Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AOn SemiconductorPNP 1A 375V TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731A
Код товару: 151453
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.62 грн
221+64.25 грн
250+59.90 грн
500+56.20 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.49 грн
161+88.18 грн
200+87.65 грн
400+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
50+55.87 грн
100+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+74.35 грн
100+64.02 грн
250+59.69 грн
500+56.00 грн
1000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+59.89 грн
500+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.25 грн
168+84.19 грн
200+83.77 грн
400+75.61 грн
800+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GOn SemiconductorPNP 1A 350V TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.18 грн
276+51.40 грн
500+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5741
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
50+87.07 грн
100+78.23 грн
500+58.85 грн
1000+54.17 грн
2000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 400V; 8A; 2W; TO220AB
Power dissipation: 2W
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.63 грн
6+79.67 грн
10+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.01 грн
156+90.74 грн
250+84.46 грн
500+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.36 грн
250+110.38 грн
500+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemiconductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.47 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G
Код товару: 180290
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852onsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852
Код товару: 103964
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852ON09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.99 грн
50+348.87 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+156.24 грн
100+150.39 грн
250+147.47 грн
400+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GonsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
50+147.23 грн
100+133.73 грн
500+103.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.77 грн
10+234.65 грн
50+182.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.33 грн
500+170.90 грн
1000+161.47 грн
10000+146.61 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 15
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.46 грн
10+173.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.24 грн
100+150.39 грн
250+147.47 грн
400+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GOn SemiconductorPNP 8A 400V TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852G
Код товару: 115058
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+295.69 грн
100+260.05 грн
200+257.41 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE6040
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE6043
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE6044
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE6353INTELQFP
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700onsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 60V 4A TO225AA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700-STU
на замовлення 37200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700GonsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700GMJE702G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE700STUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE701-Y
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE701STUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 80V 4A TO225AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702onsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702GonsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702STUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE702STUonsemi / FairchildDarlington Transistors PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE703onsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE703ON09+
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE703onsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.