Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.22 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 35 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+89.94 грн
50+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 206392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
10000+109.58 грн
100000+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.41 грн
76+188.92 грн
100+182.51 грн
250+170.66 грн
500+153.71 грн
1000+143.95 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBF
Код товару: 49500
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.38 грн
10+146.15 грн
100+102.65 грн
500+83.79 грн
1000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.19 грн
10+90.38 грн
100+79.83 грн
500+70.21 грн
1000+59.51 грн
2000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+97.17 грн
100+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.25 грн
10+162.12 грн
100+137.68 грн
500+99.10 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.79 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 97A 8.8mOhm 88nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607InfineonN-MOSFET HEXFET 80A 75V 140W 0.009ohm IRFB3607 TIRFB3607
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+85.56 грн
10+72.79 грн
50+39.59 грн
500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+63.46 грн
1000+58.52 грн
10000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF
Код товару: 62331
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 0,073 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3070/56
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.74 грн
172+82.87 грн
250+79.54 грн
500+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.09 грн
11+77.31 грн
100+55.40 грн
500+46.07 грн
1000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+88.33 грн
100+50.56 грн
500+40.92 грн
1000+34.70 грн
2000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
11+81.30 грн
100+54.09 грн
500+41.61 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806International RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF
Код товару: 72842
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.66 грн
30+25.91 грн
31+24.73 грн
100+23.31 грн
500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.97 грн
10+81.17 грн
100+54.54 грн
500+40.48 грн
1000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.62 грн
535+66.25 грн
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.75 грн
10+49.63 грн
100+35.19 грн
500+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2307.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.34 грн
105+135.33 грн
112+126.62 грн
500+104.89 грн
1000+88.80 грн
2000+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.88 грн
10+118.04 грн
100+92.87 грн
500+78.21 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.26 грн
112+127.18 грн
127+111.99 грн
500+95.13 грн
1000+82.11 грн
3000+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 43 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 91 @ 10 В, Rds = 54 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.37 грн
50+135.36 грн
100+126.65 грн
500+104.91 грн
1000+88.82 грн
2000+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.60 грн
83+170.84 грн
100+165.04 грн
250+154.32 грн
500+139.00 грн
1000+130.18 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF
Код товару: 76399
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.39 грн
10+155.60 грн
100+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.58 грн
86+165.38 грн
100+145.53 грн
500+136.69 грн
1000+107.16 грн
2000+89.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.67 грн
50+114.35 грн
100+103.41 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019
Код товару: 25222
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.42 грн
263+53.94 грн
285+49.76 грн
500+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
13+65.34 грн
100+52.87 грн
500+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.42 грн
153+92.70 грн
243+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.20 грн
10+47.22 грн
100+35.61 грн
1000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.50 грн
223+63.70 грн
500+56.08 грн
1000+49.47 грн
2000+43.92 грн
5000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
50+56.33 грн
100+50.32 грн
500+37.34 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+73.39 грн
537+66.06 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF
Код товару: 171727
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.15 грн
6+82.37 грн
10+71.44 грн
25+58.84 грн
50+52.95 грн
100+51.27 грн
500+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+73.39 грн
537+66.06 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.86 грн
11+71.31 грн
100+63.53 грн
500+53.93 грн
1000+45.69 грн
2000+42.05 грн
5000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4019PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]