Продукція > Si8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 112  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI87XXSDIP6-KITSkyworks Solutions Inc.Description: KIT EVAL SI871X SO-6
Packaging: Bulk
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Utilized IC / Part: Si87xx
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1803.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSDIP6-KITSilicon LabsInterface Development Tools Si871x in SO-6 Evaluation Kit
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSDIP6-KITSilicon LabsSi871x in SO-6 Evaluation Kit SI87
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSDIP6-KITSkyworks SolutionsSi87xx Digital Isolator Evaluation Kit
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2078.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSOIC8-KITSkyworks Solutions, Inc.Interface Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSOIC8-KITSilicon LabsSi871x in SOIC-8 Evaluation Kit SI87
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSOIC8-KITSkyworks SolutionsSi87xx Digital Isolator Evaluation Kit
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2389.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI87XXSOIC8-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI87XX
Packaging: Box
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si87xx
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
на замовлення 20418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.80 грн
10+31.12 грн
100+20.02 грн
500+14.29 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
6000+10.73 грн
9000+10.22 грн
15000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 8650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A; 0.9W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 8V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Pulsed drain current: 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.98 грн
6000+8.78 грн
9000+8.36 грн
15000+7.40 грн
21000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
876+16.12 грн
883+15.99 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 22280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.30 грн
12+25.84 грн
100+16.58 грн
500+11.79 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 8V P-CH Micro Foot
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFETs 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 23552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.58 грн
10+31.49 грн
100+20.24 грн
500+14.44 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.07 грн
11+28.59 грн
100+18.83 грн
500+14.12 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.95 грн
52+14.49 грн
53+14.35 грн
100+13.20 грн
250+12.21 грн
500+11.06 грн
1000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8809EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8809EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V
на замовлення 8578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 20Vds 12Vgs 7.0A 30A 0.3W 185pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.21 грн
13+23.68 грн
100+15.15 грн
500+10.74 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 14563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.34 грн
13+23.38 грн
100+15.90 грн
500+11.67 грн
1000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8816EDB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.087 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.84 грн
12+26.88 грн
100+13.60 грн
500+12.44 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.03 грн
10+30.45 грн
100+19.60 грн
500+14.00 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Case: MICROFOOT®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.32Ω
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.52 грн
23+33.81 грн
25+33.52 грн
100+24.82 грн
250+22.75 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 37105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8818EDB-T2-E1VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 2.1A 4-Pin Micro Foot
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.98 грн
13+24.50 грн
100+15.56 грн
500+11.00 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 5231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.57 грн
12+26.51 грн
100+13.47 грн
500+11.38 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.19 грн
24+31.92 грн
100+20.00 грн
500+17.65 грн
1000+11.31 грн
3000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BC-ASSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BC-ASRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BC-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 3.75 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BC-ISSilicon LabsDescription: DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BC-ISRSilicon LabsDescription: DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BC-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BD-ASSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BD-ASRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BD-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220BD-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220EC-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 3.75 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220EC-ISSilicon LaboratoriesDigital Isolators with DC-DC Converter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220EC-ISSilicon LabsDescription: DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220EC-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220EC-ISRSilicon LabsDescription: DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220ED-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88220ED-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5kV high speed digital isolators with integrated DCDC converter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221BC-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 3.75 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221BC-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221BD-ISSilicon LabsDigital Isolators 5 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221BD-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5kV high speed digital isolators with integrated DCDC converter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221EC-ASSkyworks Solutions Inc.Description: DGTL ISOLTR 5KV 2CH GP 16-SOIC
Qualification: AEC-Q100
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 7ns
Channel Type: Unidirectional
Isolated Power: Yes
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18ns, 23ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Inputs - Side 1/Side 2: 1/1
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Technology: Capacitive Coupling
Data Rate: 100Mbps
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221EC-ASSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221EC-ASRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221EC-ASRSkyworks Solutions Inc.Description: DGTL ISOLTR 5KV 2CH GP 16-SOIC
Qualification: AEC-Q100
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 7ns
Channel Type: Unidirectional
Isolated Power: Yes
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18ns, 23ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Inputs - Side 1/Side 2: 1/1
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Technology: Capacitive Coupling
Data Rate: 100Mbps
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI88221EC-ISSilicon LaboratoriesDigital Isolators with DC-DC Converter
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.01 грн
10+303.31 грн
25+296.35 грн
50+278.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 112  [ Наступна Сторінка >> ]