Продукція > rjk

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK6011DJE-00#Z0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6011DP3-A0#J2RenesasDescription: RJK6011DP3-A0#J2 - SILICON NCH S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+108.55 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 600V 10A 920mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPE-00-J3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+217.68 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.37Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 600V 10A 920mohm TO-220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.92OHM
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+217.68 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6012DPP-K0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+217.68 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPE-00-J3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPE-WS#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPP
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+385.73 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6013DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+365.88 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPK
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPP
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+326.84 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 600V 16A 575mohm TO-220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: RJK6014DPP-A0#T2
Packaging: Tray
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FPA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+416.83 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6014DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6015DPK
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6015DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6015DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6015DPM-00#T1Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6015DPM-00#T1Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6018DPK
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6018DPK-00#T0RenesasTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6018DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET PWR MOS TRS TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6018DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6018DPM-00#T1Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6018DPM-00#T1Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6020DPK
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6020DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6020DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET PMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6022DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A TO92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DP3-A0#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPH-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPH-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6025DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6025DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6025DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.8A LDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V, LDPAK(S)-(1), Pb Free
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK
Packaging: Tube
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 25529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPP-90#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPP-B1#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6026DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 40100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+117.77 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6029DJA-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6032DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6032DPD-00#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6032DPH-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6032DPH-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6034DPH-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6034DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6035DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 HV-MOS/IGBT
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6035DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+132.24 грн
100+92.59 грн
500+73.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6035DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)6A, 1.4OHM
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6035DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6035DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6036DP3-A0#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S1DPD-00#J2RenesasTO252/VDSS 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM, SJ MOS FET RJK60S1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S1DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM,
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S2DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.67OHM
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPE-00#J3Renesas4-LDPAK/MOSFET N-CH 600V 12A RJK60S3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPP-E0#T2RenesasTO-220FL/MOSFET N-CH 600V 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S3DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 129813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+277.88 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S4DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S4DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S4DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S4DPE-WS#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+370.51 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S4DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.9W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 25 V
на замовлення 114548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+347.35 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S5DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4LDPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1204.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S5DPK-M0#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: TO-3PSG
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 69897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1204.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S5DPN-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 138686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1204.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S5DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.