Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9Z24PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.64 грн
131+108.46 грн
144+98.51 грн
250+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
50+93.32 грн
100+83.99 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.88 грн
10+72.80 грн
50+69.45 грн
100+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.29 грн
50+102.59 грн
100+92.46 грн
500+70.11 грн
1000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.57 грн
50+135.21 грн
100+101.88 грн
500+93.02 грн
1000+85.27 грн
2000+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.28 грн
105+134.91 грн
139+101.65 грн
500+92.82 грн
1000+85.08 грн
2000+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24VSTRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF
Код товару: 40285
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.22 грн
84+168.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFInternational RectifierSingle-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.01 грн
10+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.53 грн
50+100.64 грн
100+85.94 грн
500+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.81 грн
50+96.13 грн
100+91.22 грн
500+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SixnetТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34L/IRIR08+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34LPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NUMWTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
10+49.10 грн
100+32.22 грн
500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 30 шт
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFIR08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.37 грн
100+92.57 грн
500+73.63 грн
1000+65.12 грн
2000+55.73 грн
5000+48.75 грн
10000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.50 грн
141+100.34 грн
158+89.86 грн
500+68.91 грн
1000+58.53 грн
2000+51.92 грн
5000+47.32 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFIRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
  • 196 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.35 грн
153+92.55 грн
500+73.61 грн
1000+65.11 грн
2000+55.72 грн
5000+48.74 грн
10000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.55 грн
2000+60.58 грн
5000+55.21 грн
10000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.42 грн
50+102.72 грн
100+91.98 грн
500+70.54 грн
1000+59.92 грн
2000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 7847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.50 грн
50+100.34 грн
100+89.86 грн
500+68.91 грн
1000+58.53 грн
2000+51.92 грн
5000+47.32 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.65 грн
138+102.34 грн
154+91.65 грн
500+70.29 грн
1000+59.70 грн
2000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.25 грн
50+67.72 грн
100+60.61 грн
500+45.16 грн
1000+41.40 грн
2000+38.23 грн
5000+34.23 грн
10000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.55 грн
2000+60.58 грн
5000+55.21 грн
10000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFIRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 129 шт
  • 69 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRInfineonP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.44 грн
1600+105.21 грн
2400+101.02 грн
4000+92.87 грн
5600+83.50 грн
8000+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.62 грн
1600+74.01 грн
2400+71.17 грн
4000+63.81 грн
5600+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.66 грн
10+167.09 грн
100+97.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+123.99 грн
115+122.75 грн
163+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.48 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]