Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16029) > Сторінка 240 з 268

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK230N20T IXFK230N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCF347BAAB5820&compId=IXFK(X)230N20T.pdf?ci_sign=e4a579f4f1660cfb2f2f8a74c12b8edd99086286 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 358nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1735.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXYS IXFK240N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2306.66 грн
2+2180.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1044.93 грн
3+908.49 грн
10+773.48 грн
25+695.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1645.36 грн
2+1555.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1659.60 грн
3+1416.38 грн
10+1222.21 грн
25+1139.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1494.27 грн
5+1227.32 грн
10+1173.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1643.70 грн
3+1503.24 грн
5+1380.65 грн
10+1300.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1431.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1212.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFK520N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1172.10 грн
2+1100.19 грн
3+1040.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1278.08 грн
5+1075.06 грн
10+941.75 грн
25+885.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1208.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1993.42 грн
10+1590.11 грн
25+1269.45 грн
100+1234.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1491.85 грн
3+1410.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1345.90 грн
10+1083.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2050.65 грн
10+1637.11 грн
25+1408.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1379.82 грн
2+971.28 грн
4+918.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94FFC4111820&compId=IXFL210N30P3.pdf?ci_sign=8debaaf3e40442e35f52c30c53f9fb7705cad9b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 108A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 520W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1136.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P IXFL32N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94881C72F820&compId=IXFL32N120P.pdf?ci_sign=d80523daf804ad9e5f99e697e80218a7346589fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 24A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2222.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1150.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1177.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1075.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6722.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3114.66 грн
5+2581.37 грн
10+2402.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2242.47 грн
5+1905.88 грн
10+1791.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2378.12 грн
5+1951.86 грн
10+1819.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1612.97 грн
3+1483.83 грн
10+1324.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3797.15 грн
10+3331.45 грн
20+3044.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 190ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3796.09 грн
3+3608.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 204nC
Reverse recovery time: 128ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3189.90 грн
3+2716.26 грн
10+2468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3804.57 грн
3+3246.64 грн
10+2805.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 197nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5642.20 грн
3+4802.00 грн
10+4156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P IXYS IXFN26N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5819.18 грн
3+4955.28 грн
10+4286.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 525nC
Reverse recovery time: 130ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2226.57 грн
5+1825.15 грн
10+1702.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS IXFN40N110P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2445.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3 IXYS IXFN40N110Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 300nC
Reverse recovery time: 434ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2208.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS IXFN420N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 670nC
Reverse recovery time: 140ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2518.01 грн
5+2079.60 грн
10+1983.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 264nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7114.22 грн
10+4915.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 200nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3217.45 грн
3+2742.83 грн
10+2372.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 115nC
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+8281.02 грн
3+7059.41 грн
10+6105.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3380.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X IXYS IXFN66N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4233.77 грн
3+3606.35 грн
10+3117.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.02 грн
3+246.28 грн
10+209.61 грн
50+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+345.48 грн
10+206.43 грн
50+186.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N85XM IXFP14N85XM IXYS IXFP14N85XM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+445.10 грн
3+386.29 грн
10+328.68 грн
50+295.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.64 грн
10+296.36 грн
50+225.35 грн
100+224.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.46 грн
10+312.71 грн
50+265.70 грн
100+250.94 грн
250+237.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+543.66 грн
50+284.09 грн
100+252.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 IXYS IXFA(P)180N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.21 грн
3+407.75 грн
10+343.44 грн
50+339.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.64 грн
10+376.07 грн
50+314.90 грн
100+294.24 грн
250+266.68 грн
500+246.02 грн
1000+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+431.33 грн
10+346.43 грн
50+273.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+401.65 грн
10+273.87 грн
50+226.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.84 грн
6+226.34 грн
15+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+718.52 грн
10+616.22 грн
50+521.56 грн
100+489.08 грн
250+454.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS 238_K248734.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+716.40 грн
5+643.81 грн
10+573.71 грн
50+494.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 IXYS IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+542.60 грн
10+352.56 грн
50+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.80 грн
10+398.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3 IXFP36N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+328.53 грн
10+227.89 грн
50+194.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 IXFP38N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.40 грн
3+329.06 грн
10+280.46 грн
50+251.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCF347BAAB5820&compId=IXFK(X)230N20T.pdf?ci_sign=e4a579f4f1660cfb2f2f8a74c12b8edd99086286
IXFK230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 358nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1735.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2306.66 грн
2+2180.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1044.93 грн
3+908.49 грн
10+773.48 грн
25+695.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
IXFK250N10P THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1645.36 грн
2+1555.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b
IXFK32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1659.60 грн
3+1416.38 грн
10+1222.21 грн
25+1139.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c
IXFK420N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1494.27 грн
5+1227.32 грн
10+1173.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1643.70 грн
3+1503.24 грн
5+1380.65 грн
10+1300.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1431.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1212.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Виробник: IXYS
IXFK520N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.10 грн
2+1100.19 грн
3+1040.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1278.08 грн
5+1075.06 грн
10+941.75 грн
25+885.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1208.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1993.42 грн
10+1590.11 грн
25+1269.45 грн
100+1234.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1491.85 грн
3+1410.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.90 грн
10+1083.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFK80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2050.65 грн
10+1637.11 грн
25+1408.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1379.82 грн
2+971.28 грн
4+918.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94FFC4111820&compId=IXFL210N30P3.pdf?ci_sign=8debaaf3e40442e35f52c30c53f9fb7705cad9b7
IXFL210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 108A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 520W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1136.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94881C72F820&compId=IXFL32N120P.pdf?ci_sign=d80523daf804ad9e5f99e697e80218a7346589fd
IXFL32N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 24A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2222.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd
IXFL38N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1150.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39
IXFL44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1177.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1075.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6722.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description IXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3114.66 грн
5+2581.37 грн
10+2402.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2242.47 грн
5+1905.88 грн
10+1791.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2378.12 грн
5+1951.86 грн
10+1819.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1612.97 грн
3+1483.83 грн
10+1324.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3797.15 грн
10+3331.45 грн
20+3044.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFN210N30X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 190ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3796.09 грн
3+3608.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFN220N20X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 204nC
Reverse recovery time: 128ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3189.90 грн
3+2716.26 грн
10+2468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3804.57 грн
3+3246.64 грн
10+2805.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 197nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5642.20 грн
3+4802.00 грн
10+4156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P.pdf
IXFN26N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5819.18 грн
3+4955.28 грн
10+4286.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 525nC
Reverse recovery time: 130ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2226.57 грн
5+1825.15 грн
10+1702.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P.pdf
IXFN40N110P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2445.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3.pdf
IXFN40N110Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 300nC
Reverse recovery time: 434ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2208.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T.pdf
IXFN420N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 670nC
Reverse recovery time: 140ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2518.01 грн
5+2079.60 грн
10+1983.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 264nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7114.22 грн
10+4915.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 200nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3217.45 грн
3+2742.83 грн
10+2372.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet
IXFN50N120SK
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 115nC
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8281.02 грн
3+7059.41 грн
10+6105.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3380.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X.pdf
IXFN66N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4233.77 грн
3+3606.35 грн
10+3117.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.02 грн
3+246.28 грн
10+209.61 грн
50+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.48 грн
10+206.43 грн
50+186.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N85XM IXFP14N85XM.pdf
IXFP14N85XM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.10 грн
3+386.29 грн
10+328.68 грн
50+295.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.64 грн
10+296.36 грн
50+225.35 грн
100+224.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFP16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.46 грн
10+312.71 грн
50+265.70 грн
100+250.94 грн
250+237.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.66 грн
50+284.09 грн
100+252.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFA(P)180N10T2.pdf
IXFP180N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.21 грн
3+407.75 грн
10+343.44 грн
50+339.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFP20N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFP22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.64 грн
10+376.07 грн
50+314.90 грн
100+294.24 грн
250+266.68 грн
500+246.02 грн
1000+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFP22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.33 грн
10+346.43 грн
50+273.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62
IXFP22N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.65 грн
10+273.87 грн
50+226.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.84 грн
6+226.34 грн
15+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFP26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.52 грн
10+616.22 грн
50+521.56 грн
100+489.08 грн
250+454.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 238_K248734.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.40 грн
5+643.81 грн
10+573.71 грн
50+494.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFA(P,Y)30N25X3.pdf
IXFP30N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.60 грн
10+352.56 грн
50+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.80 грн
10+398.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFP36N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.53 грн
10+227.89 грн
50+194.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.40 грн
3+329.06 грн
10+280.46 грн
50+251.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]