Продукція > AUI

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AUIRF7103QInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 50V 1 N-CH HEXFET 130mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QInternational RectifierMulti Channel Transistors Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.76 грн
203+70.16 грн
208+68.20 грн
500+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.23 грн
11+72.76 грн
25+70.16 грн
100+65.76 грн
500+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR
Код товару: 208998
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.16 грн
177+80.40 грн
250+77.17 грн
500+71.73 грн
1000+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
10+94.23 грн
100+88.59 грн
500+65.66 грн
1000+53.92 грн
5000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7207QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7207QTRInfineon / IRMOSFET AUTO -20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7207QTRInfineon TechnologiesAUIRF7207QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 20V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7207QTRInfineon TechnologiesAUIRF7207QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 20V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7207QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7303QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7303QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7304QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7304QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7304QTRInfineon / IRMOSFET AUTO -20V 1 N-CH HEXFET 90mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7309QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.94 грн
10+140.94 грн
100+111.95 грн
500+77.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+135.76 грн
100+94.58 грн
250+86.98 грн
500+78.70 грн
1000+68.07 грн
2500+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7309QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.95 грн
500+77.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.86 грн
137+103.74 грн
168+84.46 грн
200+76.10 грн
1000+62.50 грн
2000+55.98 грн
4000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313QTRROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7313QTR - AUIRF7313Q 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313QTRInfineon TechnologiesMOSFET Dual N-Ch 30V 6.5A Automotive MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+177.83 грн
2500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRInfineon TechnologiesAUIRF7316QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.66 грн
50+161.08 грн
250+142.56 грн
1000+99.47 грн
2000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRInfineon TechnologiesMOSFET AUTO -30V DUAL P-CH HEXFET 0.042 RDSon
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.10 грн
10+165.92 грн
25+133.24 грн
100+114.60 грн
250+110.45 грн
500+105.62 грн
4000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRInfineon TechnologiesAUIRF7316QTR Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.08 грн
250+142.56 грн
1000+99.47 грн
2000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7319QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7319QTRInfineon / IRMOSFET AUTO 30V DUAL N P-CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7319QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.78 грн
250+117.59 грн
1000+81.52 грн
2000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+75.71 грн
12000+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.81 грн
87+163.01 грн
100+152.38 грн
200+145.80 грн
500+120.23 грн
1000+108.34 грн
2000+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 37907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.07 грн
50+145.78 грн
250+117.59 грн
1000+81.52 грн
2000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.96 грн
10+153.22 грн
100+120.81 грн
250+110.45 грн
500+100.10 грн
1000+95.96 грн
4000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.55 грн
75+189.06 грн
100+182.64 грн
250+170.78 грн
500+153.82 грн
1000+144.06 грн
2500+140.88 грн
5000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QInfineon TechnologiesMOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342Q (мікросхема)
Код товару: 48078
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QCTInfineon TechnologiesDescription: AUIRF7320V-15P-CHANNAUTOMOTIMOSF
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7342QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.97 грн
250+124.03 грн
1000+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTRInfineon TechnologiesMOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.62 грн
10+176.24 грн
25+137.38 грн
100+123.57 грн
250+116.67 грн
500+110.45 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7342QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
50+144.97 грн
250+124.03 грн
1000+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QInfineon / IRMOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
2000+114.32 грн
4000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.63 грн
10+141.75 грн
100+114.37 грн
500+78.53 грн
1000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.15 грн
10+150.10 грн
25+128.09 грн
100+118.20 грн
250+86.65 грн
500+82.37 грн
1000+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.37 грн
500+78.53 грн
1000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTRInfineon TechnologiesDescription: AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTRInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+160.27 грн
10+142.90 грн
100+100.10 грн
500+81.46 грн
1000+68.14 грн
2000+63.03 грн
4000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTRInternational RectifierDescription: AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7416QInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7416QTRInfineon / IRMOSFET AUTO -30V 1 P-CH HEXFET 20mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7416QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.04V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7416QTRInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 10A Automotive AUIRF7416QTR International Rectifier TAUIRF7416q
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7478QInternational RectifierN-CH,60V,7A,SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7478QInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET N ch 60V, 7A, 26mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7478QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7478QTRInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET N ch 60V, 7A, 26mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7478QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7484QInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET N 40V, 14A, 10mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7484QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7484QTRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7484QTRInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET N 40V, 14A, 10mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7484QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7484QTRInfineonMOSFET N CH 40V 14A 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]