Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.85 грн
2000+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.77 грн
10+149.90 грн
100+103.46 грн
500+79.43 грн
1000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+301.91 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.22 грн
10+119.35 грн
30+94.14 грн
50+84.05 грн
100+73.12 грн
250+64.72 грн
500+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF
Код товару: 34412
5 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 455 шт
  • 357 шт - склад
  • 98 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+82.50 грн
1000+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.48 грн
2000+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.23 грн
10+170.28 грн
100+119.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.68 грн
100+162.23 грн
500+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.10 грн
10+171.08 грн
100+132.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF
Код товару: 180333
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.37 грн
2000+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.31 грн
10+197.54 грн
100+127.78 грн
500+107.53 грн
1000+99.85 грн
2000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.37 грн
2000+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.44 грн
10+183.48 грн
100+148.26 грн
500+122.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.21 грн
78+184.07 грн
100+148.74 грн
500+122.50 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207Z
Код товару: 37831
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 12 V
Id,A: 120 A
Rds(on),Om: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6920/120
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
500+153.56 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
500+153.56 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZGPBFXKMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+139.39 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZGPBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+139.39 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.13 грн
2000+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+182.28 грн
100+118.01 грн
500+99.16 грн
1000+92.17 грн
2000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
500+165.38 грн
1000+152.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.52 грн
50+123.53 грн
100+111.72 грн
500+85.43 грн
1000+79.19 грн
2000+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
500+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.97 грн
50+209.05 грн
100+189.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.13 грн
2000+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
500+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.14 грн
10+169.78 грн
20+152.97 грн
50+110.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineonTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF
Код товару: 197879
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.94 грн
50+23.70 грн
100+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.32 грн
100+194.75 грн
500+158.68 грн
1000+141.85 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.97 грн
68+209.05 грн
100+189.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.39 грн
10+133.60 грн
100+121.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZPBFXKMA1
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
10000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
500+153.56 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
500+153.56 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInternational RectifierDescription: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306IR09+ PLCC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306InfineonN-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306InfineonN-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+129.94 грн
500+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.70 грн
10+124.47 грн
100+77.51 грн
500+61.87 грн
1000+52.09 грн
10000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306GPBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.80 грн
500+92.52 грн
1000+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.04 грн
50+81.56 грн
100+73.33 грн
500+55.26 грн
1000+50.90 грн
2000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.10 грн
10+108.39 грн
100+98.16 грн
500+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.90 грн
500+106.11 грн
1000+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.50 грн
4+134.48 грн
10+101.70 грн
25+86.57 грн
50+76.49 грн
100+68.08 грн
200+61.36 грн
500+52.95 грн
1000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF
Код товару: 88656
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 72 шт
  • 50 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+82.00 грн
10+75.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.26 грн
99+144.54 грн
102+139.63 грн
250+130.55 грн
500+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.39 грн
145+98.16 грн
500+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.08 грн
2000+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.00 грн
10+164.56 грн
100+83.09 грн
500+62.18 грн
1000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+217.11 грн
118+120.19 грн
132+107.41 грн
500+86.61 грн
1000+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.90 грн
500+106.11 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.63 грн
10+127.23 грн
100+112.42 грн
500+89.26 грн
1000+67.46 грн
3000+64.11 грн
5000+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.04 грн
50+81.56 грн
100+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+131.69 грн
100+78.91 грн
500+63.68 грн
1000+59.42 грн
2000+57.33 грн
5000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.29 грн
10+106.00 грн
100+67.87 грн
500+58.24 грн
1000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.29 грн
10+151.47 грн
100+110.78 грн
500+94.18 грн
1000+71.27 грн
2000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.17 грн
10+143.20 грн
100+98.43 грн
500+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.29 грн
10+114.31 грн
20+96.66 грн
50+79.01 грн
100+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]