Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineonIRFB3307PBF MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+139.93 грн
100+96.80 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.62 грн
10+113.80 грн
20+96.23 грн
50+78.66 грн
100+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.18 грн
10+149.55 грн
100+111.70 грн
500+98.57 грн
1000+74.31 грн
2000+66.34 грн
5000+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.91 грн
95+150.03 грн
126+112.06 грн
500+98.88 грн
1000+74.55 грн
2000+66.56 грн
5000+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.15 грн
1000+102.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.15 грн
10+89.54 грн
50+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.93 грн
1000+103.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.15 грн
1000+102.11 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.27 грн
1000+104.21 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 35 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.54 грн
76+188.08 грн
100+181.70 грн
250+169.90 грн
500+153.03 грн
1000+143.31 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 206018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+152.88 грн
500+137.59 грн
1000+127.01 грн
10000+109.09 грн
100000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBF
Код товару: 49500
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.76 грн
10+89.98 грн
100+79.48 грн
500+69.90 грн
1000+59.25 грн
2000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.42 грн
10+138.56 грн
25+125.15 грн
100+112.01 грн
500+99.05 грн
1000+91.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.42 грн
102+138.56 грн
113+125.15 грн
122+112.01 грн
500+99.05 грн
1000+91.23 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3507PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 97A 8.8mOhm 88nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607InfineonN-MOSFET HEXFET 80A 75V 140W 0.009ohm IRFB3607 TIRFB3607
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.36 грн
172+82.50 грн
250+79.19 грн
500+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+244.91 грн
10+165.02 грн
25+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+63.17 грн
1000+58.26 грн
10000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF
Код товару: 62331
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,073 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3070/56
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+85.18 грн
10+72.47 грн
50+39.41 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.91 грн
86+165.02 грн
165+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806International RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.02 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.75 грн
19+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.49 грн
10+43.26 грн
50+36.15 грн
100+33.47 грн
250+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.29 грн
535+65.96 грн
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF
Код товару: 72842
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.14 грн
10+79.02 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.73 грн
91+156.48 грн
100+143.23 грн
500+117.63 грн
1000+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.73 грн
10+156.48 грн
100+143.23 грн
500+117.63 грн
1000+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF
Код товару: 76399
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
500+162.29 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.06 грн
90+157.80 грн
100+152.45 грн
250+142.55 грн
500+128.39 грн
1000+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
50+124.05 грн
100+112.19 грн
500+85.75 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
на замовлення 5401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
500+162.29 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 79501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.60 грн
10+118.94 грн
100+111.80 грн
500+95.95 грн
1000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.32 грн
126+112.15 грн
500+99.83 грн
1000+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
500+162.29 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 43 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 91 @ 10 В, Rds = 54 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
500+162.29 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFInternational RectifierDescription: IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.19 грн
5+159.83 грн
10+143.09 грн
50+111.29 грн
100+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019
Код товару: 25222
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.66 грн
11+70.39 грн
100+62.73 грн
500+54.14 грн
1000+45.13 грн
2000+42.90 грн
5000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+73.06 грн
537+65.76 грн
1000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.52 грн
203+69.72 грн
226+62.57 грн
500+54.32 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]