Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFQ120N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ140N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 90ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFQ170N15X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ22N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO3P On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ26N50P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ28N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO3P On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ34N50P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO3P On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ60N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ60N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFQ60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO3P On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFQ72N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO3P Reverse recovery time: 84ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 320W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 55nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFQ72N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFQ80N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 80A Power dissipation: 390W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFQ8N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFQ90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A On-state resistance: 12.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ94N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC Kind of channel: enhancement Case: TO3P Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR102N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 224nC Kind of channel: enhancement Case: ISOPLUS247™ Drain-source voltage: 300V Drain current: 60A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR140N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR16N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR180N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR18N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 200W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR200N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR20N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A On-state resistance: 570mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR230N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 156A Power dissipation: 600W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR24N100Q3 | IXYS | IXFR24N100Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFR24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 230W Gate charge: 130nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR26N100P | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFR26N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Power dissipation: 320W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166W Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR32N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR32N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 23A Power dissipation: 570W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR32N80P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR32N80Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR36N50P | IXYS | IXFR36N50P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR36N60P | IXYS | IXFR36N60P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR40N90P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR44N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR44N50Q | IXYS |
![]() |
на замовлення 262 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFR44N50Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR44N60 | IXYS | IXFR44N60 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Power dissipation: 360W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR48N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR48N60Q3 | IXYS | IXFR48N60Q3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N50Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N60Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR80N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR80N50Q3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFR80N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 540W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR90N30 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 75A Power dissipation: 417W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT100N30X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 100A Power dissipation: 480W Case: TO268 On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns Technology: HiPerFET™; X3-Class Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT120N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Power dissipation: 600W Case: TO268 On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IXFQ120N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ120N25X3 THT N channel transistors
IXFQ120N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ140N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 944.75 грн |
2+ | 731.23 грн |
5+ | 665.57 грн |
30+ | 651.22 грн |
IXFQ170N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ170N15X3 THT N channel transistors
IXFQ170N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 511.01 грн |
4+ | 285.04 грн |
11+ | 260.13 грн |
120+ | 259.23 грн |
270+ | 249.37 грн |
IXFQ22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ26N50P3 THT N channel transistors
IXFQ26N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ28N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ34N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ34N50P3 THT N channel transistors
IXFQ34N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 928.33 грн |
2+ | 587.78 грн |
6+ | 534.61 грн |
120+ | 514.88 грн |
IXFQ50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 652.05 грн |
3+ | 468.23 грн |
7+ | 442.22 грн |
IXFQ60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ60N50P3 THT N channel transistors
IXFQ60N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 799.85 грн |
3+ | 522.05 грн |
6+ | 493.35 грн |
510+ | 492.76 грн |
IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ72N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO3P
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO3P
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 817.24 грн |
3+ | 494.63 грн |
7+ | 450.29 грн |
IXFQ72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 943.78 грн |
2+ | 595.61 грн |
5+ | 563.32 грн |
IXFQ80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1082.89 грн |
2+ | 752.65 грн |
5+ | 685.31 грн |
IXFQ8N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ8N85X THT N channel transistors
IXFQ8N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 458.85 грн |
4+ | 289.73 грн |
10+ | 273.58 грн |
IXFQ90N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 819.17 грн |
2+ | 566.35 грн |
6+ | 515.78 грн |
IXFQ94N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 893.55 грн |
2+ | 731.23 грн |
5+ | 665.57 грн |
30+ | 657.50 грн |
270+ | 640.46 грн |
IXFR102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1147.61 грн |
3+ | 1047.01 грн |
30+ | 988.49 грн |
IXFR140N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR140N30P THT N channel transistors
IXFR140N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1401.67 грн |
3+ | 1278.02 грн |
120+ | 1186.73 грн |
270+ | 1184.04 грн |
IXFR16N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1574.58 грн |
3+ | 1435.44 грн |
IXFR180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR180N15P THT N channel transistors
IXFR180N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR18N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1266.43 грн |
2+ | 872.82 грн |
4+ | 794.74 грн |
IXFR200N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR200N10P THT N channel transistors
IXFR200N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2088.49 грн |
2+ | 1903.99 грн |
IXFR20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 963.10 грн |
2+ | 665.09 грн |
3+ | 639.56 грн |
5+ | 604.58 грн |
IXFR230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 156A
Power dissipation: 600W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 156A
Power dissipation: 600W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1718.51 грн |
2+ | 1566.78 грн |
IXFR24N100Q3 |
Виробник: IXYS
IXFR24N100Q3 THT N channel transistors
IXFR24N100Q3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1989.55 грн |
2+ | 1881.01 грн |
IXFR24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1156.30 грн |
2+ | 796.43 грн |
4+ | 725.67 грн |
30+ | 724.78 грн |
IXFR24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR26N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR26N100P THT N channel transistors
IXFR26N100P THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2498.14 грн |
2+ | 2361.80 грн |
IXFR26N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2890.27 грн |
IXFR30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1082.89 грн |
2+ | 754.52 грн |
3+ | 725.67 грн |
5+ | 686.20 грн |
IXFR32N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1677.94 грн |
2+ | 1530.45 грн |
IXFR32N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3003.29 грн |
IXFR32N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR32N80P THT N channel transistors
IXFR32N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR32N80Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR36N50P |
Виробник: IXYS
IXFR36N50P THT N channel transistors
IXFR36N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR36N60P |
Виробник: IXYS
IXFR36N60P THT N channel transistors
IXFR36N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR40N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR40N90P THT N channel transistors
IXFR40N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR44N50P THT N channel transistors
IXFR44N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N50Q |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR44N50Q THT N channel transistors
IXFR44N50Q THT N channel transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1652.27 грн |
2+ | 1562.57 грн |
IXFR44N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR44N50Q3 THT N channel transistors
IXFR44N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N60 |
Виробник: IXYS
IXFR44N60 THT N channel transistors
IXFR44N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR48N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR48N60Q3 |
Виробник: IXYS
IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N50P THT N channel transistors
IXFR64N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N50Q3 THT N channel transistors
IXFR64N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N60P THT N channel transistors
IXFR64N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR80N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR80N50P THT N channel transistors
IXFR80N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR80N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2377.05 грн |
2+ | 2247.88 грн |
IXFR80N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR90N30 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT100N30X3HV |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT120N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 914.80 грн |
2+ | 579.39 грн |
6+ | 527.44 грн |
270+ | 507.70 грн |