Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.54 грн
76+188.08 грн
100+181.70 грн
250+169.90 грн
500+153.03 грн
1000+143.31 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.02 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 206018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+152.88 грн
500+137.59 грн
1000+127.01 грн
10000+109.09 грн
100000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBF
Код товару: 49500
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.76 грн
10+89.98 грн
100+79.48 грн
500+69.90 грн
1000+59.25 грн
2000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.42 грн
102+138.56 грн
113+125.15 грн
122+112.01 грн
500+99.05 грн
1000+91.23 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.42 грн
10+138.56 грн
25+125.15 грн
100+112.01 грн
500+99.05 грн
1000+91.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 97A 8.8mOhm 88nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607InfineonN-MOSFET HEXFET 80A 75V 140W 0.009ohm IRFB3607 TIRFB3607
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.68 грн
86+164.77 грн
165+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+63.17 грн
1000+58.26 грн
10000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+245.68 грн
10+164.77 грн
25+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF
Код товару: 62331
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,073 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3070/56
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+86.17 грн
10+73.31 грн
50+39.87 грн
500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.36 грн
172+82.50 грн
250+79.19 грн
500+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806International RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.29 грн
535+65.96 грн
1000+60.83 грн
10000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.29 грн
535+65.96 грн
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF
Код товару: 72842
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+122.86 грн
10+93.28 грн
100+82.80 грн
1000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Power dissipation: 71W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.28 грн
10+43.76 грн
50+36.57 грн
100+33.86 грн
250+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.76 грн
220+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.29 грн
535+65.96 грн
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.02 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.38 грн
11+68.76 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 59630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.48 грн
121+117.29 грн
500+104.82 грн
1000+94.94 грн
2000+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 43 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 91 @ 10 В, Rds = 54 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.98 грн
2000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.20 грн
500+104.58 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+139.80 грн
50+107.18 грн
100+90.71 грн
500+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.06 грн
90+157.80 грн
100+152.45 грн
250+142.55 грн
500+128.39 грн
1000+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.51 грн
82+174.10 грн
100+156.04 грн
500+128.65 грн
1000+109.44 грн
2000+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.20 грн
500+104.58 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 59635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.37 грн
10+126.58 грн
100+117.38 грн
500+101.16 грн
1000+87.97 грн
2000+78.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.51 грн
10+174.10 грн
100+156.04 грн
500+128.65 грн
1000+109.44 грн
2000+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.20 грн
500+104.58 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.20 грн
500+104.58 грн
1000+96.44 грн
10000+82.92 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.20 грн
500+104.58 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF
Код товару: 76399
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.98 грн
2000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019
Код товару: 25222
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.02 грн
2000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF
Код товару: 171727
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.50 грн
10+84.20 грн
100+76.12 грн
500+59.14 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.86 грн
10+87.59 грн
100+78.51 грн
500+60.06 грн
1000+48.92 грн
2000+45.10 грн
5000+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.86 грн
500+82.68 грн
1000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.02 грн
2000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.31 грн
6+81.27 грн
10+68.57 грн
25+53.67 грн
50+45.46 грн
100+43.93 грн
250+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.86 грн
500+82.68 грн
1000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.23 грн
10+97.37 грн
50+73.70 грн
100+61.98 грн
500+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.64 грн
180+78.57 грн
500+62.33 грн
1000+52.87 грн
2000+47.01 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4019PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]