Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9Z24STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24VSTRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.78 грн
10+189.26 грн
100+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFInternational RectifierSingle-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.29 грн
10+163.57 грн
50+126.13 грн
100+107.05 грн
500+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF
Код товару: 40285
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.29 грн
10+163.57 грн
50+126.13 грн
100+107.05 грн
500+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SixnetТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34L/IRIR08+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34LPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.67 грн
100+32.59 грн
500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NUMWTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFIR08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.13 грн
2000+34.60 грн
5000+32.02 грн
10000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.99 грн
11+41.90 грн
25+36.40 грн
50+32.59 грн
100+29.63 грн
250+27.93 грн
500+26.50 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.37 грн
239+59.10 грн
242+58.51 грн
273+49.92 грн
500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.05 грн
15+51.03 грн
50+50.52 грн
100+45.15 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 6635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.16 грн
10+90.59 грн
50+68.35 грн
100+57.41 грн
500+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.71 грн
18+43.71 грн
50+43.27 грн
100+38.67 грн
500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 161 шт
  • 124 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFIRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.26 грн
13+59.58 грн
50+58.99 грн
100+50.33 грн
500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 23124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.13 грн
2000+34.60 грн
5000+32.02 грн
10000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.37 грн
284+49.86 грн
306+46.22 грн
500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.71 грн
327+43.27 грн
352+40.11 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 142 шт
  • 69 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFIRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRInfineonP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.75 грн
86+165.88 грн
151+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.36 грн
91+156.44 грн
92+154.87 грн
163+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.72 грн
10+150.32 грн
50+115.54 грн
100+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.61 грн
10+167.24 грн
100+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.59 грн
2400+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.39 грн
2400+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.36 грн
10+156.44 грн
25+154.87 грн
100+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.46 грн
2400+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9Z34NSTRRPBF - IRF9Z34 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
10000+55.34 грн
100000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.29 грн
10+163.57 грн
50+126.13 грн
100+107.05 грн
500+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.77 грн
10+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF
Код товару: 49507
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.37 грн
104+136.98 грн
111+127.76 грн
250+110.50 грн
500+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = -18, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ -25, Qg, нКл = 34, Rds = 0,14 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
10+88.04 грн
50+75.34 грн
100+70.26 грн
250+63.49 грн
500+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]