Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2302HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302HDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302HDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302SMicrodiode ElectronicsSI2302S
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6277+2.25 грн
12000+2.06 грн
18000+1.91 грн
24000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 6277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302SGOODWORKDescription: 20V 2.3A 3nC@4.5V 45m@4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302VISHAY
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303UMWDescription: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303KEXIN09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303UMWDescription: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
43+7.09 грн
48+6.24 грн
100+4.97 грн
250+4.54 грн
500+4.29 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303(L3SUB)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-DS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 6226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
17+17.83 грн
100+11.25 грн
500+7.88 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 897000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+6.71 грн
9000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-TP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303ADSVISHAY
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303ADS-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDSVISHAY
на замовлення 30290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1VISHAY
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1-E
на замовлення 40383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 1812000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDST1E3VISHAY
на замовлення 117100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.09 грн
6000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 5301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.24 грн
10+32.16 грн
100+20.71 грн
500+14.82 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.92 грн
32+25.23 грн
100+18.40 грн
500+14.03 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.09 грн
6000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 1.9A
на замовлення 67612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
6000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.24 грн
10+32.16 грн
100+20.71 грн
500+14.82 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.19 грн
500+17.61 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 37562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.55 грн
22+36.72 грн
100+24.19 грн
500+17.61 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
6000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.07 грн
9000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 33775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.11 грн
17+25.70 грн
50+19.57 грн
100+17.49 грн
500+13.85 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.24 грн
10+32.16 грн
100+20.71 грн
500+14.82 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 14497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.79 грн
500+16.86 грн
1500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 14497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.31 грн
50+36.97 грн
100+23.79 грн
500+16.86 грн
1500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+32.47 грн
550+25.74 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2303CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 2.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.60 грн
1000+2.44 грн
3000+2.28 грн
6000+2.09 грн
15000+2.03 грн
30000+1.95 грн
75000+1.80 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDST1GE3
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303D/R3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DL-T1-E3
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DSSILICONIXSOP
на замовлення 202000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DS-T1VISHAY
на замовлення 36200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DS-T1 SOT23VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DS-T1-E3VISAYSOT-23
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DS-T1SOT2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303DS/A3PERVISHAY
на замовлення 246200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304KEXIN09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-TP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2304-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.22 грн
41+19.85 грн
100+12.62 грн
500+8.73 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
43+7.01 грн
49+6.18 грн
100+4.92 грн
250+4.50 грн
500+4.25 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1VISHAY
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.67 грн
10+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm
на замовлення 127404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.00 грн
20+41.95 грн
25+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.04 грн
16+48.70 грн
100+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+38.28 грн
100+24.89 грн
500+17.93 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3 L4Y0AVishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3-SVISHAYSOT23
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3/L4V9AVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
576+24.59 грн
678+20.89 грн
768+18.42 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+38.28 грн
100+24.89 грн
500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3VBsemiTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS TSI2304bds VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.26 грн
31+24.76 грн
100+21.03 грн
500+17.88 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]