Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 247 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.39 грн
4+322.92 грн
9+304.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb30n100l_datasheet.pdf.pdf IXTB30N100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTB62N50L THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4000.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450 IXYS IXTF02N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450 IXYS IXTF1R4N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10T IXYS DS99747B(IXTF200N10T).pdf IXTF200N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3 IXYS DS100712(IXTF2N300P3).pdf IXTF2N300P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3 IXYS DS100716(IXTF6N200P3).pdf IXTF6N200P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250 IXYS IXTx02N250%28S%29.pdf IXTH02N250 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTH02N450HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HV IXTH04N300P3HV IXYS IXTH04N300P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247HV
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 190Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH06N220P3HV IXYS IXTH06N220P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28 IXTH10N100D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P IXTH10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+645.29 грн
3+477.86 грн
7+435.04 грн
270+418.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf IXTH110N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf IXTH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+828.83 грн
3+505.91 грн
6+478.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+944.75 грн
2+720.98 грн
5+655.71 грн
10+644.94 грн
30+630.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb IXTH120P065T THT P channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+655.91 грн
3+402.75 грн
8+380.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS IXTH12N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf IXTH12N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS IXTH12N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Power dissipation: 180W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf IXTH130N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05T IXTH140P05T IXYS IXT_140P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+745.75 грн
2+572.87 грн
6+521.16 грн
30+513.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS IXT_140P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1149.54 грн
3+1047.94 грн
510+970.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+797.92 грн
2+566.35 грн
6+514.88 грн
270+495.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2 IXTH16N10D2 IXYS IXTH(T)16N10D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+552.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n20-datasheet?assetguid=8811eaa4-1b0a-444e-95c9-7c8f15f90994 IXTH16N20D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2 IXTH16N50D2 IXYS IXTH(T)16N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N170DHV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HV IXTH1N200P3HV IXYS IXTA(H)1N200P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS IXTH(T)1N450HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.75µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3062.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+795.02 грн
3+531.89 грн
6+483.48 грн
1020+465.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+834.62 грн
3+539.34 грн
6+491.56 грн
1020+472.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P IXTH20P50P IXYS IXT_20P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 406ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+781.49 грн
2+653.91 грн
5+594.71 грн
60+587.54 грн
510+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH22N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 IXTH22N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 IXYS IXTH240N15X4_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1075.16 грн
2+829.04 грн
4+754.38 грн
30+746.30 грн
60+725.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50L IXTH24N50L IXYS IXTH24N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20 IXYS IXTH24P20 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2 IXYS IXTH260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS IXTH(Q,T,V)26N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTH270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.21 грн
4+265.51 грн
11+250.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N150L IXTH2N150L IXYS IXTH2N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1.86µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N170D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f IXTH2N170D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2R4N120P IXYS DS99873B(IXTA-H-P2R4N120P).pdf IXTH2R4N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH300N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 IXYS IXTH(Q,T)30N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50P IXTH30N50P IXYS IXTH(Q,T,V)30N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+884.86 грн
2+612.00 грн
3+588.43 грн
5+557.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.39 грн
4+322.92 грн
9+304.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb30n100l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTB30N100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4000.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450
Виробник: IXYS
IXTF02N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450
Виробник: IXYS
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10T DS99747B(IXTF200N10T).pdf
Виробник: IXYS
IXTF200N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3 DS100712(IXTF2N300P3).pdf
Виробник: IXYS
IXTF2N300P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3 DS100716(IXTF6N200P3).pdf
Виробник: IXYS
IXTF6N200P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250 IXTx02N250%28S%29.pdf
Виробник: IXYS
IXTH02N250 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH02N450HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HV IXTH04N300P3HV.pdf
IXTH04N300P3HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247HV
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 190Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH06N220P3HV
Виробник: IXYS
IXTH06N220P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28
Виробник: IXYS
IXTH10N100D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P IXT_10P50P.pdf
IXTH10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.29 грн
3+477.86 грн
7+435.04 грн
270+418.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXT_10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH110N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.83 грн
3+505.91 грн
6+478.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 DS94535L(IXTH-T11P50).pdf
IXTH11P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.75 грн
2+720.98 грн
5+655.71 грн
10+644.94 грн
30+630.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
Виробник: IXYS
IXTH120P065T THT P channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.91 грн
3+402.75 грн
8+380.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH12N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTH12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2.pdf
IXTH12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Power dissipation: 180W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH130N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140N075L2
Виробник: IXYS
IXTH140N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05T IXT_140P05T.pdf
IXTH140P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.75 грн
2+572.87 грн
6+521.16 грн
30+513.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXT_140P10T.pdf
IXTH140P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1149.54 грн
3+1047.94 грн
510+970.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.92 грн
2+566.35 грн
6+514.88 грн
270+495.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2 IXTH(T)16N10D2.pdf
IXTH16N10D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n20-datasheet?assetguid=8811eaa4-1b0a-444e-95c9-7c8f15f90994
Виробник: IXYS
IXTH16N20D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2 IXTH(T)16N50D2.pdf
IXTH16N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTH16P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH1N170DHV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH1N200P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HV IXTA(H)1N200P3HV.pdf
IXTH1N200P3HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH(T)1N450HV.pdf
IXTH1N450HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.75µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3062.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTH200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.02 грн
3+531.89 грн
6+483.48 грн
1020+465.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+834.62 грн
3+539.34 грн
6+491.56 грн
1020+472.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTH20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P IXT_20P50P.pdf
IXTH20P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 406ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.49 грн
2+653.91 грн
5+594.71 грн
60+587.54 грн
510+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH22N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4
Виробник: IXYS
IXTH22N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4_HV.pdf
IXTH240N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1075.16 грн
2+829.04 грн
4+754.38 грн
30+746.30 грн
60+725.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50L IXTH24N50L.pdf
IXTH24N50L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTH24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20
Виробник: IXYS
IXTH24P20 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2.pdf
IXTH260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH(Q,T,V)26N60P_S.pdf
IXTH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTH26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.21 грн
4+265.51 грн
11+250.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N150L IXTH2N150L.pdf
IXTH2N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1.86µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N170D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f
Виробник: IXYS
IXTH2N170D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2R4N120P DS99873B(IXTA-H-P2R4N120P).pdf
Виробник: IXYS
IXTH2R4N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH300N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH(Q,T)30N50L2.pdf
IXTH30N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50P IXTH(Q,T,V)30N50P_S.pdf
IXTH30N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+884.86 грн
2+612.00 грн
3+588.43 грн
5+557.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]