Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4019PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020
Код товару: 184884
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF
Код товару: 55927
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 4 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72.00 грн
10+64.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.06 грн
500+53.63 грн
1000+48.92 грн
2000+44.23 грн
5000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.79 грн
12+69.25 грн
100+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.16 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.56 грн
14+57.14 грн
100+57.07 грн
500+51.72 грн
1000+45.30 грн
2000+42.47 грн
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 5017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.38 грн
10+67.85 грн
100+50.49 грн
500+40.99 грн
1000+37.15 грн
2000+34.42 грн
5000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.28 грн
500+71.35 грн
1000+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.28 грн
500+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInternational RectifierMOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
на замовлення 750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+161.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.88 грн
82+173.98 грн
100+168.09 грн
250+157.16 грн
500+141.56 грн
1000+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.01 грн
5+90.78 грн
10+79.85 грн
50+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
50+63.20 грн
100+56.52 грн
500+42.04 грн
1000+38.50 грн
2000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.28 грн
500+71.35 грн
1000+65.80 грн
10000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.82 грн
10+128.22 грн
100+88.32 грн
500+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-CN CHIPNOBO TIRFB4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-ML MOSLEADER TIRFB4110 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.14 грн
10+314.78 грн
100+170.38 грн
500+156.41 грн
1000+132.67 грн
2000+124.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+211.44 грн
500+199.63 грн
1000+189.00 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+171.89 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+211.44 грн
500+199.63 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
1000+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
1000+179.55 грн
10000+162.89 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
50+127.65 грн
100+115.21 грн
500+87.66 грн
1000+81.09 грн
2000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.18 грн
108+131.85 грн
115+124.28 грн
500+107.22 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.51 грн
10+102.54 грн
25+93.30 грн
50+87.41 грн
100+83.21 грн
250+78.17 грн
500+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.51 грн
10+140.94 грн
100+120.57 грн
500+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineonN-Channel 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF
Код товару: 42666
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 328 шт
  • 291 шт - склад
  • 37 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.61 грн
50+195.27 грн
100+176.24 грн
500+137.79 грн
1000+118.02 грн
2000+105.58 грн
5000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.06 грн
10+116.44 грн
100+92.17 грн
500+74.72 грн
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110PBFXKMA1
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+141.75 грн
1000+129.94 грн
10000+112.11 грн
100000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
50+127.65 грн
100+115.21 грн
500+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.85 грн
10+123.01 грн
100+105.09 грн
500+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115InfineonN-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+216.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.91 грн
10+389.46 грн
100+277.91 грн
500+237.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInternational RectifierHEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.32 грн
79+179.70 грн
100+155.55 грн
500+128.11 грн
1000+101.05 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
Монтаж: THT
у наявності: 51 шт
  • 33 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.34 грн
10+144.24 грн
100+129.64 грн
500+110.67 грн
1000+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+141.75 грн
1000+129.94 грн
10000+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.88 грн
10+188.19 грн
100+145.82 грн
500+114.98 грн
1000+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+202.32 грн
98+144.94 грн
109+130.27 грн
500+111.21 грн
1000+88.21 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.81 грн
10+129.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
10+165.97 грн
100+115.02 грн
500+87.51 грн
1000+80.95 грн
2000+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.67 грн
73+195.91 грн
100+189.26 грн
250+176.96 грн
500+159.40 грн
1000+149.28 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.25 грн
10+116.44 грн
100+91.47 грн
500+74.72 грн
1000+71.92 грн
2000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
50+127.43 грн
100+115.02 грн
500+87.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127International RectifierN-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+189.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.80 грн
10+171.64 грн
100+120.32 грн
500+92.33 грн
1000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.53 грн
10+186.56 грн
100+140.12 грн
500+109.69 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.44 грн
10+101.70 грн
20+92.46 грн
50+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.47 грн
10+137.32 грн
100+93.57 грн
500+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.05 грн
10+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.86 грн
48+300.38 грн
50+288.93 грн
100+269.16 грн
250+241.66 грн
500+225.68 грн
1000+220.17 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF
Код товару: 37966
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+68.00 грн
10+62.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+306.19 грн
76+188.06 грн
100+150.92 грн
500+118.59 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+183.09 грн
100+111.72 грн
500+91.47 грн
1000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.66 грн
10+162.41 грн
100+113.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]