Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MCMA700P1600NCA | IXYS |
Description: SCR MODULE 1.6KV 1100A COMPACK Packaging: Box Package / Case: ComPack Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Structure: Series Connection - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 1100 A Voltage - Off State: 1.6 kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MCMA700PD1600CB | IXYS |
Description: SCR MODULE 1.6KV 1200A COMPACK Packaging: Box Package / Case: ComPack Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Structure: Series Connection - SCR/Diode Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 1200 A Voltage - Off State: 1.6 kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MCMA700P1800CA | IXYS |
Description: SCR MODULE 1.8KV 1100A COMPACK Packaging: Box Package / Case: ComPack Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Structure: Series Connection - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 1100 A Voltage - Off State: 1.8 kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXSA80N120L2-7TR | IXYS |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXSA80N120L2-7TR | IXYS |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
W108CED180 | IXYS |
Description: DIODE STANDARD 1800V 10815A W112 Packaging: Box Package / Case: DO-200AE Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10815A Supplier Device Package: W112 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
W108CED220 | IXYS |
Description: DIODE STANDARD 2200V 10815A W112 Packaging: Box Package / Case: DO-200AE Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10815A Supplier Device Package: W112 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFP34N65X2W | IXYS |
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFH34N65X2W | IXYS |
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247 (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DPG60IM300PC-TUB | IXYS |
Description: DIODE STANDARD 300V 60A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 150V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFP460 | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
N3565HA160 | IXYS |
Description: SCR 1.6KV 7050A W79 Packaging: Box Package / Case: TO-200AF Mounting Type: Chassis Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 1 A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 3565 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.2 V Current - Off State (Max): 150 mA Supplier Device Package: W79 Current - On State (It (RMS)) (Max): 7050 A Voltage - Off State: 1.6 kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N3565HA180 | IXYS |
Description: SCR 1.8KV 7050A W79 Packaging: Box Package / Case: TO-200AF Mounting Type: Chassis Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 1 A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 3565 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.2 V Current - Off State (Max): 150 mA Supplier Device Package: W79 Current - On State (It (RMS)) (Max): 7050 A Voltage - Off State: 1.8 kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXSA40N120L2-7TR | IXYS |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXSA40N120L2-7TR | IXYS |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DSA15IM45UC-TUB | IXYS |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 227pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 45 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DSA15IM45UC-TRL | IXYS |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 227pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 45 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXFM1633 | IXYS |
Description: POWER MOSFET TO-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFM1766 | IXYS |
Description: POWER MOSFET TO-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFM35N30 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE Packaging: Tube Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-204AE Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXFT30N85XHV | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 850V 30A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXFT6N100F | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-268 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFP264 | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
N0910LC200 | IXYS |
Description: SCR 2KV 1788A W10 Packaging: Box Package / Case: TO-200AB, B-PuK Mounting Type: Chassis Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 1 A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10.1A @ 50Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 910 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.07 V Current - Off State (Max): 60 mA Supplier Device Package: W10 Current - On State (It (RMS)) (Max): 1788 A Voltage - Off State: 2 kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GUO40-12NO1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FBE22-06N1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO190-08NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUB72-16NOXT | IXYS |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO160-08NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GBO25-12NO1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO190-12NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUE75-06NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VBE100-06NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
VUO86-16NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FUO50-16N | IXYS |
![]() |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VBE60-06A | IXYS |
![]() |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO35-12NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VUO121-16NO1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO34-18NO1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUB72-12NOXT | IXYS |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO110-16NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FBS16-06SC | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
VUE130-12NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VBO125-12NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
VUM33-06PH | IXYS |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO28-12NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 315-324 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MCMA120UJ1800ED | IXYS |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VBO20-12NO2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
VUO105-12NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VBO22-16NO8 | IXYS |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VBO105-16NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MCMA260PD1600YB | IXYS |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 280-289 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO120-12NO2T | IXYS |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
VUO55-16NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VBO13-12AO2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
VUO36-16NO8 | IXYS |
![]() |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUI72-16NOXT | IXYS |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO52-16NO1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 71 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VBE55-06NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VUO68-16NO7 | IXYS |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
MCMA700P1600NCA |
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.6KV 1100A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1100 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
Description: SCR MODULE 1.6KV 1100A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1100 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCMA700PD1600CB |
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.6KV 1200A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1200 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
Description: SCR MODULE 1.6KV 1200A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1200 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCMA700P1800CA |
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.8KV 1100A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1100 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
Description: SCR MODULE 1.8KV 1100A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 19000A, 20500A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 700 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1100 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXSA80N120L2-7TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 424.24 грн |
IXSA80N120L2-7TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 868.62 грн |
10+ | 581.93 грн |
100+ | 438.24 грн |
W108CED180 |
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1800V 10815A W112
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10815A
Supplier Device Package: W112
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Description: DIODE STANDARD 1800V 10815A W112
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10815A
Supplier Device Package: W112
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W108CED220 |
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 2200V 10815A W112
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10815A
Supplier Device Package: W112
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Description: DIODE STANDARD 2200V 10815A W112
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10815A
Supplier Device Package: W112
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP34N65X2W |
Виробник: IXYS
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH34N65X2W |
Виробник: IXYS
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DPG60IM300PC-TUB |
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 300V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 150V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
Description: DIODE STANDARD 300V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 150V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP460 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N3565HA160 |
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.6KV 7050A W79
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 3565 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.2 V
Current - Off State (Max): 150 mA
Supplier Device Package: W79
Current - On State (It (RMS)) (Max): 7050 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
Description: SCR 1.6KV 7050A W79
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 3565 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.2 V
Current - Off State (Max): 150 mA
Supplier Device Package: W79
Current - On State (It (RMS)) (Max): 7050 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N3565HA180 |
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.8KV 7050A W79
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 3565 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.2 V
Current - Off State (Max): 150 mA
Supplier Device Package: W79
Current - On State (It (RMS)) (Max): 7050 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
Description: SCR 1.8KV 7050A W79
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 3565 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.2 V
Current - Off State (Max): 150 mA
Supplier Device Package: W79
Current - On State (It (RMS)) (Max): 7050 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXSA40N120L2-7TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 243.99 грн |
IXSA40N120L2-7TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 563.56 грн |
10+ | 369.64 грн |
100+ | 271.72 грн |
DSA15IM45UC-TUB |
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 227pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 227pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DSA15IM45UC-TRL |
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 227pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 227pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFM35N30 |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-204AE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-204AE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT30N85XHV |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT6N100F |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP264 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N0910LC200 |
Виробник: IXYS
Description: SCR 2KV 1788A W10
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AB, B-PuK
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10.1A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 910 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.07 V
Current - Off State (Max): 60 mA
Supplier Device Package: W10
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1788 A
Voltage - Off State: 2 kV
Description: SCR 2KV 1788A W10
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AB, B-PuK
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10.1A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 910 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.07 V
Current - Off State (Max): 60 mA
Supplier Device Package: W10
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1788 A
Voltage - Off State: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GUO40-12NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1198.03 грн |
10+ | 1130.58 грн |
FBE22-06N1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1097.57 грн |
10+ | 1064.56 грн |
25+ | 751.33 грн |
VUO190-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5836.12 грн |
10+ | 5402.85 грн |
25+ | 4565.37 грн |
50+ | 4530.21 грн |
100+ | 4363.01 грн |
VUB72-16NOXT |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3985.07 грн |
10+ | 3535.33 грн |
24+ | 2833.08 грн |
48+ | 2765.63 грн |
120+ | 2456.34 грн |
VUO160-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4654.83 грн |
10+ | 4182.32 грн |
25+ | 3585.13 грн |
100+ | 3521.26 грн |
250+ | 3308.85 грн |
GBO25-12NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 913.39 грн |
10+ | 626.36 грн |
25+ | 534.61 грн |
48+ | 514.52 грн |
VUO190-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6126.63 грн |
10+ | 5778.33 грн |
25+ | 4893.31 грн |
50+ | 4726.83 грн |
100+ | 4294.84 грн |
250+ | 4277.61 грн |
VUE75-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1525.38 грн |
10+ | 1362.47 грн |
25+ | 1049.85 грн |
50+ | 1000.33 грн |
100+ | 950.82 грн |
250+ | 923.55 грн |
500+ | 886.24 грн |
VBE100-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO86-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1515.33 грн |
10+ | 1405.38 грн |
25+ | 1054.87 грн |
50+ | 1051.28 грн |
100+ | 1034.06 грн |
250+ | 939.34 грн |
500+ | 895.56 грн |
FUO50-16N |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1745.56 грн |
10+ | 1586.11 грн |
25+ | 1317.51 грн |
100+ | 1177.58 грн |
500+ | 1059.90 грн |
1000+ | 1023.30 грн |
VBE60-06A |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2337.46 грн |
10+ | 2143.15 грн |
VUO35-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO121-16NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5146.27 грн |
12+ | 4858.19 грн |
30+ | 4052.29 грн |
54+ | 3991.29 грн |
102+ | 3932.45 грн |
252+ | 3844.18 грн |
VUO34-18NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2333.28 грн |
10+ | 2023.49 грн |
24+ | 1674.16 грн |
VUB72-12NOXT |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3563.96 грн |
10+ | 3277.85 грн |
24+ | 2564.70 грн |
48+ | 2516.62 грн |
VUO110-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FBS16-06SC |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
VUE130-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3224.89 грн |
10+ | 2637.47 грн |
25+ | 2236.76 грн |
50+ | 1999.23 грн |
VBO125-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUM33-06PH |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5165.52 грн |
10+ | 3933.92 грн |
20+ | 3414.34 грн |
VUO28-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1340.36 грн |
25+ | 1041.45 грн |
50+ | 887.67 грн |
100+ | 851.79 грн |
MCMA120UJ1800ED |
![]() |
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor Module
SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6052.96 грн |
12+ | 5844.35 грн |
VBO20-12NO2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO105-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VBO22-16NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1086.69 грн |
10+ | 878.88 грн |
25+ | 711.86 грн |
50+ | 580.54 грн |
VBO105-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MCMA260PD1600YB |
![]() |
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor/Diode Module
SCR Modules Thyristor/Diode Module
на замовлення 55 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7651.17 грн |
12+ | 7152.36 грн |
30+ | 6049.37 грн |
VUO120-12NO2T |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO55-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3519.59 грн |
10+ | 3236.59 грн |
30+ | 2755.58 грн |
100+ | 2629.29 грн |
VBO13-12AO2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
VUO36-16NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 36 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 36 Amps 1600V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1190.50 грн |
10+ | 1010.09 грн |
25+ | 851.79 грн |
50+ | 753.48 грн |
100+ | 738.41 грн |
VUI72-16NOXT |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3471.87 грн |
24+ | 2787.66 грн |
VUO52-16NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 52 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 52 Amps 1600V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2470.58 грн |
24+ | 1926.94 грн |
VBE55-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 68 Amps 600V
Bridge Rectifiers 68 Amps 600V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1628.35 грн |
10+ | 1475.53 грн |
VUO68-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 68 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 68 Amps 1600V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1515.33 грн |
10+ | 1387.23 грн |
25+ | 853.23 грн |
50+ | 836.72 грн |
100+ | 815.19 грн |
250+ | 798.69 грн |
500+ | 795.82 грн |