16io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 9.6kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14585.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-22N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-14io1 MCD312-14io1.pdf
MCD312-14io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1 MDD312-18N1.pdf
MDD312-18N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-16N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-18io1 MCD312-18IO1-DTE.pdf
MCD312-18io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-12N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-12io1 MCD312-12io1.pdf
MCD312-12io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1 MDD312-14N1.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.4kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1 MDD312-20N1.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-14io1 MCD132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-08io1 MCD132-08io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-16io1 MCD132-16IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-12io1 MCD132-12io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-18io1 MCD132-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T.pdf
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1989.89 грн
10+1674.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T.pdf
IXTR210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 390W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2445.95 грн
3+2009.04 грн
10+1805.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T.pdf
IXTN210P10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: -800A
Power dissipation: 830W
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±15V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX9907N IX9907.pdf
IX9907N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX9908N IX9908.pdf
IX9908N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.66 грн
10+43.01 грн
25+38.05 грн
100+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.