Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 500W Gate charge: 82nC кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH30N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH30N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH320N10T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns Case: TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 98ns Gate charge: 430nC On-state resistance: 3.5mΩ Power dissipation: 1kW Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH340N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH34N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH34N60X2A | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH34N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH36N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH36N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH36N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH400N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH40N50Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH40N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH42N50P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH42N60P3 | IXYS | IXFH42N60P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH44N50P | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 658W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH44N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH46N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 244 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH46N65X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH48N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 163ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH50N30Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Reverse recovery time: 250ns On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 690W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH50N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 218ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; X-Class кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH52N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC Reverse recovery time: 160ns On-state resistance: 73mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 52A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 400W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH52N50P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 113nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 52A Drain-source voltage: 500V Power dissipation: 960W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH54N65X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH56N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 115ns On-state resistance: 27mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 56A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 320W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH60N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 60A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH60N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2-4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH69N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH6N120 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH6N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC Drain current: 6A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH70N20Q3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH70N30Q3 | IXYS | IXFH70N30Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH70N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 70A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 165ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH72N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH74N20P | IXYS |
![]() |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH76N15T2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH78N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH7N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH80N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH80N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH80N65X2-4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH86N30T | IXYS |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH88N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 85ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH90N65X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH94N30P3 | IXYS | IXFH94N30P3 THT N channel transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH94N30T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH96N15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH96N20P | IXYS |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH98N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFJ20N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFJ26N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: ISO247™ On-state resistance: 0.295Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 78A Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFJ80N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFH30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH30N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH30N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH30N85X THT N channel transistors
IXFH30N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH320N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 98ns
Gate charge: 430nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 98ns
Gate charge: 430nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH340N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH34N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH34N50P3 THT N channel transistors
IXFH34N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 784.51 грн |
3+ | 494.83 грн |
7+ | 468.23 грн |
IXFH34N60X2A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 612.67 грн |
3+ | 531.61 грн |
10+ | 492.93 грн |
IXFH34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 567.67 грн |
3+ | 443.83 грн |
8+ | 404.60 грн |
120+ | 388.45 грн |
IXFH34N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH36N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH36N50P THT N channel transistors
IXFH36N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH36N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 724.16 грн |
5+ | 693.36 грн |
10+ | 642.04 грн |
IXFH36N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH36N60X3 THT N channel transistors
IXFH36N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH400N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH40N50Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1363.42 грн |
3+ | 1242.73 грн |
IXFH40N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH40N85X THT N channel transistors
IXFH40N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH42N50P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH42N50P2 THT N channel transistors
IXFH42N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH42N60P3 |
Виробник: IXYS
IXFH42N60P3 THT N channel transistors
IXFH42N60P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH44N50P | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1088.28 грн |
2+ | 733.80 грн |
5+ | 667.68 грн |
30+ | 650.59 грн |
120+ | 642.04 грн |
IXFH44N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH46N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 592.21 грн |
6+ | 557.26 грн |
10+ | 515.72 грн |
IXFH46N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH48N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 163ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 163ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH50N30Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1019.76 грн |
2+ | 945.86 грн |
4+ | 860.49 грн |
10+ | 827.25 грн |
IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 883.72 грн |
2+ | 633.20 грн |
6+ | 576.51 грн |
30+ | 554.66 грн |
IXFH50N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 218ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X-Class
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 218ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X-Class
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH52N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 625.97 грн |
3+ | 426.08 грн |
8+ | 387.50 грн |
120+ | 377.06 грн |
IXFH52N50P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1004.41 грн |
2+ | 729.86 грн |
3+ | 701.88 грн |
5+ | 663.89 грн |
510+ | 638.24 грн |
IXFH54N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH54N65X3 THT N channel transistors
IXFH54N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH56N30X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 786.55 грн |
2+ | 625.31 грн |
6+ | 568.91 грн |
30+ | 547.06 грн |
IXFH60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 792.69 грн |
2+ | 634.19 грн |
5+ | 609.75 грн |
6+ | 576.51 грн |
30+ | 556.56 грн |
IXFH60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH60N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH60N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH60N65X2-4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH69N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
IXFH69N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH6N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 965.55 грн |
2+ | 740.71 грн |
5+ | 674.33 грн |
30+ | 665.79 грн |
IXFH6N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH70N20Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1187.50 грн |
2+ | 807.30 грн |
4+ | 763.61 грн |
IXFH70N30Q3 |
Виробник: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1268.89 грн |
3+ | 1199.55 грн |
IXFH70N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1033.05 грн |
2+ | 651.54 грн |
5+ | 615.45 грн |
IXFH74N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
IXFH74N20P THT N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 672.00 грн |
3+ | 418.85 грн |
8+ | 396.05 грн |
IXFH76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 586.08 грн |
4+ | 370.41 грн |
9+ | 350.46 грн |
IXFH78N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH78N60X3 THT N channel transistors
IXFH78N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
IXFH7N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1026.91 грн |
2+ | 624.00 грн |
5+ | 589.80 грн |
IXFH80N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1176.25 грн |
2+ | 987.28 грн |
4+ | 898.48 грн |
10+ | 864.29 грн |
IXFH80N65X2-4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1289.78 грн |
2+ | 1008.98 грн |
4+ | 918.42 грн |
30+ | 906.08 грн |
IXFH86N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
IXFH86N30T THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1005.44 грн |
2+ | 650.59 грн |
5+ | 614.50 грн |
IXFH88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1292.85 грн |
2+ | 968.76 грн |
4+ | 915.57 грн |
IXFH90N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 536.98 грн |
IXFH90N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH94N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFH94N30P3 THT N channel transistors
IXFH94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1104.65 грн |
2+ | 790.20 грн |
4+ | 746.52 грн |
1020+ | 745.64 грн |
IXFH94N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH94N30T THT N channel transistors
IXFH94N30T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH96N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 648.47 грн |
3+ | 409.35 грн |
8+ | 387.50 грн |
IXFH96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 860.19 грн |
3+ | 525.22 грн |
6+ | 495.78 грн |
IXFH98N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFJ20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1155.79 грн |
2+ | 726.57 грн |
5+ | 687.63 грн |
IXFJ26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFJ80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.