Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.44 грн
10+123.99 грн
25+122.75 грн
100+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.44 грн
1600+105.21 грн
2400+101.02 грн
4000+92.87 грн
5600+83.50 грн
8000+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.62 грн
1600+74.01 грн
2400+71.17 грн
4000+63.81 грн
5600+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.66 грн
10+167.09 грн
100+97.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+123.99 грн
115+122.75 грн
163+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9Z34NSTRRPBF - IRF9Z34 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
10000+55.34 грн
100000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.83 грн
50+122.15 грн
100+110.48 грн
500+84.48 грн
1000+78.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.00 грн
10+87.03 грн
50+74.47 грн
100+69.45 грн
250+62.76 грн
500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF
Код товару: 49507
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.77 грн
10+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = -18, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ -25, Qg, нКл = 34, Rds = 0,14 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.74 грн
106+134.35 грн
113+125.13 грн
250+109.23 грн
500+94.08 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.47 грн
2000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.47 грн
2000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z34SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=60V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.14 R@Vgs=10V, P=88W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: D2PAC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.25 грн
122+115.68 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.83 грн
10+109.70 грн
50+89.87 грн
100+81.75 грн
200+74.39 грн
500+64.77 грн
750+60.42 грн
1000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.61 грн
10+165.08 грн
100+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.70 грн
88+162.01 грн
100+147.39 грн
200+129.29 грн
500+104.31 грн
750+93.25 грн
1000+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.16 грн
50+132.79 грн
100+120.28 грн
500+92.28 грн
1000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.51 грн
10+112.53 грн
25+111.40 грн
100+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.39 грн
10+119.67 грн
100+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.51 грн
126+112.53 грн
127+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34STRLPBF - MOSFET, P CH, -60V, -18A, TO-263-3
tariffCode: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.16 грн
10+171.63 грн
100+120.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC30IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC30International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+391.77 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC32IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC50International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
FET Type: N-Channel
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+580.30 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAD1001SQIOR2007
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE32International RectifierDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+435.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF20International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+264.82 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF40International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+476.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF42International RectifierDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+468.90 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF50International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+551.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF52International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+553.70 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG20International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+267.78 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG40Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1KV 3.9A 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3125.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG50Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF3805SInternational RectifierDescription: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF4905International RectifierDescription: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF540ZInternational RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+142.58 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50A-033
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.52 грн
94+151.47 грн
100+146.20 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF
Код товару: 27308
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.42 грн
110+128.53 грн
126+112.64 грн
500+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]