Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF7103QTR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 17155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7207Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7207QTR | Infineon Technologies | AUIRF7207QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 20V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7207QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7207QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO -20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7207QTR | Infineon Technologies | AUIRF7207QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 20V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7303Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7303QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7304Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7304QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO -20V 1 N-CH HEXFET 90mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7304QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7309QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms | на замовлення 3399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7309QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7313Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7313QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7313QTR | Infineon Technologies | MOSFET Dual N-Ch 30V 6.5A Automotive MOSFET | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7313QTR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7313QTR - AUIRF7313Q 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -30V DUAL P-CH HEXFET 0.042 RDSon | на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | AUIRF7316QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R Si - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 23nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | AUIRF7316QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R Si - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7319Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7319QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7319QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V DUAL N P-CH HEXFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 37702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 237 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 15866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7341QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 37802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342Q | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342Q | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342Q (мікросхема) Код товару: 48078
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRF7342QCT | Infineon Technologies | Description: AUIRF7320V-15P-CHANNAUTOMOTIMOSF Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7342QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342QTR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | на замовлення 3218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7342QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7342QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343Q | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms | на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7379Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7379QTR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | на замовлення 4000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7379QTR | Infineon Technologies | Description: AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7379QTR | International Rectifier | Description: AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7379QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7416Q | International Rectifier | Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 475 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7416QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.04V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7416QTR | International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 10A Automotive AUIRF7416QTR International Rectifier TAUIRF7416q кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7416QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO -30V 1 P-CH HEXFET 20mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7478Q | International Rectifier | N-CH,60V,7A,SOIC-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7478Q | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET N ch 60V, 7A, 26mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7478Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7478QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7478QTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET N ch 60V, 7A, 26mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7484Q | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET N 40V, 14A, 10mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7484Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 14A 8-SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7484QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7484QTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET N 40V, 14A, 10mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7484QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 14A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7484QTR | Infineon | MOSFET N CH 40V 14A 8-SO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET SB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: DirectFET SB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET SB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |