Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (14566) > Сторінка 240 з 243

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 235 236 237 238 239 240 241 242 243  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX520N075T2 IXFX520N075T2 IXYS IXFK(X)520N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.2mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2 IXTP120N075T2 IXYS IXTA(P)120N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.7mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 50ns
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F520N075T2
+1
 		MMIX1F520N075T2 IXYS MMIX1F520N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD
Mounting: SMD
Case: SMPD
On-state resistance: 1.6mΩ
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 150ns
Gate charge: 545nC
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 500A
Power dissipation: 830W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+822.33 грн
3+696.76 грн
10+587.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170 IXBH6N170 IXYS IXBH6N170_IXBT6N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 36A
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXFH90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+571.31 грн
4+482.05 грн
10+427.75 грн
20+421.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+707.17 грн
3+590.66 грн
10+522.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 IXFP90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+414.76 грн
10+360.91 грн
25+353.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 IXYS IXFA90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+475.04 грн
3+416.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3M IXFP90N20X3M IXYS IXFP90N20X3M.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+284.31 грн
3+237.27 грн
10+209.70 грн
50+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT340N075T2 IXFT340N075T2 IXYS IXFH(T)340N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO268; 75ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 340A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 IXFH180N20X3 IXYS IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 94ns
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1138.13 грн
2+825.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20L IXTH80N20L IXYS IXTH(T)80N20L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20L IXTT80N20L IXYS IXTH(T)80N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV IXYS IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 94ns
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GRTR CPC1303GRTR IXYS CPC1303GR.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 30V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Case: SO4
Kind of output: transistor
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 8µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 200-2500%@0.2mA
Insulation voltage: 5kV
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.46 грн
10+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+815.13 грн
3+670.86 грн
10+602.35 грн
30+593.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+954.59 грн
10+652.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS IXFN140N20P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N20P IXFR140N20P IXYS IXFR140N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20P IXFK140N20P IXYS IXFK140N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HV IXFT140N20X3HV IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS IXTK140N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS IXGH48N60A3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c16e9d10-00d5-476f-bb47-f1fb327bacda&filename=power_semiconductor_discrete_diode_dss16-0045as_datasheet.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 45V; 1.5A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.67V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 710pF
Leakage current: 0.5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS-TRL IXYS Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 100V; 16A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.79V
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 334pF
Leakage current: 0.5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2 IXFA22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPS30I600HA IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; tube; TO247AD; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AD
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2029.74 грн
10+1649.16 грн
25+1583.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16A DSP25-16A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet?assetguid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 25A; tube; Ifsm: 300A; TO247-3; 160W
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.23V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: TO247-3
Semiconductor structure: double series
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.00 грн
10+255.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-12A DSP25-12A IXYS DSP25-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 25A; tube; Ifsm: 300A; TO247-3; 160W
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Semiconductor structure: double series
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.30 грн
10+255.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16AR DSP25-16AR IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet?assetguid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 28Ax2; tube; Ifsm: 300A; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.23V
Load current: 28A x2
Power dissipation: 100W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: ISOPLUS247™
Semiconductor structure: double series
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+648.69 грн
10+522.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-12AT-TUB DSP25-12AT-TUB IXYS DSP25-12AT.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 25A; D3PAK; Ufmax: 1.16V; Ifsm: 300A
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D3PAK
Semiconductor structure: double series
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+546.12 грн
3+456.99 грн
10+403.52 грн
30+369.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16AT-TUB DSP25-16AT-TUB IXYS DSP25-16AT.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 25A; D3PAK; Ufmax: 1.16V; Ifsm: 300A
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: D3PAK
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-12AT-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16AT-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS IXFR24N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.49Ω
Drain current: 18A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2009.94 грн
10+1686.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS IXFN24N100-DTE.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate charge: 250nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3 IXFK24N100Q3 IXYS IXFK(X)24N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 440mΩ
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100 IXTX24N100 IXYS IXTX24N100.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 850ns
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3 IXFX24N100Q3 IXYS IXFK(X)24N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 440mΩ
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 IXYS IXYK(x)120N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Gate charge: 412nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Power dissipation: 1.5kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: PLUS247™
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2448.10 грн
3+2136.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 IXYS IXYX120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Gate charge: 400nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 1.5kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: PLUS247™
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2533.57 грн
3+2118.68 грн
10+1871.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2036.93 грн
3+1670.88 грн
10+1568.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I200PA DPG10I200PA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG10I200PA-Datasheet?assetguid=EC448438-07B9-4C8C-BA5D-4A6822B3E045 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220AC; 65W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 10A
Power dissipation: 65W
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 200V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.66 грн
10+95.24 грн
50+82.71 грн
100+76.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I400PA DPG10I400PA IXYS DPG10I400PA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 150A; TO220AC; 65W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 45ns
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 10A
Power dissipation: 65W
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.32 грн
10+103.59 грн
50+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10P400PJ DPG10P400PJ IXYS DPG10P400PJ.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 130A; ISOPLUS220™
Mounting: THT
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: ISOPLUS220™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 45ns
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 10A
Power dissipation: 60W
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 0.4kV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.46 грн
3+348.38 грн
10+308.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I300PA DPG10I300PA IXYS DPG10I300PA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220AC; 65W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 10A
Power dissipation: 65W
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 300V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I200PM DPG10I200PM IXYS DPG10I200PM.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220FP-2; 35W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 10A
Power dissipation: 35W
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 200V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.46 грн
50+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I400PM DPG10I400PM IXYS DPG10I400PM.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 150A; TO220FP-2; 35W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 45ns
Max. forward voltage: 1.32V
Load current: 10A
Power dissipation: 35W
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.44 грн
10+132.00 грн
20+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I600APA IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; tube; TO220AB; FRED
Mounting: THT
Technology: FRED
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10IM300UC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG10IM300UC-Datasheet?assetguid=4F368F7B-B10F-46AB-A8F1-CBCA0C2C4559 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; TO252; FRED; reel,tape
Mounting: SMD
Technology: FRED
Case: TO252
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10IM300UC-TUB IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; TO252; FRED; tube
Mounting: SMD
Technology: FRED
Case: TO252
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2907B CPC2907B IXYS CPC2907B.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 2000mA; OptoMOS
Case: PowerSO8
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 2.5ms
On-state resistance: 0.15Ω
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 2A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 4kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+721.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1175.92 грн
5+925.67 грн
10+840.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2 IXFK(X)520N075T2.pdf
IXFX520N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.2mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2 IXTA(P)120N075T2.pdf
IXTP120N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.7mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 50ns
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F520N075T2 MMIX1F520N075T2.pdf
MMIX1F520N075T2
+1
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD
Mounting: SMD
Case: SMPD
On-state resistance: 1.6mΩ
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 150ns
Gate charge: 545nC
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 500A
Power dissipation: 830W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 DS94535L(IXTH-T11P50).pdf
IXTH11P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.33 грн
3+696.76 грн
10+587.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170 IXBH6N170_IXBT6N170.pdf
IXBH6N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 36A
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.31 грн
4+482.05 грн
10+427.75 грн
20+421.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFQ90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.17 грн
3+590.66 грн
10+522.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFP90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+414.76 грн
10+360.91 грн
25+353.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFA90N20X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.04 грн
3+416.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3M IXFP90N20X3M.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFP90N20X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.31 грн
3+237.27 грн
10+209.70 грн
50+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT340N075T2 IXFH(T)340N075T2.pdf
IXFT340N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO268; 75ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 340A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH180N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 94ns
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1138.13 грн
2+825.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20L IXTH(T)80N20L.pdf
IXTH80N20L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20L IXTH(T)80N20L.pdf
IXTT80N20L
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFT180N20X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 94ns
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GRTR CPC1303GR.pdf
CPC1303GRTR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 30V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Case: SO4
Kind of output: transistor
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 8µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 200-2500%@0.2mA
Insulation voltage: 5kV
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.46 грн
10+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFQ140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.13 грн
3+670.86 грн
10+602.35 грн
30+593.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+954.59 грн
10+652.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P description IXFN140N20P.pdf
IXFN140N20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N20P IXFR140N20P.pdf
IXFR140N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20P IXFK140N20P.pdf
IXFK140N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HV IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFT140N20X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20P IXTK140N20P-DTE.pdf
IXTK140N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1.pdf
IXGH48N60A3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=c16e9d10-00d5-476f-bb47-f1fb327bacda&filename=power_semiconductor_discrete_diode_dss16-0045as_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 45V; 1.5A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.67V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 710pF
Leakage current: 0.5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 100V; 16A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.79V
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 334pF
Leakage current: 0.5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFA22N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPS30I600HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; tube; TO247AD; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AD
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P.pdf
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2029.74 грн
10+1649.16 грн
25+1583.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16A Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet?assetguid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8
DSP25-16A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 25A; tube; Ifsm: 300A; TO247-3; 160W
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.23V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: TO247-3
Semiconductor structure: double series
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.00 грн
10+255.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-12A DSP25-12A.pdf
DSP25-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 25A; tube; Ifsm: 300A; TO247-3; 160W
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Semiconductor structure: double series
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.30 грн
10+255.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16AR Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet?assetguid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8
DSP25-16AR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 28Ax2; tube; Ifsm: 300A; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.23V
Load current: 28A x2
Power dissipation: 100W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: ISOPLUS247™
Semiconductor structure: double series
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+648.69 грн
10+522.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-12AT-TUB DSP25-12AT.pdf
DSP25-12AT-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 25A; D3PAK; Ufmax: 1.16V; Ifsm: 300A
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D3PAK
Semiconductor structure: double series
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.12 грн
3+456.99 грн
10+403.52 грн
30+369.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16AT-TUB DSP25-16AT.pdf
DSP25-16AT-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 25A; D3PAK; Ufmax: 1.16V; Ifsm: 300A
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 25A
Power dissipation: 160W
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: D3PAK
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-12AT-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP25-16AT-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=e596c328-6ce1-40f9-b9cf-5c4bf362b9c8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP25-12A-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3.pdf
IXFR24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.49Ω
Drain current: 18A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2009.94 грн
10+1686.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 description IXFN24N100-DTE.pdf
IXFN24N100
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate charge: 250nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3 IXFK(X)24N100Q3.pdf
IXFK24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 440mΩ
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100 IXTX24N100.pdf
IXTX24N100
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 850ns
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3 IXFK(X)24N100Q3.pdf
IXFX24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 440mΩ
Drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYK(x)120N120C3.pdf
IXYX120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Gate charge: 412nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Power dissipation: 1.5kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: PLUS247™
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2448.10 грн
3+2136.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3.pdf
IXYX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Gate charge: 400nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 1.5kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: PLUS247™
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2533.57 грн
3+2118.68 грн
10+1871.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXT_120P20T.pdf
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2036.93 грн
3+1670.88 грн
10+1568.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I200PA Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG10I200PA-Datasheet?assetguid=EC448438-07B9-4C8C-BA5D-4A6822B3E045
DPG10I200PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220AC; 65W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 10A
Power dissipation: 65W
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 200V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.66 грн
10+95.24 грн
50+82.71 грн
100+76.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I400PA DPG10I400PA.pdf
DPG10I400PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 150A; TO220AC; 65W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 45ns
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 10A
Power dissipation: 65W
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.32 грн
10+103.59 грн
50+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10P400PJ DPG10P400PJ.pdf
DPG10P400PJ
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 130A; ISOPLUS220™
Mounting: THT
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: ISOPLUS220™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 45ns
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 10A
Power dissipation: 60W
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 0.4kV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+417.46 грн
3+348.38 грн
10+308.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I300PA DPG10I300PA.pdf
DPG10I300PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220AC; 65W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 10A
Power dissipation: 65W
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 300V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I200PM DPG10I200PM.pdf
DPG10I200PM
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; tube; Ifsm: 140A; TO220FP-2; 35W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 10A
Power dissipation: 35W
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 200V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.46 грн
50+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I400PM DPG10I400PM.pdf
DPG10I400PM
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 150A; TO220FP-2; 35W
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 45ns
Max. forward voltage: 1.32V
Load current: 10A
Power dissipation: 35W
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.4kV
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.44 грн
10+132.00 грн
20+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10I600APA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; tube; TO220AB; FRED
Mounting: THT
Technology: FRED
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10IM300UC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG10IM300UC-Datasheet?assetguid=4F368F7B-B10F-46AB-A8F1-CBCA0C2C4559
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; TO252; FRED; reel,tape
Mounting: SMD
Technology: FRED
Case: TO252
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG10IM300UC-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; TO252; FRED; tube
Mounting: SMD
Technology: FRED
Case: TO252
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2907B CPC2907B.pdf
CPC2907B
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 2000mA; OptoMOS
Case: PowerSO8
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 2.5ms
On-state resistance: 0.15Ω
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 2A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 4kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.92 грн
5+925.67 грн
10+840.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBH16N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 235 236 237 238 239 240 241 242 243  [ Наступна Сторінка >> ]