Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF2001IR09+
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2001TRIR09+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2002IR09+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.94 грн
247+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211International RectifierDescription: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.43 грн
10+68.90 грн
100+50.62 грн
500+47.76 грн
1000+41.13 грн
2000+37.85 грн
10000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211INFINEONDescription: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.97 грн
10+131.16 грн
100+66.72 грн
500+53.71 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+117.11 грн
127+111.88 грн
250+107.39 грн
500+99.82 грн
1000+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.33 грн
50+62.50 грн
100+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.25 грн
301+47.14 грн
500+46.30 грн
1000+44.54 грн
2000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.98 грн
13+62.94 грн
100+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.49 грн
10+707.91 грн
25+636.37 грн
100+569.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+787.89 грн
20+741.82 грн
50+688.67 грн
100+585.48 грн
200+519.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.27 грн
10+628.76 грн
25+482.51 грн
100+438.52 грн
250+423.85 грн
400+347.74 грн
2800+334.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+775.83 грн
21+708.22 грн
25+636.65 грн
100+570.17 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+657.25 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+774.74 грн
5+675.35 грн
10+575.15 грн
50+500.02 грн
100+430.14 грн
250+351.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.25 грн
10+618.60 грн
25+574.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+597.43 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223InfineonMOSFET N-Ch 200V 100A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.25 грн
29+502.19 грн
34+423.31 грн
100+364.17 грн
400+272.52 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.79 грн
10+315.27 грн
100+204.48 грн
500+183.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.03 грн
10+501.97 грн
25+423.13 грн
100+364.02 грн
400+272.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.27 грн
25+318.41 грн
100+284.84 грн
500+215.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.76 грн
10+464.95 грн
25+328.89 грн
100+283.50 грн
400+221.35 грн
1200+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 50800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+375.76 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234Infineon TechnologiesEnhancement N Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH_MOSFETS
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234Infineon TechnologiesEnhancement N Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234Infineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234INFINEONDescription: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200S234Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2085SIR03+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF210IR/MOT
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2101IOR01+ SOP
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2102STRIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2103SIR09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2103STRPBFIR09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2104SIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2108IOR01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF210BFAIRCHILID
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2110SIRFSOP
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2113
Код товару: 88829
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2133STR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF21362JTR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF214Harris CorporationDescription: IRF214
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2171
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF220International RectifierTO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF220Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF220International RectifierDescription: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF220International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204IRF2204 Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204LIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.46 грн
50+108.46 грн
100+97.89 грн
500+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2204PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 210
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.58 грн
10+114.83 грн
100+81.00 грн
500+75.41 грн
1000+74.72 грн
5000+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBPIR09+ DIP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SIRTO-263
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBF
Код товару: 119472
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2204SPBF - IRF2204 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+153.97 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+121.56 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.38 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+178.37 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF220NTRLPBF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF221International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF222GEIOR89+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF222GE/RCAIOR8940 DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF223Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF224International Rectifier HiRel ProductsIRF224
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.79 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF224International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+178.55 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF224International Rectifier HiRel ProductsIRF224
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.79 грн
500+227.98 грн
1000+214.99 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF224International Rectifier HiRel ProductsIRF224
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.79 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF225International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+151.29 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF230IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF230Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF230Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]