Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15964) > Сторінка 240 з 267

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 136A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYS PdfFile_145990.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS IXYH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 230A
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyt40n120a4hv_datasheet.pdf.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 275A
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A DSEI60-12A IXYS DSEI60-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 52A; Ifsm: 500A; TO247-2; tube; 189W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 189W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+621.73 грн
5+501.13 грн
10+455.42 грн
30+419.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50 IXFK48N50 IXYS IXFK48N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS IXTH(P,Q)32N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+538.77 грн
3+450.34 грн
10+397.86 грн
30+357.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2 IXTY2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340N IX4340N IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 801 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.93 грн
10+59.76 грн
50+49.61 грн
100+45.54 грн
300+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002NTR CPC1002NTR IXYS CPC1002N.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 5ms
Type of relay: solid state
Max. operating current: 700mA
Switched voltage: max. 60V DC
Mounting: SMT
Case: SOP4
Relay variant: current source
Manufacturer series: OptoMOS
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Contacts configuration: SPST-NO
On-state resistance: 0.55Ω
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS IXFK102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1180.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217 FDA217 IXYS FDA217.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; DIP8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.07 грн
10+203.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDF602PI IXDF602PI IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.46 грн
10+66.87 грн
25+61.80 грн
50+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI IXDN602PI IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.81 грн
10+65.18 грн
25+59.26 грн
50+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXDN604PI IXYS IXDD604PI.pdf IXD_604.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.39 грн
10+95.66 грн
50+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614PI IXDD614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -14...14A
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.65 грн
10+138.83 грн
25+128.67 грн
50+122.74 грн
100+118.51 грн
500+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609PI IXDN609PI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.63 грн
10+88.04 грн
50+78.73 грн
100+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDI614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.97 грн
10+137.13 грн
25+125.28 грн
50+119.36 грн
100+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI604PI IXDI604PI IXYS IXDD604PI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.19 грн
10+90.58 грн
50+81.27 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDF604PI IXDF604PI IXYS IXDD604PI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.45 грн
10+110.89 грн
50+96.50 грн
100+89.73 грн
250+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604PI IXDD604PI IXYS IXDD604PI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.19 грн
10+89.73 грн
50+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI602PI IXDI602PI IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+93.12 грн
25+79.57 грн
50+70.26 грн
100+63.49 грн
250+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614PI IXDN614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.81 грн
10+154.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 430ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2317N CPC2317N IXYS CPC2317N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.52 грн
10+209.93 грн
50+196.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR CPC1018NTR IXYS CPC1018N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.600VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.6A
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.8Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS IXFL44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Power dissipation: 357W
Gate charge: 305nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1007.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0045A DSS25-0045A IXYS DSS25-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.59V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Power dissipation: 135W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0025B DSS25-0025B IXYS DSS25-0025B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.44V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-16io1MCD312-16io1
MCD312-16io1MCD312-16io1
 MCD312-16io1 IXYS MCC312-12IO1.pdf LFPCN250210_Y1-screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 320A
Case: Y1-CU
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 9.6kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 520A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
Gate current: 150/220mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14927.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1 MDD312-22N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-14io1 MCD312-14io1 IXYS MCD312-14io1.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1 MDD312-18N1 IXYS MDD312-18N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1 MDD312-16N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-18io1 MCD312-18io1 IXYS MCD312-18IO1-DTE.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1 MDD312-12N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-12io1 MCD312-12io1 IXYS MCD312-12io1.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1 IXYS MDD312-14N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.4kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1 IXYS MDD312-20N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-14io1 IXYS MCD132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-08io1 IXYS MCD132-08io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-16io1 IXYS MCD132-16IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-12io1 IXYS MCD132-12io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-18io1 IXYS MCD132-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS IXTX210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2036.58 грн
10+1714.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS IXTR210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 390W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2503.33 грн
3+2056.18 грн
10+1847.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS IXTN210P10T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 830W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX9907N IX9907N IXYS IX9907.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX9908N IX9908N IXYS IX9908.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.87 грн
10+44.02 грн
25+38.94 грн
100+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS IXFB52N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 308nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS IXFH(V)12N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS IXFK(X)32N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN52N90P IXFN52N90P IXYS IXFN52N90P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 900V; 43A; SOT227B; screw; Idm: 104A
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 104A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 308nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90P IXFX32N90P IXYS IXFK(X)32N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1025N CPC1025N IXYS CPC1025N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1025NTR CPC1025NTR IXYS CPC1025N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340UE IX4340UE IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Case: MSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.16 грн
10+56.46 грн
25+49.10 грн
80+42.33 грн
240+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 136A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 PdfFile_145990.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1.pdf
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 230A
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyt40n120a4hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 275A
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A DSEI60-12A.pdf
DSEI60-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 52A; Ifsm: 500A; TO247-2; tube; 189W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 189W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+621.73 грн
5+501.13 грн
10+455.42 грн
30+419.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50 IXFK48N50.pdf
IXFK48N50
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH(P,Q)32N65X.pdf
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+538.77 грн
3+450.34 грн
10+397.86 грн
30+357.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTY2N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340N IX4340.pdf
IX4340N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 801 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.93 грн
10+59.76 грн
50+49.61 грн
100+45.54 грн
300+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002NTR CPC1002N.pdf
CPC1002NTR
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 5ms
Type of relay: solid state
Max. operating current: 700mA
Switched voltage: max. 60V DC
Mounting: SMT
Case: SOP4
Relay variant: current source
Manufacturer series: OptoMOS
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Contacts configuration: SPST-NO
On-state resistance: 0.55Ω
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P.pdf
IXFK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1180.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217 FDA217.pdf
FDA217
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; DIP8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.07 грн
10+203.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDF602PI IXD_602.pdf
IXDF602PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.46 грн
10+66.87 грн
25+61.80 грн
50+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI IXD_602.pdf
IXDN602PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.81 грн
10+65.18 грн
25+59.26 грн
50+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXDD604PI.pdf IXD_604.pdf
IXDN604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.39 грн
10+95.66 грн
50+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDD614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -14...14A
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.65 грн
10+138.83 грн
25+128.67 грн
50+122.74 грн
100+118.51 грн
500+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609PI IXDD609CI.pdf
IXDN609PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.63 грн
10+88.04 грн
50+78.73 грн
100+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDI614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+185.97 грн
10+137.13 грн
25+125.28 грн
50+119.36 грн
100+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI604PI IXDD604PI.pdf
IXDI604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.19 грн
10+90.58 грн
50+81.27 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDF604PI IXDD604PI.pdf
IXDF604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.45 грн
10+110.89 грн
50+96.50 грн
100+89.73 грн
250+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604PI IXDD604PI.pdf
IXDD604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.19 грн
10+89.73 грн
50+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI602PI IXD_602.pdf
IXDI602PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.53 грн
10+93.12 грн
25+79.57 грн
50+70.26 грн
100+63.49 грн
250+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDN614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.81 грн
10+154.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 430ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2317N CPC2317N.pdf
CPC2317N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.52 грн
10+209.93 грн
50+196.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR CPC1018N.pdf
CPC1018NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.600VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.6A
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.8Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P.pdf
IXFL44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Power dissipation: 357W
Gate charge: 305nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1007.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0045A DSS25-0045A.pdf
DSS25-0045A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.59V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Power dissipation: 135W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0025B DSS25-0025B.pdf
DSS25-0025B
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.44V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-16io1 MCC312-12IO1.pdf LFPCN250210_Y1-screw.pdf
MCD312-16io1MCD312-16io1
MCD312-16io1MCD312-16io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 320A
Case: Y1-CU
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 9.6kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 520A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
Gate current: 150/220mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14927.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-22N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-14io1 MCD312-14io1.pdf
MCD312-14io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1 MDD312-18N1.pdf
MDD312-18N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-16N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-18io1 MCD312-18IO1-DTE.pdf
MCD312-18io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-12N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.18kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-12io1 MCD312-12io1.pdf
MCD312-12io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 9.6kA
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.06V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 320A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1 MDD312-14N1.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.4kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1 MDD312-20N1.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward impulse current: 10.8kA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-14io1 MCD132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-08io1 MCD132-08io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-16io1 MCD132-16IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-12io1 MCD132-12io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-18io1 MCD132-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Max. load current: 300A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T.pdf
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2036.58 грн
10+1714.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T.pdf
IXTR210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 390W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2503.33 грн
3+2056.18 грн
10+1847.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T.pdf
IXTN210P10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 830W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX9907N IX9907.pdf
IX9907N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX9908N IX9908.pdf
IX9908N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Operating voltage: 650V DC
Mounting: SMD
Output current: 1.7A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.87 грн
10+44.02 грн
25+38.94 грн
100+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P.pdf
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 308nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH(V)12N90P_S.pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P IXFK(X)32N90P.pdf
IXFK32N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN52N90P IXFN52N90P.pdf
IXFN52N90P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 900V; 43A; SOT227B; screw; Idm: 104A
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 104A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 308nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90P IXFK(X)32N90P.pdf
IXFX32N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1025N CPC1025N.pdf
CPC1025N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1025NTR CPC1025N.pdf
CPC1025NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340UE IX4340.pdf
IX4340UE
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Case: MSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.16 грн
10+56.46 грн
25+49.10 грн
80+42.33 грн
240+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]