| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFB170N30P | IXYS |
IXFB170N30P THT N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFB300N10P | IXYS | IXFB300N10P THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFB44N100P | IXYS |
IXFB44N100P THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFB62N80Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns Case: PLUS264™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.27µC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 62A Power dissipation: 1.56kW Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Q3-Class Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFB82N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 82A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFB82N60Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 82A Power dissipation: 1.56kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Q3-Class Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH100N30X3 | IXYS |
IXFH100N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH10N100P | IXYS |
IXFH10N100P THT N channel transistors |
на замовлення 326 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH10N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH110N10P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH110N15T2 | IXYS |
IXFH110N15T2 THT N channel transistors |
на замовлення 284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH110N25T | IXYS |
IXFH110N25T THT N channel transistors |
на замовлення 256 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N15P | IXYS | IXFH120N15P THT N channel transistors |
на замовлення 207 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N20P | IXYS |
IXFH120N20P THT N channel transistors |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N25X3 | IXYS |
IXFH120N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N30X3 | IXYS |
IXFH120N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH12N100P | IXYS |
IXFH12N100P THT N channel transistors |
на замовлення 263 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH130N15X3 | IXYS |
IXFH130N15X3 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH140N10P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH140N20X3 | IXYS |
IXFH140N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH150N25X3 | IXYS |
IXFH150N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH15N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 On-state resistance: 760mΩ Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH15N100Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Q3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH160N15T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Gate charge: 253nC On-state resistance: 9mΩ Drain current: 160A Power dissipation: 880W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH180N20X3 | IXYS |
IXFH180N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH18N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 50nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 286 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 578 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH230N075T2 | IXYS |
IXFH230N075T2 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH230N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 230A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 82ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH24N90P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 660W Gate charge: 130nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH26N50P | IXYS |
IXFH26N50P THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH26N50P3 | IXYS |
IXFH26N50P3 THT N channel transistors |
на замовлення 337 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH26N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH28N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH30N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; PolarHV™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH320N10T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO247-3 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 98ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFH34N50P3 | IXYS |
IXFH34N50P3 THT N channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Technology: HiPerFET™; X2-Class Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH34N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH36N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH44N50P | IXYS |
IXFH44N50P THT N channel transistors |
на замовлення 106 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH46N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 219 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH50N30Q3 | IXYS | IXFH50N30Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 259 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH52N30P | IXYS |
IXFH52N30P THT N channel transistors |
на замовлення 275 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH52N50P2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 960W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 113nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 52A Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH56N30X3 | IXYS |
IXFH56N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 132 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH60N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 60A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 339 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH6N120 | IXYS |
IXFH6N120 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH70N30Q3 | IXYS |
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH72N30X3 | IXYS |
IXFH72N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH74N20P | IXYS |
IXFH74N20P THT N channel transistors |
на замовлення 124 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH76N15T2 | IXYS |
IXFH76N15T2 THT N channel transistors |
на замовлення 210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH80N25X3 | IXYS |
IXFH80N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH80N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH80N65X2-4 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IXFB170N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFB170N30P THT N channel transistors
IXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1477.21 грн |
| 3+ | 1397.12 грн |
| IXFB300N10P |
Виробник: IXYS
IXFB300N10P THT N channel transistors
IXFB300N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2215.82 грн |
| 2+ | 2095.19 грн |
| IXFB44N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFB44N100P THT N channel transistors
IXFB44N100P THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2057.62 грн |
| 2+ | 1945.89 грн |
| IXFB62N80Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 62A
Power dissipation: 1.56kW
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 62A
Power dissipation: 1.56kW
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3954.75 грн |
| 5+ | 3369.94 грн |
| 25+ | 2914.88 грн |
| IXFB82N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2352.20 грн |
| 5+ | 2033.05 грн |
| 25+ | 1929.08 грн |
| IXFB82N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1193.67 грн |
| IXFH100N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH100N30X3 THT N channel transistors
IXFH100N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1279.92 грн |
| 2+ | 930.43 грн |
| 4+ | 880.00 грн |
| IXFH10N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH10N100P THT N channel transistors
IXFH10N100P THT N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 785.84 грн |
| 3+ | 484.49 грн |
| 7+ | 457.80 грн |
| IXFH10N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 420.61 грн |
| 10+ | 332.68 грн |
| 30+ | 294.65 грн |
| IXFH110N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 645.28 грн |
| 5+ | 533.93 грн |
| 10+ | 467.69 грн |
| 20+ | 419.24 грн |
| 30+ | 390.56 грн |
| 120+ | 388.58 грн |
| IXFH110N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH110N15T2 THT N channel transistors
IXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 638.89 грн |
| 3+ | 507.24 грн |
| 7+ | 479.55 грн |
| IXFH110N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH110N25T THT N channel transistors
IXFH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 256 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 983.90 грн |
| 2+ | 591.28 грн |
| 6+ | 559.64 грн |
| IXFH120N15P |
Виробник: IXYS
IXFH120N15P THT N channel transistors
IXFH120N15P THT N channel transistors
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 786.90 грн |
| 3+ | 574.47 грн |
| 6+ | 542.83 грн |
| IXFH120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N20P THT N channel transistors
IXFH120N20P THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1200.06 грн |
| 2+ | 802.88 грн |
| 5+ | 759.37 грн |
| IXFH120N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N25X3 THT N channel transistors
IXFH120N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1218.16 грн |
| 2+ | 894.83 грн |
| 4+ | 845.39 грн |
| IXFH120N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1556.77 грн |
| 2+ | 1072.81 грн |
| 4+ | 1014.47 грн |
| IXFH12N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH12N100P THT N channel transistors
IXFH12N100P THT N channel transistors
на замовлення 263 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 888.06 грн |
| 3+ | 571.51 грн |
| 6+ | 540.85 грн |
| IXFH130N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH130N15X3 THT N channel transistors
IXFH130N15X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 925.33 грн |
| 2+ | 658.52 грн |
| 5+ | 621.93 грн |
| IXFH140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 692.14 грн |
| 3+ | 600.67 грн |
| 10+ | 511.19 грн |
| 30+ | 459.78 грн |
| IXFH140N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH140N20X3 THT N channel transistors
IXFH140N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1284.18 грн |
| 2+ | 848.36 грн |
| 4+ | 801.89 грн |
| IXFH150N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1226.68 грн |
| 2+ | 989.75 грн |
| 4+ | 936.36 грн |
| IXFH15N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1040.33 грн |
| 3+ | 896.39 грн |
| 10+ | 763.33 грн |
| 30+ | 685.21 грн |
| IXFH15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1416.22 грн |
| 5+ | 1151.04 грн |
| 10+ | 1086.65 грн |
| IXFH160N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 686.81 грн |
| 30+ | 538.04 грн |
| IXFH180N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1531.22 грн |
| 2+ | 1072.81 грн |
| 4+ | 1014.47 грн |
| IXFH18N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 570.75 грн |
| 10+ | 370.67 грн |
| 30+ | 321.35 грн |
| IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 555.84 грн |
| 10+ | 332.68 грн |
| IXFH22N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 584.59 грн |
| 10+ | 445.63 грн |
| 30+ | 347.06 грн |
| IXFH22N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 611.21 грн |
| 3+ | 520.58 грн |
| 10+ | 450.88 грн |
| 30+ | 443.96 грн |
| IXFH22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 578 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 534.54 грн |
| 10+ | 333.71 грн |
| IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 523.89 грн |
| 5+ | 412.77 грн |
| 10+ | 343.10 грн |
| 30+ | 325.30 грн |
| IXFH230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 904.04 грн |
| 3+ | 495.37 грн |
| 7+ | 468.67 грн |
| IXFH230N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 782.65 грн |
| 10+ | 624.29 грн |
| 30+ | 489.44 грн |
| 120+ | 484.49 грн |
| IXFH24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 977.51 грн |
| 30+ | 907.69 грн |
| IXFH26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH26N50P THT N channel transistors
IXFH26N50P THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 568.62 грн |
| 3+ | 437.03 грн |
| 8+ | 413.30 грн |
| 1020+ | 412.77 грн |
| IXFH26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH26N50P3 THT N channel transistors
IXFH26N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 708.11 грн |
| 3+ | 478.56 грн |
| 7+ | 452.85 грн |
| IXFH26N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 754.96 грн |
| 5+ | 667.42 грн |
| 10+ | 576.45 грн |
| 15+ | 513.17 грн |
| 30+ | 510.20 грн |
| IXFH28N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 651.67 грн |
| 5+ | 530.85 грн |
| 10+ | 436.05 грн |
| 30+ | 408.36 грн |
| IXFH30N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 777.32 грн |
| 3+ | 686.93 грн |
| 5+ | 616.99 грн |
| 10+ | 546.79 грн |
| 30+ | 510.20 грн |
| IXFH320N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH34N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH34N50P3 THT N channel transistors
IXFH34N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 873.16 грн |
| 3+ | 563.60 грн |
| 6+ | 532.94 грн |
| IXFH34N60X2A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 590.98 грн |
| 3+ | 537.01 грн |
| IXFH34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 650.61 грн |
| 10+ | 519.56 грн |
| 30+ | 467.69 грн |
| 120+ | 427.15 грн |
| 510+ | 408.36 грн |
| IXFH36N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1015.84 грн |
| 6+ | 735.18 грн |
| 10+ | 668.40 грн |
| IXFH44N50P | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH44N50P THT N channel transistors
IXFH44N50P THT N channel transistors
на замовлення 106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1151.07 грн |
| 2+ | 734.65 грн |
| 5+ | 694.11 грн |
| IXFH46N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 578.20 грн |
| IXFH50N30Q3 |
Виробник: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1117.00 грн |
| 2+ | 956.14 грн |
| 4+ | 903.73 грн |
| 30+ | 902.55 грн |
| IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 851.86 грн |
| 5+ | 678.71 грн |
| 10+ | 580.40 грн |
| 30+ | 577.44 грн |
| IXFH52N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
IXFH52N30P THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 691.07 грн |
| 3+ | 426.16 грн |
| 8+ | 403.42 грн |
| IXFH52N50P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 968.99 грн |
| 3+ | 846.08 грн |
| 10+ | 752.45 грн |
| 30+ | 702.02 грн |
| 120+ | 664.45 грн |
| IXFH56N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 981.77 грн |
| 2+ | 631.82 грн |
| 6+ | 597.21 грн |
| 30+ | 596.57 грн |
| IXFH60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 694.26 грн |
| 5+ | 599.65 грн |
| IXFH6N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH6N120 THT N channel transistors
IXFH6N120 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1058.43 грн |
| 2+ | 741.57 грн |
| 5+ | 701.03 грн |
| IXFH70N30Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1271.40 грн |
| 2+ | 811.78 грн |
| 4+ | 768.27 грн |
| IXFH72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1077.60 грн |
| 2+ | 687.19 грн |
| 5+ | 650.61 грн |
| IXFH74N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
IXFH74N20P THT N channel transistors
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 717.69 грн |
| 3+ | 441.98 грн |
| 8+ | 417.26 грн |
| IXFH76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.27 грн |
| 4+ | 355.96 грн |
| 10+ | 336.18 грн |
| IXFH80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 896.58 грн |
| 2+ | 599.19 грн |
| 6+ | 566.56 грн |
| IXFH80N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1123.39 грн |
| 3+ | 1012.42 грн |
| 5+ | 899.78 грн |
| IXFH80N65X2-4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1249.04 грн |
| 5+ | 1081.21 грн |
| 10+ | 933.39 грн |
| 30+ | 919.55 грн |




