Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18217) > Сторінка 48 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 60 90 120 150 180 210 240 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSA60C45PB DSA60C45PB IXYS DSA60C45PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.39 грн
10+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSA60C60HB DSA60C60HB IXYS DSA60C60HB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.56 грн
10+284.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA60C60PB DSA60C60PB IXYS DSA60C60PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.69 грн
10+199.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C100HB DSA70C100HB IXYS DSA70C100HB.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C150HB DSA70C150HB IXYS Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA70C150HB-Datasheet?assetguid=29fb5ab2-4f90-4727-979d-0709947157cf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 680 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA80C100PB DSA80C100PB IXYS DSA80C100PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA80C45HB DSA80C45HB IXYS DSA80C45HB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA90C200HB DSA90C200HB IXYS DSA90C200HB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB10I45PM IXYS DSB10I45PM.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.29 грн
10+103.62 грн
100+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB IXYS Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSB15IM45IB-Datasheet?assetguid=6e8a52b9-e4a2-4071-aa3a-6a68050cca5e Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB1I40SA IXYS DSB1I40SA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB1I60SA IXYS DSB1I60SA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB20C60PN DSB20C60PN IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=383c8e92-2c80-4841-9e3f-01efe0a145b3&filename=Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSB20C60PN-Datasheet Description: DIODE ARR SCHOTT 60V TO-220ABFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220ABFP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB20I15PA DSB20I15PA IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8d917703-6136-4329-913a-6c6b313d11ec&filename=Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSB20I15PA-Datasheet Description: DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB2I40SB IXYS DSB2I40SB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB2I60SB IXYS DSB2I60SB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C30PB DSB30C30PB IXYS DSB30C30PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C45HB DSB30C45HB IXYS DSB30C45HB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C45PB DSB30C45PB IXYS DSB30C45PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.37 грн
10+148.36 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C60PB DSB30C60PB IXYS DSB30C60PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB40C15PB DSB40C15PB IXYS DSB40C15PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB IXYS DSB60C30HB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=efb6a939-323a-4a28-b963-924353313872&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSB60C45HB-Datasheet Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB IXYS DSB60C45PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60HB DSB60C60HB IXYS DSB60C60HB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB80C45HB DSB80C45HB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=a0914040-ac8c-4d31-b3de-3dfdfb832689&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsb80c45hb-datasheet Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE15-12CC DSEE15-12CC IXYS DSEE15-12CC.pdf Description: DIODE ARRAY 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.04 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.92 грн
10+651.45 грн
100+539.35 грн
500+440.75 грн
1000+414.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-06CC DSEE29-06CC IXYS DSEE29-06CC.pdf Description: DIODE ARR GP 600V 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-12CC DSEE29-12CC IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=24507e8a-7c41-4bc2-92b1-51550d9eec5c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEE29-12CC-Datasheet Description: DIODE ARR GP 600V 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP12-12B DSEP12-12B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c54a639a-8b83-405f-bf60-84abd19a0cc7&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP12-12B-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.25 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.74 грн
50+109.61 грн
100+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP40-03AS-TRL DSEP40-03AS-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d5c9c212-3e77-4435-b031-6ff61a740ca1&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP40-03AS-Datasheet Description: DIODE STANDARD 300V 40A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 150V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.44 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.35 грн
1600+144.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP6-06BS-TRL DSEP6-06BS-TRL IXYS DSEP6-06BS.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-08AC DSI30-08AC IXYS DSI30-12AC.pdf Description: DIODE GP 800V 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12AC DSI30-12AC IXYS DSI30-12AC.pdf Description: DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2X101-02A DSS2X101-02A IXYS DSS2x101-02A.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS40-0008D DSS40-0008D IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=1f6ff341-568e-45b4-8734-70f966bc2606&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSS40-0008D-Datasheet Description: DIODE SCHOTTKY 8V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 mA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK60-02A DSSK60-02A IXYS Description: DIODE ARR SCHOT 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.77 грн
30+351.63 грн
120+336.47 грн
510+285.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK60-02AR DSSK60-02AR IXYS Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V 30A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK70-008AR DSSK70-008AR IXYS L643.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V 35A
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK80-006BR DSSK80-006BR IXYS Description: DIODE ARR SCHOT 60V ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSS30-01AR DSSS30-01AR IXYS DSSS30-01AR.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V 30A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9ac3834c-69cf-4d48-b407-c9cf2df493f9&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-GUO40-12NO1-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GUFP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1188.06 грн
14+901.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-16NO1 GUO40-16NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-GUO40-16NO1-Datasheet?assetguid=bbe86a4a-7368-46b4-9a14-832c507bc9ae Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 40A GUFP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GUFP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.26 грн
14+1090.73 грн
112+920.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDR502D1B IXYS DS99909.pdf Description: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDS502D1B IXYS DS99909.pdf Description: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110P IXFB40N110P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb40n110p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3770.15 грн
25+3042.43 грн
100+2839.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120P IXFH12N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120P IXFK20N120P IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK30N110P IXFK30N110P IXYS DS99855-OBS(IXFK-FX30N110P)(OBSOLETE).pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL30N120P IXFL30N120P IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn20n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn26n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N110P IXFN30N110P IXYS Description: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P IXFN32N120P IXYS DS99718HIXFN32N120P.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N110P IXFN36N110P IXYS DS99902-OBS(IXFN36N110P)(OBSOLETE).pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn40n110p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100P IXFN44N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA60C45PB DSA60C45PB.pdf
DSA60C45PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.39 грн
10+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSA60C60HB DSA60C60HB.pdf
DSA60C60HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.56 грн
10+284.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA60C60PB DSA60C60PB.pdf
DSA60C60PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.69 грн
10+199.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C100HB DSA70C100HB.pdf
DSA70C100HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C150HB Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA70C150HB-Datasheet?assetguid=29fb5ab2-4f90-4727-979d-0709947157cf
DSA70C150HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 680 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA80C100PB DSA80C100PB.pdf
DSA80C100PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA80C45HB DSA80C45HB.pdf
DSA80C45HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA90C200HB DSA90C200HB.pdf
DSA90C200HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB10I45PM DSB10I45PM.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.29 грн
10+103.62 грн
100+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSB15IM45IB-Datasheet?assetguid=6e8a52b9-e4a2-4071-aa3a-6a68050cca5e
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB1I40SA DSB1I40SA.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB1I60SA DSB1I60SA.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB20C60PN media?resourcetype=datasheets&itemid=383c8e92-2c80-4841-9e3f-01efe0a145b3&filename=Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSB20C60PN-Datasheet
DSB20C60PN
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V TO-220ABFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220ABFP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB20I15PA media?resourcetype=datasheets&itemid=8d917703-6136-4329-913a-6c6b313d11ec&filename=Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSB20I15PA-Datasheet
DSB20I15PA
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB2I40SB DSB2I40SB.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB2I60SB DSB2I60SB.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C30PB DSB30C30PB.pdf
DSB30C30PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C45HB DSB30C45HB.pdf
DSB30C45HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C45PB DSB30C45PB.pdf
DSB30C45PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.37 грн
10+148.36 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSB30C60PB DSB30C60PB.pdf
DSB30C60PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB40C15PB DSB40C15PB.pdf
DSB40C15PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB.pdf
DSB60C30HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB media?resourcetype=datasheets&itemid=efb6a939-323a-4a28-b963-924353313872&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSB60C45HB-Datasheet
DSB60C45HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB.pdf
DSB60C45PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60HB DSB60C60HB.pdf
DSB60C60HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB.pdf
DSB60C60PB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB80C45HB media?resourcetype=datasheets&itemid=a0914040-ac8c-4d31-b3de-3dfdfb832689&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsb80c45hb-datasheet
DSB80C45HB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE15-12CC DSEE15-12CC.pdf
DSEE15-12CC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.04 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.92 грн
10+651.45 грн
100+539.35 грн
500+440.75 грн
1000+414.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-06CC DSEE29-06CC.pdf
DSEE29-06CC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR GP 600V 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-12CC media?resourcetype=datasheets&itemid=24507e8a-7c41-4bc2-92b1-51550d9eec5c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEE29-12CC-Datasheet
DSEE29-12CC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR GP 600V 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP12-12B media?resourcetype=datasheets&itemid=c54a639a-8b83-405f-bf60-84abd19a0cc7&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP12-12B-Datasheet
DSEP12-12B
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.25 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.74 грн
50+109.61 грн
100+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP40-03AS-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=d5c9c212-3e77-4435-b031-6ff61a740ca1&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP40-03AS-Datasheet
DSEP40-03AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 300V 40A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 150V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.44 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+151.35 грн
1600+144.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP6-06BS-TRL DSEP6-06BS.pdf
DSEP6-06BS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-08AC DSI30-12AC.pdf
DSI30-08AC
Виробник: IXYS
Description: DIODE GP 800V 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12AC DSI30-12AC.pdf
DSI30-12AC
Виробник: IXYS
Description: DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2X101-02A DSS2x101-02A.pdf
DSS2X101-02A
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS40-0008D media?resourcetype=datasheets&itemid=1f6ff341-568e-45b4-8734-70f966bc2606&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSS40-0008D-Datasheet
DSS40-0008D
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 8V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 mA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK60-02A
DSSK60-02A
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.77 грн
30+351.63 грн
120+336.47 грн
510+285.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK60-02AR
DSSK60-02AR
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V 30A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK70-008AR L643.pdf
DSSK70-008AR
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V 35A
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK80-006BR
DSSK80-006BR
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARR SCHOT 60V ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSS30-01AR DSSS30-01AR.pdf
DSSS30-01AR
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V 30A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9ac3834c-69cf-4d48-b407-c9cf2df493f9&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-GUO40-12NO1-Datasheet
GUO40-12NO1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GUFP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1188.06 грн
14+901.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-16NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-GUO40-16NO1-Datasheet?assetguid=bbe86a4a-7368-46b4-9a14-832c507bc9ae
GUO40-16NO1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 40A GUFP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GUFP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1636.26 грн
14+1090.73 грн
112+920.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDR502D1B DS99909.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDS502D1B DS99909.pdf
Виробник: IXYS
Description: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb40n110p_datasheet.pdf.pdf
IXFB40N110P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3770.15 грн
25+3042.43 грн
100+2839.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n120p_datasheet.pdf.pdf
IXFH12N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120P
IXFK20N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK30N110P DS99855-OBS(IXFK-FX30N110P)(OBSOLETE).pdf
IXFK30N110P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL30N120P
IXFL30N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
IXFL32N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf
IXFL38N100P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn20n120p_datasheet.pdf.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn26n120p_datasheet.pdf.pdf
IXFN26N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N110P
IXFN30N110P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P DS99718HIXFN32N120P.pdf
IXFN32N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N110P DS99902-OBS(IXFN36N110P)(OBSOLETE).pdf
IXFN36N110P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn40n110p_datasheet.pdf.pdf
IXFN40N110P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n100p_datasheet.pdf.pdf
IXFN44N100P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 60 90 120 150 180 210 240 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]