Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9Z34PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.47 грн
2000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.29 грн
10+163.57 грн
50+126.13 грн
100+107.05 грн
500+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.47 грн
2000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z34SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=60V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.14 R@Vgs=10V, P=88W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: D2PAC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.93 грн
10+178.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.86 грн
10+177.21 грн
50+137.10 грн
100+116.55 грн
500+95.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.52 грн
86+165.04 грн
100+150.15 грн
200+131.71 грн
500+106.31 грн
750+95.06 грн
1000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.97 грн
10+110.98 грн
50+90.92 грн
100+82.70 грн
200+75.25 грн
500+65.52 грн
750+61.12 грн
1000+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34STRLPBF - MOSFET, P CH, -60V, -18A, TO-263-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+139.84 грн
122+115.73 грн
139+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
10+123.57 грн
50+94.32 грн
100+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.84 грн
10+115.73 грн
25+101.64 грн
100+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+187.87 грн
50+145.33 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC30IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC30International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+402.20 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC32IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC50International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
FET Type: N-Channel
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+587.04 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAD1001SQIOR2007
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE32International RectifierDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+440.16 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF20International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+267.90 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF40International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+479.41 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF42International RectifierDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+474.36 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF50International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+557.77 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF52International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+560.14 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG20International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+270.90 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG40Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1KV 3.9A 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3125.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG50Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF3805SInternational RectifierDescription: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF4905International RectifierDescription: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF540ZInternational RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+143.89 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50A-033
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFTrans MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1681.96 грн
15+972.03 грн
50+732.32 грн
100+675.68 грн
200+598.58 грн
250+564.48 грн
500+535.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.53 грн
10+172.87 грн
50+133.62 грн
100+113.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+994.59 грн
10+534.15 грн
50+402.09 грн
100+385.16 грн
200+368.23 грн
250+362.31 грн
500+342.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.45 грн
50+180.62 грн
100+137.90 грн
500+131.65 грн
1000+117.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF
Код товару: 27308
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.07 грн
80+178.27 грн
104+136.11 грн
500+129.94 грн
1000+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 170W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.53 грн
10+172.87 грн
50+133.62 грн
100+113.52 грн
500+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50AIRTO-220AB
на замовлення 29270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB13N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]