Продукція > IRF

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 22 44 66 88 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 225 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRFB3207PBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 116 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	169.30 грн
10+	137.98 грн
20+	122.74 грн
50+	121.05 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207Z

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207Z

International Rectifier

Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207Z
Код товару: 37831

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 12 В
Струм стоку Id, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм

товару немає в наявності

1+	49.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZG

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBF

International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBF

Infineon Technologies

MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	161.11 грн
500+	152.88 грн
1000+	143.47 грн

Мінімальне замовлення: 219 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	161.11 грн
500+	152.88 грн
1000+	143.47 грн

Мінімальне замовлення: 219 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBFXKMA1

Infineon Technologies

IRFB3207ZGPBFXKMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

242+	145.82 грн
500+	138.77 грн
1000+	130.54 грн

Мінімальне замовлення: 242 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZGPBFXKMA1

Infineon Technologies

IRFB3207ZGPBFXKMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

242+	145.82 грн
500+	138.77 грн
1000+	130.54 грн

Мінімальне замовлення: 242 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	119.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	159.53 грн
10+	133.75 грн
20+	125.28 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.48 грн
10+	177.71 грн
50+	177.63 грн
100+	156.60 грн
500+	112.57 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF
Код товару: 197879

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	182.28 грн
500+	164.64 грн

Мінімальне замовлення: 194 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	317.48 грн
80+	177.63 грн
100+	156.60 грн
500+	112.57 грн

Мінімальне замовлення: 45 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	182.28 грн
500+	164.64 грн
1000+	151.70 грн

Мінімальне замовлення: 194 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.55 грн
10+	160.60 грн
50+	123.86 грн
100+	105.13 грн
500+	85.66 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	119.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.25 грн
10+	114.84 грн
50+	114.82 грн
100+	106.73 грн
500+	88.17 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg

на замовлення 537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	139.25 грн
123+	114.82 грн
128+	106.73 грн
500+	88.17 грн

Мінімальне замовлення: 102 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	182.28 грн
500+	164.64 грн
1000+	151.70 грн

Мінімальне замовлення: 194 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3207ZPBFXKMA1

Infineon Technologies

IRFB3207ZPBFXKMA1

на замовлення 73000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	152.88 грн
500+	137.59 грн
1000+	127.01 грн
10000+	109.09 грн

Мінімальне замовлення: 231 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256

Infineon Technologies

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

International Rectifier

Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	121.92 грн

Мінімальне замовлення: 167 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	161.11 грн

Мінімальне замовлення: 219 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	161.11 грн
500+	152.88 грн
1000+	143.47 грн

Мінімальне замовлення: 219 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	161.11 грн
500+	152.88 грн
1000+	143.47 грн

Мінімальне замовлення: 219 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3256PBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	161.11 грн

Мінімальне замовлення: 219 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306

N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	46.22 грн

Мінімальне замовлення: 40 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306

09+ PLCC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.36 грн
500+	116.42 грн
1000+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.36 грн
500+	116.42 грн
1000+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.36 грн
500+	116.42 грн
1000+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.36 грн
500+	116.42 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 308 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	129.36 грн
500+	116.42 грн
1000+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 273 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306GPBFXKMA1

Infineon Technologies

IRFB3306GPBFXKMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

345+	102.34 грн
500+	92.10 грн
1000+	84.94 грн

Мінімальне замовлення: 345 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.73 грн
10+	111.44 грн
100+	100.20 грн
500+	80.42 грн
1000+	70.05 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	138.96 грн

Мінімальне замовлення: 102 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 32124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	115.75 грн
137+	103.06 грн
500+	84.55 грн
1000+	76.38 грн
3000+	70.01 грн
5000+	55.40 грн

Мінімальне замовлення: 122 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	89.34 грн
171+	82.86 грн
500+	72.36 грн

Мінімальне замовлення: 158 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	103.15 грн
500+	92.84 грн

Мінімальне замовлення: 343 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

на замовлення 3770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.68 грн
10+	106.28 грн
50+	80.76 грн
100+	68.04 грн
500+	54.46 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	205.73 грн
127+	111.44 грн
141+	100.20 грн
500+	80.42 грн
1000+	70.05 грн

Мінімальне замовлення: 69 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 32133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.51 грн
10+	116.08 грн
100+	103.37 грн
500+	81.77 грн
1000+	70.93 грн
3000+	67.41 грн
5000+	55.56 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

International Rectifier

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	167.74 грн
4+	132.06 грн
10+	99.89 грн
25+	87.19 грн
50+	78.73 грн
100+	71.11 грн
500+	58.41 грн
1000+	53.33 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	27425.64 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.36 грн
10+	89.34 грн
100+	82.86 грн
500+	69.77 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	103.15 грн
500+	92.84 грн
1000+	85.61 грн

Мінімальне замовлення: 343 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBF
Код товару: 88656

2 Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT

у наявності: 67 шт

45 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків

1+	82.00 грн
10+	75.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBFXKMA1

Description: INFINEON - IRFB3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBFXKMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.52 грн
10+	104.07 грн
50+	79.00 грн
100+	66.54 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBFXKMA1

Infineon Technologies

IRFB3306PBFXKMA1

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBFXKMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IR FET UP TO 60V

на замовлення 1473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3306PBFXKMA1

Infineon Technologies

IRFB3306PBFXKMA1

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 150 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC

на замовлення 1106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	149.35 грн

Мінімальне замовлення: 237 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.53 грн
10+	138.28 грн
50+	106.04 грн
100+	89.76 грн
500+	72.66 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

IRFB3307PBF MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	239.88 грн
103+	137.87 грн
104+	136.49 грн
135+	101.10 грн
500+	77.73 грн

Мінімальне замовлення: 59 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1254 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	152.37 грн
10+	115.13 грн
20+	97.35 грн
50+	79.57 грн
100+	74.49 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 29391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	149.35 грн
500+	134.06 грн
1000+	123.48 грн
10000+	106.58 грн

Мінімальне замовлення: 237 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	271.02 грн
500+	88.11 грн

Мінімальне замовлення: 53 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.47 грн
10+	143.73 грн
50+	142.29 грн
100+	102.99 грн
500+	78.22 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307PBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.88 грн
10+	137.87 грн
50+	136.49 грн
100+	101.10 грн
500+	77.73 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307Z

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZGPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	105.47 грн
1000+	104.43 грн

Мінімальне замовлення: 134 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 206026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	152.88 грн
500+	137.59 грн
1000+	127.01 грн
10000+	109.09 грн
100000+	84.63 грн

Мінімальне замовлення: 231 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm

на замовлення 838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.69 грн
1000+	102.67 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	107.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	103.69 грн
1000+	102.67 грн

Мінімальне замовлення: 137 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFB3307ZPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.69 грн
1000+	104.65 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 22 44 66 88 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 225 [ Наступна Сторінка >> ]