Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18217) > Сторінка 247 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX250N10P IXFX250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100P IXFX26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P IXFX26N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28579882FBC9820&compId=IXFK(X)26N120P.pdf?ci_sign=b487e0c929a7e7b9a742cefa0bc697ee9564f6a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1766.58 грн
2+1610.55 грн
30+1537.58 грн
120+1490.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3 IXFX300N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2456.60 грн
2+2239.35 грн
10+2085.01 грн
30+2073.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2 IXYS IXFX320N17T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100P IXYS IXFX32N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3 IXYS IXFX32N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXYS IXFX32N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90P IXFX32N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1101.17 грн
2+858.17 грн
4+781.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2 IXYS IXFX360N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e IXFX400N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90P IXYS IXFX40N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A IXFX420N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60 IXYS 98611.pdf IXFX44N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60P IXFX48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60Q3 IXFX48N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D50AFCE6D67820&compId=IXFK(X)48N60Q3.pdf?ci_sign=88d6698196cd71ddff7d54284cef316093b06013 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFX520N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50 IXFX55N50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C IXFX64N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3 IXYS IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXYS 99442.pdf IXFX64N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXYS DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf IXFX64N60P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X IXYS IXFX66N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX74N50P2 IXYS IXFX74N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50P IXYS IXFX80N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 IXYS IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFX90N60X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2 IXYS IXFX94N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1523.59 грн
2+1142.91 грн
3+1040.60 грн
120+999.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+503.42 грн
4+366.54 грн
9+346.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 IXYS IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+428.57 грн
5+241.82 грн
13+229.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFY4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.73 грн
6+192.32 грн
16+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ140N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz140n25t_datasheet.pdf.pdf IXFZ140N25T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ520N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz520n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFZ520N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA IXYS IXG70IF1200NA IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+746.41 грн
3+417.22 грн
8+379.87 грн
100+365.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3 IXGA24N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO263
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA42N30C3 IXYS DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.85 грн
3+381.63 грн
4+303.71 грн
11+286.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf IXGF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3460.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf IXGF32N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170 IXGH10N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAED5175596B820&compId=IXGH(t)10N170.pdf?ci_sign=3b7d3b6c182f8b0f27b026b278621c2bcff2c55b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170A IXGH10N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3 IXGH120N30B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE9057987A0B820&compId=IXGH120N30B3.pdf?ci_sign=5d584af9080f9df46127c6c1317b6168218acf27 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30C3 IXGH120N30C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE90C387DF7F820&compId=IXGH120N30C3.pdf?ci_sign=65f99932f05996cb78f8e73991c500d0b7beb82f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3 IXGH12N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFX250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7
IXFX26N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28579882FBC9820&compId=IXFK(X)26N120P.pdf?ci_sign=b487e0c929a7e7b9a742cefa0bc697ee9564f6a4
IXFX26N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1766.58 грн
2+1610.55 грн
30+1537.58 грн
120+1490.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFX300N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2456.60 грн
2+2239.35 грн
10+2085.01 грн
30+2073.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2
Виробник: IXYS
IXFX320N17T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100P
Виробник: IXYS
IXFX32N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3
Виробник: IXYS
IXFX32N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P
Виробник: IXYS
IXFX32N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3
Виробник: IXYS
IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5
IXFX32N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0
IXFX34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e
IXFX360N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1101.17 грн
2+858.17 грн
4+781.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2
Виробник: IXYS
IXFX360N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e
Виробник: IXYS
IXFX400N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90P
Виробник: IXYS
IXFX40N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A
Виробник: IXYS
IXFX420N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60 98611.pdf
Виробник: IXYS
IXFX44N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFX44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFX48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D50AFCE6D67820&compId=IXFK(X)48N60Q3.pdf?ci_sign=88d6698196cd71ddff7d54284cef316093b06013
IXFX48N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Виробник: IXYS
IXFX520N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0
IXFX55N50
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C
Виробник: IXYS
IXFX64N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3
Виробник: IXYS
IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P 99442.pdf
Виробник: IXYS
IXFX64N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf
Виробник: IXYS
IXFX64N60P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X
Виробник: IXYS
IXFX66N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX74N50P2
Виробник: IXYS
IXFX74N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFX78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50P
Виробник: IXYS
IXFX80N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3
Виробник: IXYS
IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFX80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFX90N60X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2
Виробник: IXYS
IXFX94N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1523.59 грн
2+1142.91 грн
3+1040.60 грн
120+999.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.42 грн
4+366.54 грн
9+346.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3
Виробник: IXYS
IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.57 грн
5+241.82 грн
13+229.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.73 грн
6+192.32 грн
16+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ140N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz140n25t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFZ140N25T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ520N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz520n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFZ520N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA
Виробник: IXYS
IXG70IF1200NA IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGA20N120A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+746.41 грн
3+417.22 грн
8+379.87 грн
100+365.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGA20N120B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777
IXGA24N120C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO263
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Виробник: IXYS
IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA42N30C3 DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf
Виробник: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.85 грн
3+381.63 грн
4+303.71 грн
11+286.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3460.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAED5175596B820&compId=IXGH(t)10N170.pdf?ci_sign=3b7d3b6c182f8b0f27b026b278621c2bcff2c55b
IXGH10N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252
IXGH10N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE9057987A0B820&compId=IXGH120N30B3.pdf?ci_sign=5d584af9080f9df46127c6c1317b6168218acf27
IXGH120N30B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE90C387DF7F820&compId=IXGH120N30C3.pdf?ci_sign=65f99932f05996cb78f8e73991c500d0b7beb82f
IXGH120N30C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180
IXGH12N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]