Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16356) > Сторінка 240 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+705.20 грн
10+604.79 грн
50+511.89 грн
100+480.01 грн
250+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS 238_K248734.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+703.12 грн
5+631.87 грн
10+563.08 грн
50+485.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 IXYS IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+532.54 грн
10+346.02 грн
50+326.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+553.34 грн
10+391.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3 IXFP36N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.44 грн
10+223.66 грн
50+191.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 IXFP38N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+372.36 грн
3+322.96 грн
10+275.26 грн
50+247.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+363.00 грн
10+307.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+303.71 грн
3+263.78 грн
10+224.07 грн
50+202.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+476.37 грн
6+199.93 грн
16+189.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3 IXFP50N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+485.73 грн
3+422.25 грн
10+359.29 грн
50+317.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3 IXYS IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+736.40 грн
3+485.81 грн
7+458.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+748.88 грн
3+510.92 грн
7+482.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+426.45 грн
10+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+686.48 грн
3+616.83 грн
10+525.41 грн
50+442.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 36W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+621.99 грн
3+531.57 грн
10+415.30 грн
50+414.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+754.09 грн
3+680.01 грн
10+575.63 грн
25+513.82 грн
50+496.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFP76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+441.01 грн
5+267.53 грн
12+253.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P IXFP7N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.19 грн
50+182.54 грн
100+157.43 грн
500+147.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+872.66 грн
3+512.85 грн
7+484.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.79 грн
3+194.58 грн
10+169.02 грн
50+166.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFP90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+444.13 грн
7+424.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+942.35 грн
3+805.39 грн
10+696.36 грн
30+691.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.57 грн
10+321.95 грн
30+282.99 грн
120+268.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+926.74 грн
10+739.19 грн
30+553.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+891.38 грн
3+508.02 грн
7+480.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.46 грн
4+314.86 грн
10+298.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+931.95 грн
2+642.27 грн
5+607.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ8N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFQ8N85X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+574.14 грн
4+311.96 грн
11+294.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXYS IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+928.83 грн
2+587.22 грн
6+555.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3 IXYS IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1010.99 грн
2+746.58 грн
5+706.02 грн
30+705.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1428.08 грн
3+1226.63 грн
10+1071.10 грн
30+1043.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS IXFR15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1593.46 грн
10+1323.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N120P IXFR16N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6AF3820&compId=IXFR16N120P.pdf?ci_sign=c5d52f7707a5974bc788f8cbdd3db53ecdbc4df9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+730.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR18N90P IXFR18N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1148.29 грн
3+994.95 грн
10+842.20 грн
30+759.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P IXFR20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2654.38 грн
3+2294.80 грн
10+1954.83 грн
30+1761.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B63DCDB6-3E62-405C-8F21-37A96C622526&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR20N80P-Datasheet.PDF IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+873.70 грн
2+636.48 грн
5+601.71 грн
30+600.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR230N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1718.20 грн
2+1624.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2984.10 грн
3+2594.68 грн
10+2201.11 грн
30+1979.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1048.44 грн
3+906.69 грн
10+771.69 грн
30+693.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3752.74 грн
3+3256.65 грн
10+2770.95 грн
30+2489.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n120p_datasheet.pdf.pdf IXFR26N120P THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2889.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+981.87 грн
3+858.54 грн
10+730.16 грн
30+655.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4019.01 грн
3+3490.34 грн
10+2967.01 грн
30+2665.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50Q IXFR44N50Q IXYS IXFR44N50Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1775.48 грн
3+1597.73 грн
10+1433.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2579.71 грн
2+2438.70 грн
30+2435.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15P IXFT120N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+912.18 грн
10+725.15 грн
30+548.59 грн
270+546.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268HV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1077.56 грн
30+782.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Reverse recovery time: 145ns
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1345.91 грн
30+1061.14 грн
120+1017.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+300.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXYS IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1547.25 грн
3+1462.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1081.72 грн
3+986.92 грн
10+888.56 грн
30+887.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+873.70 грн
30+719.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1107.73 грн
3+961.85 грн
10+816.12 грн
30+733.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+857.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15P IXYS IXFX180N15P THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.65 грн
7+466.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P IXFX20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2278.90 грн
3+1923.70 грн
10+1691.16 грн
30+1645.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 IXYS IXFK(X)220N17T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1079.64 грн
3+926.74 грн
10+827.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T IXYS DS100133BIXFKFX230N20T.pdf IXFX230N20T THT N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1518.27 грн
3+1435.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1994.95 грн
3+1730.12 грн
10+1554.98 грн
30+1524.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFP26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.20 грн
10+604.79 грн
50+511.89 грн
100+480.01 грн
250+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 238_K248734.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+703.12 грн
5+631.87 грн
10+563.08 грн
50+485.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFA(P,Y)30N25X3.pdf
IXFP30N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.54 грн
10+346.02 грн
50+326.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.34 грн
10+391.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFP36N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.44 грн
10+223.66 грн
50+191.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.36 грн
3+322.96 грн
10+275.26 грн
50+247.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.00 грн
10+307.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c
IXFP4N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.71 грн
3+263.78 грн
10+224.07 грн
50+202.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.37 грн
6+199.93 грн
16+189.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d
IXFP50N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.73 грн
3+422.25 грн
10+359.29 грн
50+317.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.40 грн
3+485.81 грн
7+458.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.88 грн
3+510.92 грн
7+482.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.45 грн
10+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.48 грн
3+616.83 грн
10+525.41 грн
50+442.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 36W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.99 грн
3+531.57 грн
10+415.30 грн
50+414.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34
IXFP6N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.09 грн
3+680.01 грн
10+575.63 грн
25+513.82 грн
50+496.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.01 грн
5+267.53 грн
12+253.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181
IXFP7N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.19 грн
50+182.54 грн
100+157.43 грн
500+147.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.66 грн
3+512.85 грн
7+484.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.79 грн
3+194.58 грн
10+169.02 грн
50+166.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Виробник: IXYS
IXFP90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.13 грн
7+424.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFQ140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+942.35 грн
3+805.39 грн
10+696.36 грн
30+691.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.57 грн
10+321.95 грн
30+282.99 грн
120+268.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+926.74 грн
10+739.19 грн
30+553.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+891.38 грн
3+508.02 грн
7+480.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.46 грн
4+314.86 грн
10+298.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.95 грн
2+642.27 грн
5+607.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ8N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ8N85X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.14 грн
4+311.96 грн
11+294.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3
Виробник: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+928.83 грн
2+587.22 грн
6+555.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3
Виробник: IXYS
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.99 грн
2+746.58 грн
5+706.02 грн
30+705.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664
IXFR102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1428.08 грн
3+1226.63 грн
10+1071.10 грн
30+1043.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3.pdf
IXFR15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1593.46 грн
10+1323.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6AF3820&compId=IXFR16N120P.pdf?ci_sign=c5d52f7707a5974bc788f8cbdd3db53ecdbc4df9
IXFR16N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+730.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR18N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0
IXFR18N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1148.29 грн
3+994.95 грн
10+842.20 грн
30+759.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0
IXFR20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2654.38 грн
3+2294.80 грн
10+1954.83 грн
30+1761.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=B63DCDB6-3E62-405C-8F21-37A96C622526&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR20N80P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.70 грн
2+636.48 грн
5+601.71 грн
30+600.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR230N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1718.20 грн
2+1624.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d
IXFR24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2984.10 грн
3+2594.68 грн
10+2201.11 грн
30+1979.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1048.44 грн
3+906.69 грн
10+771.69 грн
30+693.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4
IXFR26N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3752.74 грн
3+3256.65 грн
10+2770.95 грн
30+2489.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFR26N120P THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2889.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.87 грн
3+858.54 грн
10+730.16 грн
30+655.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588
IXFR32N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4019.01 грн
3+3490.34 грн
10+2967.01 грн
30+2665.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50Q IXFR44N50Q.pdf
IXFR44N50Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1775.48 грн
3+1597.73 грн
10+1433.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2579.71 грн
2+2438.70 грн
30+2435.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052
IXFT120N15P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.18 грн
10+725.15 грн
30+548.59 грн
270+546.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa
IXFT120N25X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268HV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1077.56 грн
30+782.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFT120N30X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Reverse recovery time: 145ns
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.91 грн
30+1061.14 грн
120+1017.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV
Виробник: IXYS
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1547.25 грн
3+1462.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFT24N90P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1081.72 грн
3+986.92 грн
10+888.56 грн
30+887.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.70 грн
30+719.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1107.73 грн
3+961.85 грн
10+816.12 грн
30+733.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15P
Виробник: IXYS
IXFX180N15P THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.65 грн
7+466.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFX20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2278.90 грн
3+1923.70 грн
10+1691.16 грн
30+1645.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFK(X)220N17T2.pdf
IXFX220N17T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1079.64 грн
3+926.74 грн
10+827.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T DS100133BIXFKFX230N20T.pdf
Виробник: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1518.27 грн
3+1435.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1994.95 грн
3+1730.12 грн
10+1554.98 грн
30+1524.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]