Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB3207Z | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207Z Код товару: 37831
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Напруга сток-витік Uds, В: 12 В Струм стоку Id, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRFB3207Z | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZG | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | Infineon | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB3207ZGPBFXKMA1 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB3207ZGPBFXKMA1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF Код товару: 197879
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V | на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3207ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB3207ZPBFXKMA1 | на замовлення 73000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3256 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | International Rectifier | Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3256PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306 | Infineon | N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306 | Infineon | N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 940 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306 | IR | 09+ PLCC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 308 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306GPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB3306GPBFXKMA1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF Код товару: 88656
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85 Монтаж: THT | у наявності: 62 шт
очікується: 5 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 230W Gate charge: 85nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 160A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 4.2mΩ | на замовлення 341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB3306PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB3306PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon | IRFB3307PBF MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC | на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307Z | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 214 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF Код товару: 37782
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79 Монтаж: THT | у наявності: 31 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

