Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.93 грн
80+177.95 грн
180+78.53 грн
500+74.96 грн
1000+68.72 грн
2000+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.93 грн
10+177.95 грн
100+78.53 грн
500+74.96 грн
1000+68.72 грн
2000+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.98 грн
10+137.06 грн
100+94.74 грн
500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.24 грн
75+188.76 грн
100+182.36 грн
250+170.51 грн
500+153.59 грн
1000+143.84 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.08 грн
72+196.44 грн
100+148.46 грн
500+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.08 грн
10+196.44 грн
100+148.46 грн
500+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.09 грн
10+181.87 грн
100+142.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.85 грн
78+182.44 грн
100+143.44 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF
Код товару: 180333
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.78 грн
10+138.07 грн
20+132.21 грн
50+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
10+161.39 грн
100+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207Z
Код товару: 37831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 12 В
Струм стоку Id, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
товару немає в наявності
1+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
500+152.88 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
500+152.88 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZGPBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+138.77 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZGPBFXKMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+138.77 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF
Код товару: 197879
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.25 грн
10+169.03 грн
20+152.29 грн
50+109.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.08 грн
50+125.35 грн
100+113.37 грн
500+86.69 грн
1000+80.37 грн
2000+75.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.62 грн
2000+111.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.75 грн
50+109.64 грн
100+106.63 грн
500+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.93 грн
50+155.36 грн
100+143.75 грн
500+117.41 грн
1000+104.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.28 грн
500+164.64 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+156.93 грн
91+155.36 грн
100+143.75 грн
500+117.41 грн
1000+104.53 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineonTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.62 грн
2000+111.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.28 грн
500+164.64 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.75 грн
129+109.64 грн
133+106.63 грн
500+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.28 грн
500+164.64 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZPBFXKMA1
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+152.88 грн
500+137.59 грн
1000+127.01 грн
10000+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
500+152.88 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInternational RectifierDescription: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+123.39 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
500+152.88 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306IR09+ PLCC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306InfineonN-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306InfineonN-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+129.36 грн
500+116.42 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+129.36 грн
500+116.42 грн
1000+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+129.36 грн
500+116.42 грн
1000+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306GPBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.34 грн
500+92.10 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.22 грн
3000+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.59 грн
99+143.90 грн
102+139.01 грн
250+129.97 грн
500+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.97 грн
10+109.53 грн
100+97.66 грн
500+78.30 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.71 грн
157+89.99 грн
500+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.22 грн
3000+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.40 грн
50+81.73 грн
100+73.38 грн
500+55.11 грн
1000+50.69 грн
2000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.97 грн
129+109.53 грн
145+97.66 грн
500+78.30 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.37 грн
500+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF
Код товару: 88656
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 70 шт
  • 50 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+82.00 грн
10+75.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.81 грн
4+130.54 грн
10+98.74 грн
25+86.19 грн
50+77.82 грн
100+70.29 грн
500+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.05 грн
141+100.63 грн
500+82.48 грн
1000+65.84 грн
3000+60.36 грн
5000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.22 грн
10+113.69 грн
100+100.30 грн
500+79.28 грн
1000+60.77 грн
3000+57.76 грн
5000+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.37 грн
10+99.71 грн
100+89.99 грн
500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.37 грн
500+105.64 грн
1000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.49 грн
50+79.95 грн
100+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.90 грн
10+143.20 грн
100+109.58 грн
500+97.30 грн
1000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineonIRFB3307PBF MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]